陈勇波
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种新型的悬置微带线宽带滤波器
- 本文提出了一种新型的悬置微带线正反面耦合的宽带带通滤波器结构,该滤波器与传统的悬置微带线端耦合带通滤波器相比,能极大地拓展通带带宽,并且减小体积。在一块厚度为0.127 mm的RT-Duroid 5880软基片上设计并制...
- 陈勇波徐锐敏马晓星
- 关键词：宽带带通滤波器悬置微带线
- 文献传递
- 毫米波GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性影响研究
- 建立了毫米波GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)数值物理模型,模型中包含了GaN HEMT器件所特有的表面态、界面态、极化、陷阱等效应.模型模拟出的 DC 与RF 结果与实验测试数据吻合良好.基于建立的物理模型研究了槽...
- 兰贵林徐跃杭陈勇波付文丽武鑫国云川
- 关键词：槽栅物理模型
- 文献传递
- GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究
- 本文基于FUKUI噪声模型分析了GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的高频噪声特性,结果表明GaN HEMT由于具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第二代半导体（GaAs等）器件相比具有更优越的噪声潜力。对近十...
- 陈勇波周建军徐跃杭国云川徐锐敏
- 文献传递
- 一种用三维场仿真软件模拟二极管的新方法
- 2010年
- 提出了一种利用三维场仿真软件AnsoftHFSS模拟二极管的新方法,解决了常用的仿真软件无法模拟利用场的正交性来构成平衡结的一类空间混合集成电路的问题。利用该方法,可在场仿真软件中直接进行该类型电路的整体设计和仿真,提高了设计的效率和准确性。利用AnsoftHFSS中的阻抗边界代替二极管,将阻抗边界的值设定为二极管的阻抗值,进行其匹配电路的仿真设计。制作了一款U波段鳍线单平衡混频器,在40~60GHz频率范围内,混频器射频端口回波损耗的测试结果与仿真结果吻合良好,验证了该方法的可行性。
- 陈勇波徐锐敏黄文国云川张勇
- 关键词：二极管仿真回波损耗
- 新型微波晶体管噪声机理与噪声模型研究
- 微波低噪声放大器（LNA）的性能在很大程度上决定了整个接收机的灵敏度和动态范围。而晶体管作为LNA的核心器件，对其噪声特性的研究，对提升整个接收系统的性能具有重要意义。随着半导体相关技术的不断发展，出现了许多新材料和新结...
- 陈勇波
- 关键词：高电子迁移率晶体管宽禁带半导体材料噪声系数功率谱密度
- U波段鳍线单平衡混频器的设计
- 本文介绍了两种U波段鳍线单平衡混频器的设计过程并给出了测试结果。混频器使用Alpha公司的肖特基势垒二极管DMK2790,整个电路制作在一块厚度为0.127 mm的RT-Duroid 5880软基片上。测试结果显示,第一...
- 陈勇波徐锐敏詹铭周
- 关键词：鳍线单平衡混频器变频损耗
- 文献传递
- GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究被引量：4
- 2011年
- 基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究进行了综述,并分析了GaN HEMT在低噪声应用领域目前存在的主要问题及其发展趋势。
- 陈勇波周建军徐跃杭国云川徐锐敏
- 关键词：低噪声放大器
