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叶云飞

作品数:5 被引量:1H指数:1
供职机构:安徽大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇调谐
  • 2篇调谐器
  • 1篇电路
  • 1篇电路模拟
  • 1篇电视
  • 1篇电视调谐器
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇亚微米
  • 1篇增益
  • 1篇增益放大
  • 1篇增益放大器
  • 1篇栅电容
  • 1篇深亚微米
  • 1篇数字电视
  • 1篇数字电视调谐...
  • 1篇锁相
  • 1篇锁相环
  • 1篇频率合成器

机构

  • 5篇安徽大学

作者

  • 5篇叶云飞
  • 4篇陈军宁
  • 3篇柯导明
  • 2篇徐太龙
  • 1篇吴昊
  • 1篇刘磊
  • 1篇金钟
  • 1篇洪琪
  • 1篇代月花
  • 1篇孙家讹
  • 1篇吴秀龙
  • 1篇张婷
  • 1篇丁峰

传媒

  • 3篇安徽大学学报...
  • 1篇电脑知识与技...

年份

  • 2篇2007
  • 3篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型
2007年
在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了一个基于物理的解析模型,利用该模型计算MOS器件的阈值电压,与数值模拟的结果比较表明,模型的精度令人满意.
金钟叶云飞陈军宁代月花孙家讹
关键词:量子效应多晶硅栅电容
功率LDMOS阈值电压温度系数的优化分析被引量:1
2006年
讨论高压LDMOS阈值电压的温度特性,并给出了它的温度系数计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:通过提高沟道掺杂浓度或减少栅氧化层能够降低阈值电压随温度的变化.阈值电压的温度系数可以用温度的线性表达式来计算,从而可以得出功率LDMOS阈值电压的温度系数最优化分析.
丁峰柯导明陈军宁叶云飞刘磊徐太龙
关键词:高温
适用于高频调谐器的可变增益放大器设计
2006年
本文介绍了可变增益放大器的一些典型电路,采用0.18!m标准CMOS工艺设计了适用于DVB-C标准的高频调谐器中的可变增益放大器,运用Mentor公司的Eldo工具对电路进行了仿真,仿真结果达到低功耗、低噪声、宽增益范围的设计要求。
叶云飞陈军宁柯导明吴秀龙
关键词:高频调谐器可变增益放大器CMOS
数字电视调谐器中可编程分频器设计
目前,锁相技术已经在许多领域内得到广泛的应用,如数字电视高频调谐器。当前的高频调谐器多采用以锁相环(PLL)技术为基础的锁相频率合成器,与以往的电视调谐器相比,采用锁相频率合成器的调谐器具有稳定度高及频率调节范围宽等优点...
叶云飞
关键词:数字电视调谐器锁相环分频器CMOS工艺频率合成器
文献传递
一种用于深亚微米电路模拟的高精度MOST宏模型
2006年
提供了一种新的方法,用于建立深亚微米电路中MOST的伏安特性方程.该方法根据深亚微米MOST的数值模拟结果或实测结果,直接将小尺寸MOST特性方程用函数拟合技术,在M atlab中用程序实现,所建立的伏安特性方程没有非饱和区、饱和区的间断点,是一个不分区间的统一表达式.对所得到的结果进行了计算验证,证明了建模方法和结果的正确性.
徐太龙柯导明陈军宁叶云飞张婷吴昊洪琪
关键词:函数拟合电路模拟
共1页<1>
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