郑代顺
- 作品数：22 被引量：259H指数：7
- 供职机构：清华大学深圳研究生院半导体照明实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金深圳市科技计划项目国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- Fe-Ta-N纳米软磁薄膜的结构和磁性被引量：4
- 1999年
- 用磁控溅射法在Ａｒ＋Ｎ２混合气氛中制备了性能优异的具有纳米结构的Ｆｅ－Ｔａ－Ｎ软磁薄膜。氮原子以间隙原子的形式进入纳米形态的α－Ｆｅ的晶格中，并引起了相应的晶格形变。随氮分压（ｐＮ２）的提高，α－Ｆｅ晶粒的尺寸迅速减小，在交换耦合作用下，表现出优异的软磁性能，氮分压较高时（ｐＮ２７％），Ｔａ原子和Ｎ原子将形成Ｔａ３Ｎ５化合物相，导致薄膜软磁性能的相应降低。
- 马斌魏福林郑代顺杨正余晋岳
- 关键词：软磁薄膜纳米晶粒
- 蓝色有机发光材料LiBq_4的合成及其发光特性被引量：1
- 2006年
- 蓝色有机发光材料的开发对于实现有机发光二极管(OLED)的全彩色化具有十分重要的意义。报道了蓝色有机发光材料8-羟基喹啉硼化锂(L iBq4)的合成及提纯,研究了L iBq4的光致发光特性,并用L iBq4作为发光材料制备了蓝色有机发光器件,研究了电子传输层A lq3的厚度及空穴缓冲层CuPc对器件电流-电压和亮度-电压特性的影响。结果表明,L iBq4的光致发光峰值波长为452 nm,器件ITO/PVK∶TPD/L iBq4/A lq3/A l的电致发光光谱峰值波长位于475 nm处,在25 V工作电压下其最高亮度约为430 cd/m2。但CuPc的加入加剧了器件中载流子的不平衡注入,导致器件性能恶化。通过调整A lq3的厚度,同时在A lq3和A l阴极之间加入L iF薄膜以提高电子注入效率,获得了较为理想的实验结果。
- 郑代顺钱可元张福甲
- 关键词：OLED发光特性
- 聚乙烯咔唑 /铟锡氧化物的界面分析(英文)被引量：1
- 2003年
- 用原子力显微镜 (AFM)和X射线光电子能谱 (XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑 (PVK)薄膜的表面形貌和PVK/铟锡氧化物 (ITO)界面电子状态。结果表明 ,PVK分子虽然体积较大 ,但分布较均匀。XPS数据显示 ,在界面处PVK分子骨架和SnO2 分子结构几乎没有发生变化 ,但PVK分子的侧基和In2 O3 分子结构发生了变化 ,因为界面处存在大量的 ,不能用制备过程的空气污染来解释的C O键 ;在界面处 ,In2 O3 分子部分分解 ,所产生O原子替代PVK侧基上的H原子而形成C O键 ;所产生的In原子则扩散至PVK内部。
- 彭应全郑代顺张旭
- 关键词：聚乙烯咔唑铟锡氧化物X射线光电子能谱原子力显微镜PVKITO
- CuPc/ITO结构的表面和界面电子态的XPS研究被引量：6
- 2004年
- 覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的注入效率。对CuPc ITO样品的XPS表面分析表明 ,在CuPc分子中 ,铜原子显 +2价 ,通过配位键和氮原子相互作用。CuPc分子中有两类碳原子 :8个C原子与 2个N原子成键 ;其余 2 4个C原子具有芳香烃性质。N原子也处在两种化学环境中 :有 4个N原子只与 2个C原子形成CNC键 ;另外 4个N原子不仅与 2个C原子成键 ,还通过配位键与Cu原子成键。用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀 ,当溅射时间分别为 2 ,5 ,10min时进行XPS采谱分析 ,结果表明 ,随着氩离子束溅射时间增长 ,C 1s,N 1s峰变弱 ,Cu 2p ,O 1s,In 3d,Sn 3d峰增强 ,C 1s,N 1s,O 1s,In 3d和Sn 3d峰都向高束缚能或低束缚能方向移动 ,但它们的情况却不相同。
- 郜朝阳张旭郑代顺何锡源张福甲
- 关键词：XPS导电玻璃有机发光器件空穴电极
- 射频溅射FeTaN纳米晶软磁薄膜结构和磁性被引量：5
- 2002年
- 用射频反应溅射制备了FeTaN纳米晶软磁薄膜 .研究了薄膜结构和磁性与制备条件的依赖关系 .研究发现 ,当Ta的含量较高时 ,在N2 +Ar混合气氛中易形成沉积态薄膜的非晶结构 .适当的热处理后 ,α Fe纳米晶从中晶化生成 .
- 郑代顺谢天白建民魏福林杨正
- 关键词：纳米晶非晶态射频溅射磁性FETAN
- Alq_3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究被引量：5
- 2001年
- 用传统的真空蒸镀法制备了Ａｌｑ３／ＩＴＯ样品，并用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）研究了Ａｌｑ３／ＩＴＯ紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Ａｌｑ３／ＩＴＯ样品的表面分析表明，在ｌｑ３分子中，Ａｌ原子的束缚能（Ｅｂ）为７０．７ｅＶ和７５．１ｅＶ。分别对应于Ａｌ（０）和Ａｌ（Ⅲ）态，Ｃ原子的束缚能为２８５．８ｅＶ、２８６．３ｅＶ和２８６．８ｅＶ，分别对应于Ｃ－Ｃ、Ｃ－Ｏ和Ｃ－Ｎ键；Ｎ原子的主峰位于 ４０１．０ｅＶ，对应于 Ｃ－Ｎ＝Ｃ键；而 Ｏ原子主要与 Ｈ原子成键，其束缚能为５３２．８ｅＶ。为了研究Ａｌｑ３／ＩＴＯ的界面电子状态，我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀，当溅射时间分别为３０，３５，４５分钟时进行ＸＰＳ采谱分析。结果表明，随着氩离子束溅射时间增长，Ａｌ２ｐ、Ｃ１ｓ、Ｎ１ｓ、Ｏ１ｓ、Ｉｎ３ｄ５／２和Ｓｎ３ｄ５／２峰都向低束缚能方向有微小移动，且Ａｌ２ｐ、Ｃ１ｓ和Ｎ１ｓ峰变弱，这是受ＩＴＯ中扩散进入Ａｌｑ３层的Ｏ、Ｉｎ和Ｓｎ原子的影响所致。
- 郑代顺李海蓉王延勇张福甲
- 关键词：XPS电致发光器件8-羟基喹啉铝
- ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的表面和界面特性研究被引量：3
- 2006年
- 界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响。有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件,并采用X射线光电子能谱(XPS)和Ar+溅射技术对其表面和界面电子态进行了研究。结果表明,在ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的界面,不仅ITO与PTCDA薄膜之间存在扩散,PTCDA与Si衬底材料之间也存在扩散现象。此外,每种原子的XPS谱表现出一定的化学位移,并以C1s和O1s谱的化学位移最为显著。
- 郑代顺张旭钱可元
- 关键词：化学位移
- 有机电致发光器件薄层掺杂对复合区位置的影响
- 2001年
- 以陷阱电荷限制传导模型为基础,研究了单层有机电致发光器件(OLED)的薄层掺杂对其复合区的影响。在掺杂区显著增加的陷阱电荷,它能引起有机层内全部陷阱电荷的重新分布,会导致复合区位置向掺杂层方向移动。同时本文对于实验数据进行了必要的理论计算及分析,得出了陷阱电荷限制模式下OLED薄层掺杂效应的定性数值结果。
- 彭应全郑代顺张旭
- 关键词：有机电致发光器件
- GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析被引量：62
- 2006年
- 与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊LED芯片散热能力的主要因素;而对于正装LED芯片,由于工艺简单,减少了中间热沉,通过结构的优化,工艺的改进,完全可以达到与倒装焊LED芯片相同的散热能力。
- 钱可元郑代顺罗毅
- 关键词：功率型LED散热性能热阻
- 磁记录用Fe-Al-N薄膜的结构和磁性能研究
- 在该论文实验工作中,研究人员采用射频磁控溅射法,以两种方式成功地制备了Fe-Al-N纳米晶薄膜:一种方式是在溅射过程中固定基板架,使溅射所得薄膜即为结晶态;另一 种方式是在溅射过程中让基板架以合适的速度旋转,这样溅射所得...
- 郑代顺
- 关键词：射频磁控溅射法
- 文献传递
