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N掺杂ZnO薄膜的接触特性被引量：1: 2008年; 氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器件和短波长激子型激光器等方面具有广阔的应用前景。而要实现大功率的光电器件,稳定可靠的欧姆接触是必需的。研究了氮气氛条件下,不同温度快速退火对氮掺杂ZnO样品的电学性质以及Ni/Au与其接触特性的影响。原生样品表现为弱的肖特基接触,适当温度退火后,由肖特基转成了欧姆接触,650℃退火后得到最小比接触电阻率8×10-4Ω·cm2。霍尔测量表明550℃快速退火后,样品的导电类型由p型转变成了n型。采用AES和GXRD分别研究了不同退火温度下Au、Ni、Zn、O的深度分布变化及退火后所生成的合金相。实验结果表明,退火所导致的薄膜电学性质的变化以及界面态和表面态的增加是接触特性变化的原因。; 单正平顾书林朱顺明刘伟刘少波刘雪冬汤琨张荣郑有炓; 关键词：NI/AU 快速退火欧姆接触

纳米ZnO生长及性质分析被引量：4: 2008年; 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的Si(111)衬底上制备了ZnO纳米柱阵列。采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱分析了样品的晶体结构质量、表面性质和光学性质。结果表明,生长出来的纳米ZnO具有较好的c轴择优取向性。发现氧分压对ZnO纳米柱的生长有重要影响:当氧分压较低时,生长基于VLS机制;当氧分压较高时,生长基于VS机制;通过对N2O流量的控制可实现对ZnO纳米材料的可控生长。; 刘少波顾书林刘伟张丹羽刘雪冬朱顺明丁维平张荣郑有炓

ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟被引量：1: 2007年; 采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量、动量、质量和物种守恒方程,研究了气体入口的倾斜角度对衬底表面淀积的ZnO分布的影响,并研究了不同的衬底位置对生长速率的影响.计算结果对ZnO-MOCVD系统结构的优化提供了一个有力的参考依据.; 刘松民顾书林朱顺明叶建东刘伟张荣郑有炓; 关键词：ZNO MOCVD 数值模拟

Fabrication and Emission Properties of a n-ZnO/p-GaN Heterojunction Light-Emitting Diode被引量：1: 2006年; We report the fabrication and characterization of light-emitting diodes based on n-ZnO/p-GaN heterojunctions. The n-type ZnO epilayer is deposited by metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD） on a MOCVD grown Mg-doped p-GaN layer to form a p-n heterojunction. During the etching process, the relation between the etching depth and the etching time is linear in a HF and NH4 CI solution of a certain ratio. The etching rates of the SiO2 and ZnO are well controlled,which are essential for device fabrication. The current-voltage relationship of this heterojunction shows a diode-like rectifying behavior. In contrast to previous reports,electroluminescence （EL） emissions are observed by the naked eye at room temperature from the n-ZnO/p-GaN heterojunction under forward-and reverse-bias. The origins of these EL emissions are discussed in comparison with the pho- toluminescence spectra.; 周昕顾书林朱顺明叶建东刘伟刘松民胡立群郑有炓张荣施毅

ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟研究: 本文采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量,...; 刘松民顾书林朱顺明叶建东刘伟张荣郑有炓; 关键词：ZNO MOCVD 数值模拟计算流体力学; 文献传递

^(90)Sr/^(90)Y放射性激发等离子体隐身研究被引量：1: 2014年; 依据90Sr/90Y的β衰变电子能谱分布,并考虑空气中电子扩散与复合规律,计算出不同活度的放射源致空气电离的电子密度分布;再利用WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)方法计算了涂覆90Sr/90Y的无限大金属板激发等离子体对不同入射角度、不同频率电磁波的反射率。当放射源的活度为3.7×1010Bq·cm-2和3.7×1011Bq·cm-2时,对垂直入射的1.5GHz电磁波的反射率分别为-2.2 dB和-7.45 dB。在1–100GHz范围内,反射率随入射电磁波频率的上升单调上升,随入射角度的上升单调下降。; 朱家柱刘伟崔驰王翔黄玉安张瑞利唐涛黄润生; 关键词：电子密度反射率隐身技术

Fe_xN-膨胀石墨复合材料的制备及其电磁屏蔽效能被引量：2: 2014年; 以醋酸铁为前驱体、乙醇为溶剂,通过浸渍、干燥、H2预还原以及NH3氮化,将粒径为100~600nm磁性纳米FexN颗粒植入膨胀石墨(EG)得到FexN-EG复合材料,随氮化温度升高FexN物相主要为Fe4N、Fe2~3N、FeN,所得FexN饱和磁化强度较高,为软磁材料。改变氮化温度可以调控植入的纳米FexN中N原子的比例,从而可以改变FexN的磁性,显著提高复合材料的低频电磁屏蔽效能,使其在较宽的频段内有好的电磁屏蔽效能。结果表明,400℃氮化时磁性颗粒物相以Fe4N为主,此时复合材料的电磁屏蔽效能最好,面密度仅为0.09 g/cm2的试样在300 kHz^1.5 GHz范围的电磁屏蔽效能达68.5~100 dB。; 黄玉安杨健刘伟张瑞利唐涛张世远黄润生; 关键词：膨胀石墨穆斯堡尔谱屏蔽效能

液相还原法制备的Fe纳米颗粒-膨胀石墨电磁屏蔽材料被引量：2: 2013年; 用液相还原法制备了Fe纳米颗粒植入膨胀石墨的抗信息泄露(电磁屏蔽)复合材料;制备过程中,膨胀石墨增强层面上生成的Fe颗粒的结晶度;络合剂酒石酸钾钠增强生成颗粒的抗氧化性,产物中铁氧化物和非晶FeB成分比例减少,复合材料铁磁性增强。其中Fe含量为30wt%时屏蔽效能最好,面密度仅为0.096 g/cm2,在300 kHz～1 GHz内可达到63～102 dB,在低频端相对纯膨胀石墨提升了8.5 dB。; 刘伟杨健黄玉安翟亚张瑞利唐涛张世远黄润生; 关键词：膨胀石墨液相还原电磁屏蔽

氮化铁/膨胀石墨的穆斯堡尔谱研究被引量：1: 2013年; 用气氛还原氮化法成功将氮化铁纳米颗粒植入膨胀石墨,制备出具有优良磁性和射频屏蔽效能的材料。XRD测量表明不同温度氮化反应,制备的材料中含铁物相有变化。用57Fe的穆斯堡尔谱,详细分析了不同反应温度下反应产物的相组分。结果表明,随着温度的上升,在400°C之前,Fe颗粒逐渐被氮化直至完全,400°C以后氮化铁中的γ-Fe4N逐渐向ε-FexN(2; 刘伟杨健黄玉安翟亚张瑞利唐涛黄润生; 关键词：氮化铁膨胀石墨穆斯堡尔谱

MOCVD生长中载气H_2对N掺杂ZnO性质的影响被引量：7: 2008年; 采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术,可以进一步提高其带边峰的强度,抑制带内发光。XRD测量表明,生长的ZnO薄膜具有c轴择优取向。目前生长高质量N掺杂的p型ZnO薄膜是很困难的,而H2作为载气的加入明显改善了ZnO薄膜的光学性质,在生长过程中加入H2将为获得高质量N掺杂的p型ZnO薄膜提供一种途径。; 刘雪冬顾书林李峰朱顺明刘伟叶建东单正平刘少波汤琨朱光耀张荣郑有炓; 关键词：氧化锌载气离化

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刘伟

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