2024年11月8日
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魏东
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供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
经济管理
文化科学
电子电信
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合作作者
陈万军
电子科技大学
夏云
电子科技大学
周琦
电子科技大学
张波
电子科技大学
刘超
电子科技大学
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机构
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电子科技大学
作者
11篇
魏东
6篇
陈万军
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张波
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周琦
3篇
夏云
2篇
刘超
1篇
张安邦
年份
1篇
2021
1篇
2019
5篇
2018
1篇
2013
1篇
2011
1篇
2004
1篇
1998
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11
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一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管。本发明主要通过改变电流流通路径,使电流绕过阴极左侧电流集中区,以此缓解器件内部的电流集中区、使电流分布更加均匀,进而提升器件的电流上升率耐量。本发...
陈万军
邓操
刘超
魏东
高吴昊
左慧玲
夏云
文献传递
GaN基高压功率MOSFET REBULF新结构
功率开关晶体管是电力电子系统的核心器件。氮化镓(GaN)因其具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度大等优势,使之在电力电子系统具有巨大的应用潜力。因此,设计具有高阈值电压、低导通电阻、低反向泄漏电流、高击穿电压的高...
魏东
关键词:
氮化镓
双异质结
文献传递
成都市青少年运动员注册管理系统软件设计与实现
青少年运动员注册管理工作对加强运动员队伍管理,保证训练竞赛工作质量,严肃赛风赛纪,杜绝重复注册、弄虚作假,净化赛场秩序,促进青少年体育运动人才资源合理配置,推动体育事业发展有着非常重要的意义。随着竞赛体制的不断改革和竞技...
魏东
关键词:
青少年运动员
软件设计
文献传递
智能化英汉机器翻译系统研究
魏东
关键词:
机器翻译
知识工程
语义分析
一种新型的GaN异质结场效应晶体管
本发明公开了一种新型的GaN异质结场效应晶体管。本发明通过在场效应晶体管的GaN沟道层局部区域引入P型GaN埋层,该P型GaN埋层可以提升该区域异质结能带从而降低局部沟道2‑DEG浓度同时在GaN沟道层沿着电流方向引入了...
周琦
魏东
张安邦
朱若璞
董长旭
石瑜
黄芃
王方洲
陈万军
张波
文献传递
高di/dt光控晶闸管封装结构及封装方法
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种适用于脉冲功率应用光控晶闸管的封装结构及封装方法。本发明的光控晶闸管封装结构包括芯片槽、与芯片槽一体的阴极电极金属外壳、四个阴极引脚通过环形绝缘层固定、用于器件密封的金属盖板,以及...
陈万军
邓操
魏东
左慧玲
高吴昊
夏云
文献传递
现阶段我国股票市场风险和收益的量化关系
风险和收益的关系是投资者关心的首要问题.股票市场作为国民经济的一个重要组成部分,也正发挥着越来越重要的作用.该论文从资本资产定价模型着手,分析了现阶段中国股票市场的投资风险和收益的关系,对中国证券市场的发展提出了自己的一...
魏东
关键词:
资本资产定价模型
股票
投资组合
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一种GaN异质结纵向功率器件
本发明公开了一种GaN异质结纵向功率器件。本发明通过利用二维空穴气阻挡源极电子通过纵向栅控沟道注入到二维电子气沟道,实现器件增强型,且利用高迁移率的二维电子气沟道从而使纵向器件实现低导通电阻和大饱和电流;同时,浮空P型G...
周琦
魏东
邓操
董长旭
黄芃
陈万军
张波
文献传递
一种GaN异质结电导调制场效应管
本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种GaN异质结电导调制场效应管。本发明正向导通时,当漏极加正电压后,将有大量空穴从P型重掺杂GaN层注入到轻掺杂N型GaN漂移区,使轻掺杂N型GaN漂移区发生大注入现象,同时为了维持电...
周琦
魏东
邓操
董长旭
黄芃
陈万军
张波
文献传递
一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管。本发明主要通过改变电流流通路径,使电流绕过阴极左侧电流集中区,以此缓解器件内部的电流集中区、使电流分布更加均匀,进而提升器件的电流上升率耐量。本发...
陈万军
邓操
刘超
魏东
高吴昊
左慧玲
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