2024年11月15日
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魏体伟
作品数:
17
被引量:2
H指数:1
供职机构:
清华大学
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发文基金:
国家科技重大专项
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
文化科学
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合作作者
王谦
清华大学信息科学技术学院微电子...
蔡坚
清华大学信息科学技术学院微电子...
王璐
清华大学
刘子玉
清华大学
李轶楠
大连理工大学电子科学与技术学院
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机构
17篇
清华大学
1篇
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作者
17篇
蔡坚
17篇
魏体伟
17篇
王谦
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刘子玉
6篇
王璐
1篇
王德君
1篇
李轶楠
传媒
1篇
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年份
4篇
2017
3篇
2016
4篇
2015
2篇
2014
3篇
2013
1篇
2012
共
17
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转接板及其制作方法、封装结构及用于转接板的键合方法
本发明公开了一种转接板及其制作方法、封装结构及用于转接板的键合方法。该转接板包括:板体,具有相对的第一表面和第二表面,并在第一表面与第二表面之间形成有贯穿该板体的锥台形通孔;锥形导电体,填充在所述锥台形通孔中,该锥形导电...
王谦
魏体伟
王璐
蔡坚
刘子玉
文献传递
硅通孔电镀铜填充工艺优化研究
被引量:2
2012年
研究了孔径40μm的硅通孔铜电镀填充工艺,通过改善电镀工艺条件使得孔径40μm、孔深180μm的硅通孔得以填充满。首先,在种子层覆盖以及电镀液相同条件下通过改变电镀电流密度,研究不同电流密度对于铜填充的影响,确定优化电流密度为1ASD(ASD:平均电流密度)。之后,在相同电流密度下,详细分析了超声清洗、去离子水冲洗以及真空预处理等电镀前处理工艺对铜填充的影响。实验表明,采用真空预处理方法能够有效的将硅通孔内气泡排出获得良好的铜填充。最终铜填充率在电流密度为1ASD、真空预处理条件下接近100%。
李轶楠
蔡坚
王德君
王谦
魏体伟
关键词:
电镀
电流密度
填充率
一种用于三维集成封装技术的圆片级键合方法
本发明的目的是提供一种用于三维集成封装技术的圆片级键合方法,其属于低温的圆片键合方法,可以避免在高温下因焊料的软化出现凸点间的横向偏移或者金属键合过程中金属表面易氧化等问题。该方法包括:完成第一圆片的硅通孔、正面制备工艺...
蔡坚
魏体伟
王谦
文献传递
频率可重构天线及其制备方法
本发明针对现有技术中采用频率可重构天线的无线通信装置体积大的缺陷,提供一种能够克服该缺陷的频率可重构天线及其制备方法。本发明提供的频率可重构天线包括:半导体衬底;形成于所述半导体衬底中的多个硅通孔,所述硅通孔中形成有天线...
蔡坚
魏体伟
王谦
文献传递
一种晶圆临时键合方法
本发明公开了一种晶圆临时键合方法,该方法包括:完成晶圆的硅通孔和正面制备工艺;在所述晶圆的正面上涂覆临时键合胶;将支撑片的表面进行粗糙化处理;将所述支撑片的粗糙后表面与涂覆临时键合胶后的所述晶圆的正面进行键合;对与所述支...
蔡坚
魏体伟
王谦
文献传递
一种用于三维集成的临时键合方法
本发明提供一种用于三维集成的临时键合方法,由于在利用BCB的现有键合方法中,在键合之后不易将BCB去除,所以根据本发明该方法能够克服该缺陷,该方法包括:在支撑片上涂覆干刻蚀型苯丙环丁烯并使所述干刻蚀型苯丙环丁烯进行固化;...
蔡坚
魏体伟
王谦
文献传递
一种转接板及其制作方法、封装结构
本发明公开了一种转接板及其制作方法、封装结构。该转接板包括:板体,具有相对的第一表面和第二表面,并在所述第一表面和所述第二表面之间形成有贯穿该板体的孔洞;绝缘体,填充在所述孔洞中,所述绝缘体中形成有多个贯穿所述板体的通孔...
蔡坚
魏体伟
王璐
王谦
刘子玉
转接板及其制作方法、封装结构
本发明公开了一种转接板及其制作方法、封装结构。该转接板包括:板体,具有相对的第一表面和第二表面,并在第一表面和第二表面之间形成有贯穿该板体的锥台形通孔;绝缘体,填充在锥台形通孔中,其中形成有贯穿板体的圆柱形通孔;导电体,...
蔡坚
魏体伟
王璐
王谦
刘子玉
文献传递
晶圆‑晶圆、芯片‑晶圆和芯片‑芯片键合方法
本发明公开了一种晶圆‑晶圆、芯片‑晶圆和芯片‑芯片键合方法。一种晶圆‑晶圆键合方法,该方法包括:在支撑片的一个表面上形成支撑凸点,将第一晶圆的正面与所述支撑片的具有支撑凸点的表面进行键合;在所述第一晶圆的背面上形成键合凸...
蔡坚
魏体伟
王谦
文献传递
转接板及其制作方法、封装结构及用于转接板的键合方法
本发明公开了一种转接板及其制作方法、封装结构及用于转接板的键合方法。该转接板包括:板体,具有相对的第一表面和第二表面,并在第一表面与第二表面之间形成有贯穿该板体的锥台形通孔;锥形导电体,填充在所述锥台形通孔中,该锥形导电...
王谦
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