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文献类型

  • 4篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 2篇碳化硅
  • 2篇硼掺杂
  • 2篇均匀性
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇SIC
  • 2篇掺杂
  • 1篇性能分析
  • 1篇性能研究
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇站立
  • 1篇阵列
  • 1篇无损检测
  • 1篇拉曼
  • 1篇6H-SIC

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇陈莲莲
  • 6篇陈小龙
  • 6篇贾玉萍
  • 6篇郭丽伟
  • 5篇芦伟
  • 4篇林菁菁
  • 2篇王文军
  • 2篇郭钰
  • 2篇李治林
  • 2篇王刚
  • 1篇黄郊
  • 1篇芦苇

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
站立石墨烯阵列的可控制备
石墨烯,零带隙的二维半导体材料,具有优异的电学和光学性质,包括高迁移率(大于15000cm2V-1)、弹道输运以及室温量子霍尔效应等[1,2]。这些优异性质引起了人们在理论和实验上的广泛关注。站立石墨烯,顾名思义,就是竖...
陈莲莲林菁菁芦伟贾玉萍郭丽伟陈小龙
文献传递
一种硼掺杂石墨烯的制备方法
本发明提供一种硼掺杂石墨烯的制备方法,利用碳化硅高温热分解法制备石墨烯,其中所述碳化硅中掺杂有硼。本发明提供的制备方法简单、安全、可控,所制备的石墨烯结构完整性高,硼掺杂均匀性好。
陈小龙郭丽伟李治林芦伟贾玉萍陈莲莲郭钰王刚王文军
文献传递
一种硼掺杂石墨烯的制备方法
本发明提供一种硼掺杂石墨烯的制备方法,利用碳化硅高温热分解法制备石墨烯,其中所述碳化硅中掺杂有硼。本发明提供的制备方法简单、安全、可控,所制备的石墨烯结构完整性高,硼掺杂均匀性好。
陈小龙郭丽伟李治林芦伟贾玉萍陈莲莲郭钰王刚王文军
文献传递
SiC(0001)上外延石墨烯的拉曼G峰劈裂
通过碳化硅外延法制备的石墨烯与现代微电子工艺具有良好的兼容性,这使得其成为微电子器件领域有希望部分替代硅的一种新型材料。当单层石墨烯由于其晶胞中的a、b两个碳原子是完全等价的,因此导致其价带和导带在K点重叠,所以其带隙为...
贾玉萍郭丽伟林菁菁陈莲莲芦伟陈小龙
关键词:半导体材料无损检测
文献传递
6H-SiC(11-20)外延多层石墨烯性能研究
石墨烯是一种二维零带隙半导体材料:一方面其具有丰富的物理内涵,如费米能级附近载流子呈现为无质量狄拉克费米子,奇异的量子霍尔效应,弹道输运,手性隧穿等[1];另一方面其拥有巨大的潜在应用价值,如超高的载流子迁移率[2]使其...
黄郊郭丽伟林菁菁贾玉萍芦苇陈莲莲陈小龙
关键词:半导体材料性能分析原子力显微镜
文献传递
SiC(000-1)面上外延石墨烯的特征
石墨烯作为新型二维半导体材料,以其高对称线性电子结构及由此产生的诸如高迁移率(>10000cm2V-1)、室温量子霍尔效应、弹道输运等新奇的电学性质,在近年吸引了大量研究关注,是未来纳米电路材料最有力的竞争者。当前制备石...
芦伟贾玉萍林菁菁陈莲莲郭丽伟陈小龙
文献传递
共1页<1>
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