您的位置： 专家智库 > >

唐悦

作品数：32 被引量：17H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
相关领域：电气工程电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 11篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 24篇电池
  • 12篇隧道结
  • 12篇太阳电池
  • 9篇衬底
  • 6篇砷化镓
  • 6篇失配
  • 6篇键合
  • 6篇成核
  • 4篇低温键合
  • 4篇电池材料
  • 4篇电池技术
  • 4篇柔性衬底
  • 4篇太阳电池材料
  • 4篇晶格匹配
  • 4篇激光
  • 3篇太阳光
  • 3篇太阳光谱
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇金属有机化学...

机构

  • 32篇中国电子科技...

作者

  • 32篇唐悦
  • 25篇张启明
  • 24篇刘如彬
  • 24篇张恒
  • 20篇孙强
  • 14篇高鹏
  • 9篇薛超
  • 7篇宋健
  • 5篇王立功
  • 5篇肖志斌
  • 5篇吴艳梅
  • 5篇方亮
  • 5篇王宇
  • 5篇姚立勇
  • 4篇姜明序
  • 4篇李慧
  • 3篇王赫
  • 2篇温克岩
  • 2篇王帅
  • 1篇关海波

传媒

  • 3篇电源技术
  • 1篇黑龙江科技信...
  • 1篇化学与物理电...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 1篇2020
  • 6篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2012
  • 1篇2006
  • 1篇2002
共 32 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种GaInAs激光电池外延层及其制备方法
本发明公开了一种GaInAs激光电池外延层及其制备方法，属于太阳能电池外延技术领域，所述GaInAs激光电池外延层包括：自下而上依次设置的GaAs衬底、Ga<Sub>1‑x</Sub>In<Sub>x</Sub>As缓冲...
唐悦高鹏
文献传递
一种正向失配五结太阳电池
本发明公开了一种正向失配五结太阳电池，属于太阳能电池结构技术领域，其特征在于，从下至上依次包括：锗衬底、Ga<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P成核层、Ga<Sub>0.99</Sub>In<S...
张启明刘如彬张恒唐悦宋健孙强
文献传递
一种双面生长的InP五结太阳电池
本发明公开了一种双面生长的InP五结太阳电池，包括双面抛光的InP衬底，InP衬底上表面设置有(Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>)<Sub>y</Sub>In<Sub>1-y</Sub>P子电...
张恒孙强刘如彬张启明唐悦
一种正向失配四结太阳能电池
本发明涉及太阳能电池技术领域，提供一种正向失配四结太阳能电池，包括Ge衬底和帽层，其中，从所述Ge衬底到所述帽层依次设有Ga<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P成核层、Ga<Sub>0.99</...
张启明张恒刘如彬唐悦石璘孙强
文献传递
一种空间太阳电池用全反射玻璃盖片及其制备方法
本发明涉及一种空间太阳电池用全反射玻璃盖片及其制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。一种空间太阳电池用全反射玻璃盖片，通过Langmuir‑Blodgett法在玻璃盖片的表面形成单层纳米球，通过刻蚀纳米球在玻璃盖片受光面...
方亮高鹏薛超王赫唐悦石璘张启明
文献传递
一种正向失配六结太阳电池
一种正向失配六结太阳电池，从下至上依次包括Ge衬底、Ga<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P成核层、Ga<Sub>0.99</Sub>In<Sub>0.01</Sub>As缓冲层、第一隧道结、(...
张启明郭宏亮刘如彬张恒宋健唐悦孙强
文献传递
一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法及电池
本发明公开了一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法及电池，属于太阳能电池技术领域，至少包括：S1、采用金属有机化学气相沉积技术在砷化镓衬底上面沉积Ga<Sub>1‑x</Sub>In<Sub>x</Sub>As缓冲层；S2...
唐悦张启明张恒刘如彬孙强
文献传递
用于多结叠层太阳电池的GaInAsN材料研究进展被引量：3
2015年
1.0eV的GaInAsN材料是实现与Ge或GaAs衬底晶格匹配的高效多结叠层太阳电池的理想材料。但是,目前制备高质量的GaInAsN材料较为困难,使得相应电池性能低下,未能达到预想的效果。介绍了几种生长GaInAsN材料的外延工艺,探讨了各种外延方法导致材料生长困难的原因和相应的改进工艺,并在总结了GaInAsN太阳电池研究现状的基础上对其未来发展趋势进行了展望。
张启明张恒刘如彬唐悦孙强
关键词：GAN分子束外延化学束外延
一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法
本发明公开了一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法，使用金属箔作为转移支撑衬底，有效减轻器件重量，提高重量比功率，同时具有柔性功能。使用金属键合方法，具有稳定且良好导电性的连接方式，采用真空蒸发的方式制备键合金属层，...
姜明序石璘张无迪刘丽蕊薛超高鹏张恒张启明唐悦刘如彬李慧王立功王帅王宇宋健吴艳梅肖志斌孙强
文献传递
一种两结激光电池外延层及其制备方法
本发明涉及一种两结激光电池外延层及其制备方法，包括从下至上依次设置在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、第一隧道结、第一GaAs电池、第二隧道结、第二GaAs电池和cap层，其制备方法包括：采用金属有机化学气相沉积技术在Ga...
唐悦张启明高鹏王宇
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0