高鹏
- 作品数：13 被引量：41H指数：4
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 沉积参数对碳氮化硅薄膜化学结构及光学性能的影响被引量：6
- 2006年
- 利用微波电子回旋共振（MW-ECR）等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅（SiCN）薄膜。研究结果表明：硅靶溅射功率和氮气流量对薄膜化学结构、光学、力学等性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱（FT-IR）和X射线光电子能谱（XPS）表征显示,随着硅靶溅射功率由150W增加到 350 W,薄膜中C-Si-N键含量由14.3%增加到43.6%;氮气流量的增大（2～15 sccm）易于形成更多的sp2C=N键和sp1C≡N键.在改变硅靶溅射功率和氮气流量的条件下,薄膜光学带隙最大值分别达到2.1 eV和2.8 eV。
- 朴勇梁宏军高鹏丁万昱陆文琪马腾才徐军
- 关键词：光学带隙
- 双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射沉积氮化碳薄膜
- ＜正＞1989年,Liu＆Cohen根据第一性原理赝势能带理论从理论上预言了一种新的超硬材料-C3N4。主要性能特点有:（1）高的热导率;（2）超高硬度,可与金刚石媲美;（3）化学性能较稳定;（4）负的泊松比;（5）低的...
- 高鹏徐军王德和邓新绿董闯
- 关键词：非平衡磁控溅射
- 文献传递
- 类金刚石磁盘保护膜的性能、应用与制备被引量：9
- 2005年
- 类金刚石膜在磁盘和读写磁头之上形成一层关键的保护膜。磁存储密度的飞速发展可以使存储密度上限达到 1万亿字节 /英寸2 。这要求读写磁头距离磁盘更近 ,即需要一层仅 1nm～ 2nm厚的类金刚石薄膜。四面体结构的非晶碳膜能够满足磁存储技术的要求 ,即形成原子尺度平滑、连续、致密 ,只有几个原子层厚的碳膜。磁过滤阴极弧方法、等离子体增强化学气相沉积方法可用来制备符合要求的超薄碳膜。
- 丁万昱高鹏邓新绿董闯徐军
- 关键词：非晶碳膜类金刚石膜类金刚石薄膜磁存储等离子体增强化学气相沉积
- 微波ECR等离子体增强磁控溅射制备SiNx薄膜及其性能分析被引量：12
- 2006年
- 利用微波ECR磁控反应溅射法在室温下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶红外光谱、X射线电子谱、膜厚仪、纳米硬度仪、原子力显微镜等分析手段,分析了N2流量、Si靶溅射功率等实验参数对SiNx薄膜结构、化学配比以及机械性质的影响.结果表明,SiNx薄膜中Si-N结构、化学配比及机械性质与等离子体中的Si元素含量关系密切,随着N2流量的增加或者Si靶溅射功率的降低,等离子体中的Si元素含量降低,SiNx薄膜结构、化学配比及硬度发生变化,红外光谱发生偏移,硬度下降,沉积速率降低.
- 丁万昱徐军李艳琴朴勇高鹏邓新绿董闯
- 关键词：SINX磁控溅射
- 碳含量对碳氮化硅薄膜化学结构和力学性能的影响被引量：4
- 2006年
- 利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅(SiCN)薄膜。研究结果表明,碳含量对薄膜化学结构、力学性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)表征显示,随着碳靶溅射偏压由-450 V提高到-650 V,薄膜中碳含量由19.0%增加到27.1%,sp3C-N键含量增多,薄膜生长速率由3.83 nm/min提高到5.83 nm/min,硬度在-600 V时达到最大值25.36 GPa。上述结果表明,提高碳靶溅射偏压,可以提高薄膜含碳量,得到性能较好的SiCN薄膜。
- 朴勇徐军高鹏丁万昱陆文琪马腾才
- 关键词：SICN化学结构力学性能
- 基体负偏压对SiCN薄膜结构和性能的影响
- Si3N4是一种介电材料,SiC是一种半导体材料,两者的结合将可能是一种具有宽的带隙光学和电学性质的超硬材料。本文采用微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术制备SiCN薄膜,并对薄膜的化学结构、力学性能进行了表征。研...
- 高鹏徐军朴勇丁万昱王德和董闯
- 关键词：非平衡磁控溅射
- 文献传递
- 基体负偏压对SiCN薄膜结构和性能的影响
- Si3N4是一种介电材料,SiC是一种半导体材料,两者的结合将可能是一种具有宽的带隙光学和电学性质的超硬材料.本文采用微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术制备SiCN薄膜,并对薄膜的化学结构、力学性能进行了表征.研...
- 高鹏徐军朴勇丁万昱王德和董闯
- 关键词：非平衡磁控溅射介电材料
- 文献传递
- 超薄SiNx薄膜腐蚀及摩擦磨损性能研究
- 本试验利用微波ECR等离子体增强非平衡反应磁控溅射方法制备出不同厚度的超薄SiNx薄膜,并利用傅立叶变换红外光谱方法对所制备薄膜的结构进行了表征。利用纳米压痕仪、轮廓仪、摩擦磨损仪、扫描电子显微镜等设备对所制备薄膜的性能...
- 丁万昱徐军高鹏陆文琪邓新绿董闯
- 关键词：磁控溅射抗腐蚀抗磨损
- 文献传递
- 碳含量及化学结构对SiCN薄膜结构和性能的影响
- 利用微波—ECR等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了Si—C—N薄膜。分别以高纯石墨和单晶硅为溅射靶,以高纯氮气和氩气为工作气体,研究了碳靶溅射偏压变化对薄膜结构以及其光学性能的影响。随着碳靶溅射偏压由450V增加到650...
- 朴勇高鹏徐军丁万昱邓新绿董闯
- 关键词：SICN化学结构光学带隙
- 文献传递
- 超薄SiNx薄膜腐蚀及摩擦磨损性能研究
- 本试验利用微波ECR等离子体增强非平衡反应磁控溅射方法制备出不同厚度的超薄SiNx薄膜,并利用傅立叶变换红外光谱方法对所制备薄膜的结构进行了表征.利用纳米压痕仪、轮廓仪、摩擦磨损仪、扫描电子显微镜等设备对所制各薄膜的性能...
- 丁万昱徐军高鹏陆文琪邓新绿董闯
- 关键词：磁控溅射摩擦磨损性能红外光谱
- 文献传递
