卢建政
- 作品数：4 被引量：7H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 深槽和Ni（Zr）Si/Si肖特基势垒二极管研究
- 该论文围绕深槽隔离结构和镍硅化物的热稳定性进行研究.深槽结构的研究服务于该课题组的军事预先研究项目——S波段Si双极微波功率晶体管,用于提高BC结的反向击穿电压;对镍硅化物的研究是为了提高其热稳定性.对深槽结构进行了计算...
- 卢建政
- 关键词：深槽湿法腐蚀硅化物肖特基二极管
- Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究被引量：7
- 2005年
- 对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明,在600～800°C范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100～150°C.依据吉布斯自由能理论,对在Ni(Pt)Si薄膜中掺有2%和4%的Pt样品进行了分析.结果表明,掺少量的Pt可以推迟NiSi向NiSi2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性.最后,制作了I-V特性良好的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的Pt改善了NiSi肖特基二极管的稳定性.
- 黄伟张利春高玉芝金海岩卢建政张慧
- 关键词：镍硅化物快速热退火X射线衍射分析
- Ni/Pt硅化物温度稳定性的研究
- 本文对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明:在600℃~800℃范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度...
- 黄伟张利春高玉芝金海岩卢建政张广勤
- 关键词：硅化物温度稳定性快速热退火
- 文献传递
- Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性
- 2005年
- 提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1.
- 黄伟卢建政张利春高玉芝金海岩
- 关键词：热稳定性X射线衍射RAMAN光谱肖特基二极管
