任尚元
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
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- 硅中三空位V_3^-的超精细相互作用的理论计算
- 1989年
- 利用Koster-Slater的格林函数方法,计算了硅中三空位v_3^- 的电子态能级和波函数.结果表明,v_X^-在禁带中有五条能级:E_A_2=0.417eV,E_B_1=0.492eV,E凡一0·512ev,民一O.532eV,EB_2~2=0.608eV.根据算得的超精细相互作用常数同实验值的比较,定出v_3^-处于B_1态.V_3^-的B_1态点据第1壳层的几率为60.2％,但主要集中在三空位所确定的平面内的二个原子上.
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- 硅中四空位扩展的Koster-Slater模型
- 1990年
- 本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V_4^-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η~2及其s特征α~2,和超精细相互作用常数,确定V_4^-处于深能级为0.78eV的A_1对称态,给出与现有实验值相符合的结果。并指出,V_4^-的单个悬挂键上的η~2比其它具有单个悬挂键的缺陷小,是由于V_4^-的势分布向一侧有较大偏重所致。
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- 关键词：硅空位
- GaP中替代缺陷对的A_1对称性深能级波函数被引量：2
- 1984年
- 本文在Koster-Slater格林函数方法和在位(on site)势近似的基础上,提出了一个计算替代杂质对的完整方法,并成功地应用于GaP中O替代杂质对。第一次给出了O-Zn和O-Cd对的波函数。我们发现波函数主要集中在O周围4个格点并指向O的化学键上。然而在这4个键上,波函数的分量并不相等,在O—杂质键上的分量要比其它键上的值小。杂质的排斥势越大,则分量值的不平衡越明显。而波函数的其余部分较为平坦地分布在一相当大的空间内。
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- 关键词：波函数深能级电子能态A1GAP
