2024年12月31日
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赵金石
作品数:
43
被引量:5
H指数:1
供职机构:
天津理工大学
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发文基金:
天津市高等学校科技发展基金计划项目
国家自然科学基金
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相关领域:
自动化与计算机技术
一般工业技术
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
张楷亮
天津理工大学电子信息工程学院天...
王芳
天津理工大学电子信息工程学院天...
杨正春
天津理工大学
冯玉林
天津理工大学
孙阔
天津理工大学
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自动化与计算...
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机构
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天津理工大学
作者
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赵金石
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张楷亮
19篇
王芳
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杨正春
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孙阔
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冯玉林
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2015
4篇
2014
9篇
2013
1篇
2012
5篇
2011
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基于氧化镓薄膜的阻变存储器及其制备方法
本发明公开基于氧化镓薄膜的阻变存储器及其制备方法,由下电极、阻变层和上电极构成,阻变层为Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜,本发明创新性地使用Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>...
弭伟
杨正春
吴健文
陈煜婷
李沛君
赵金石
张楷亮
文献传递
一种利用碳纳米管作为固态电解液的阻变存储器
一种利用碳纳米管作为固态电解液的阻变存储器,包括下电极、上电极、绝缘介质和碳纳米管,绝缘介质位于下电极和上电极之间并形成限制结构,在限制结构内生长碳纳米管,碳纳米管为单壁碳纳米管或多壁碳纳米管,绝缘薄膜的材料为二氧化硅。...
赵金石
张楷亮
文献传递
一种基于氧化铪/氧化钛叠层结构的低功耗阻变存储器
一种基于氧化铪/氧化钛叠层结构的低功耗阻变存储器,由上电极Ni、阻变层氧化铪/氧化钛叠层和下电极TiN构成,氧化铪的成分为HfO<Sub>x</Sub>,其中1<x<2,氧化铪介质层的厚度为5-100nm;氧...
张楷亮
张宏智
王芳
鉴肖川
赵金石
程文可
一种基于离子掺杂的高分子电解质的神经突触仿生器件
本发明公开了一种基于离子掺杂的高分子电解质的神经突触仿生器件。所述仿生器件使用带负电荷的高分子电解质作为功能层,并通过掺杂正电荷的金属离子实现阻变性能。该仿生器件包括:下电极层、制备在下电极层上的基于离子掺杂且主链具有负...
蔡岗日
赵金石
史竟舟
康少辉
冯将
一种基于MnZn共掺杂BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜的阻变存储器及其制备方法
本发明公开一种基于MnZn共掺杂BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜的阻变存储器及其制备方法,由下电极、阻变层和上电极构成,阻变层为由Mn/Zn共掺杂的BiFeO<Sub>3</Sub>钙钛矿薄膜层构成,Mn/Zn共掺...
杨正春
李珍
臧传来
吴家刚
周宝增
赵金石
张楷亮
文献传递
一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器,包括底电极、顶电极和电阻转变层,电阻转变层为掺杂氧化钒薄膜,掺杂氧化钒薄膜位于底电极和顶电极之间,掺杂氧化钒薄膜包括第一层氧化钒薄膜、掺杂金属薄膜和第二层氧化钒薄膜,掺杂金属薄膜设置于...
张楷亮
韦晓莹
王麒
赵金石
文献传递
一种基于碳纳米管-纳米铜粉的环保型导电浆料
一种基于碳纳米管-纳米铜粉的环保型导电浆料,由经表面处理的纳米铜颗粒、经碳纳米管分散液处理的碳纳米管、添加剂和有机溶剂组成,所述经表面处理的纳米铜颗粒表面带负电荷且平均粒径为50-150nm,各组分的质量百分比为:经表面...
张楷亮
冯玉林
王芳
兰馗博
赵金石
文献传递
一种基于BiFeO<Sub>3</Sub>的阻变存储器及其制备方法
本发明公开一种基于BiFeO<Sub>3</Sub>的阻变存储器及其制备方法,由下电极、阻变层和上电极构成,阻变层为基于空位型掺杂的BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜和基于电子型掺杂的BiFeO<Sub>3</Sub...
杨正春
李珍
吴家刚
臧传来
周宝增
李向远
赵金石
张楷亮
文献传递
一种多阻态阻变存储器
一种多阻态阻变存储器,以Ti/Si为基底,由惰性金属底电极层、电阻转变层和活泼金属顶电极层依次叠加组成的基于金属氧化物材料的MIM类三明治结构;给活泼金属顶电极层施加正向电压,在电场作用下电阻转变层内部形成树突状导电丝以...
赵金石
邵兴隆
马辰铭
周立伟
陈长军
文献传递
一种自发生长金属纳米晶颗粒的P/N型叠层阻变存储器
一种自发生长金属纳米晶颗粒的P/N型叠层阻变存储器,由下电极、诱导层I、诱导层II和上电极依次叠层构成,下电极为在正向电场作用下易于被氧化为金属离子的金属,诱导层I为N型氧化物,诱导层II为P型氧化物,上电极为在电场作用...
赵金石
邵兴隆
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