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华平壤

作品数：30 被引量：2H指数：1
供职机构：天津大学更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇机械工程

主题

  • 18篇波导
  • 14篇铌酸锂
  • 8篇周期极化
  • 6篇质子交换
  • 6篇光波
  • 5篇近化学计量比
  • 4篇周期极化铌酸...
  • 4篇铌酸
  • 4篇集成光路
  • 4篇光学
  • 3篇低损耗
  • 3篇调制器
  • 3篇质子
  • 3篇钛扩散
  • 3篇晶体
  • 2篇大芯径
  • 2篇导光
  • 2篇电光
  • 2篇电光相位调制...
  • 2篇电极

机构

  • 30篇天津大学
  • 3篇天津科技大学
  • 2篇华莹电子有限...
  • 1篇天津职业技术...
  • 1篇国家食品药品...

作者

  • 30篇华平壤
  • 2篇丁宁
  • 1篇王双
  • 1篇齐丽晶
  • 1篇张丽珠
  • 1篇张帅
  • 1篇江俊峰
  • 1篇刘铁根
  • 1篇张赟
  • 1篇张远航
  • 1篇胡军
  • 1篇牛德森
  • 1篇顾超
  • 1篇于浩
  • 1篇马小玲
  • 1篇李彬
  • 1篇郭天娥

传媒

  • 2篇天津科技大学...
  • 1篇中国医疗器械...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇物理实验
  • 1篇光通信技术

年份

  • 2篇2025
  • 3篇2022
  • 6篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2007
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
抗光折变局域掺杂Ti：Mg：Er：LiNbO/_3波导放大器的理论和实验研究
本论文在国内外率先进行了下述工作:1/)缺锂MgO: LiNbO3晶片的制备及其表征, 2/)具有抗光折变特性的Er//Mg局域掺杂近化学计量比/(NS/) Ti:Mg:Er:LiNbO3波导放大器的制备,对其抗光折变特...
华平壤
关键词：近化学计量比波导放大器
文献传递
用于质子交换波导的三叉戟结构模斑转换器及制备方法
本发明公开用于质子交换波导的三叉戟结构模斑转换器及制备方法，依次包括衬底、绝缘层和铌酸锂薄膜层；铌酸锂薄膜层包括：第一波导部，作为转换器的输入端；第二波导部，与第一波导部的一端连接，且与第一波导部位于同一平面；第三波导部...
叶童华平壤
一种Z切铌酸锂锥形波导及其制备方法
本发明公开了一种Z切铌酸锂锥形波导及其制备方法，锥形波导的整体结构包括铌酸锂基底(1)、位于铌酸锂基底(1)+Z面上的质子交换层(2)、以及作为高折射率锥形波导区的锥形横向扩散区(3)；所述锥形横向扩散区(3)由所述质子...
华平壤王少葳黄颖
文献传递
一种可用于逆向传输、低损耗的Y分支光波导器件
本申请提供一种可用于逆向传输、低损耗的Y分支光波导器件，包括：衬底；绝缘层；以及波导层，波导层被刻蚀形成波导结构；波导结构包括：输入波导；连接部，连接部的第一端与输入波导连接；第一分支波导和第二分支波导，第一分支波导与连...
廖佳华平壤
浅析牙科手机的径向跳动及常见的易混概念释义
2015年
本文介绍了圆度、径向圆跳动和动态径向圆跳动三个参数,从定义和测试方法角度分别阐述了其联系与区别,分析了牙科手机标准径向跳动要求的含义。
齐丽晶张赟华平壤
关键词：牙科手机车针圆度径向跳动
一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法
本发明公开了一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法，首先采用LNOI作为初始材料；然后在LN薄膜层的表面镀一层100nm厚的SiO<Sub>2</Sub>膜，并对其进行光刻，制作出条状结构的2～3μm宽的SiO<Sub>2...
华平壤尹承静
文献传递
抗光折变局域掺杂Ti:Mg:Er:LiNbO3波导放大器的理论与实验研究
华平壤
近化学计量比Ti:PPLN平面光波导
2013年
使用钛扩散的方法在Z切铌酸锂(LiNbO3)基片上制备平面光波导,并进行富锂气相输运平衡(VTE)处理,获得平面光波导。利用外加电场法对其周期极化,制备出近化学计量比钛扩散周期极化铌酸锂(Ti:PPLN)平面光波导。对近化学计量比Ti:PPLN平面光波导的制备方法及工艺进行深入研究,为制备近化学计量比Ti:PPLN条波导奠定基础。
张帅顾超牛德森肖克楠张远航华平壤
关键词：钛扩散铌酸锂周期极化
一种内嵌双层膜的LNOI晶片及其制备方法
本发明公开了一种内嵌双层膜的LNOI晶片及其制备方法，该晶体的整体结构自基底向上层依序包括：硅或铌酸锂基底(1)、二氧化硅缓冲层(2)、金电极层(3)、半导体有机高分子层(4)和铌酸锂薄膜层(5)，所述金电极层(3)和所...
华平壤陈朝夕
一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法
本发明公开了一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法，首先采用LNOI作为初始材料；然后在LN薄膜层的表面镀一层100nm厚的SiO<Sub>2</Sub>膜，并对其进行光刻，制作出条状结构的2～3μm宽的SiO<Sub>2...
华平壤尹承静
文献传递
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