针对航空发动机关键构件高温测试的技术难题,研究了1种用晶体作为传感器的测温技术,阐述了晶体的退火特性和缺陷观察方法,利用X射线衍射(XRD)研究中子辐照SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)增大,又随退火温度的升高,在700～1230℃呈线性规律的回复。基于此发展了1种适合测量高温和复杂温度场的技术方法。采用添加K2CO3的KOH为腐蚀剂,对辐照前、后以及辐照后退火的SiC单晶进行位错腐蚀观察,结果表明:经中子辐照的晶体中位错面积比随退火温度的变化趋势与FWHM的变化趋势基本一致,由此认为经中子辐照所产生的位错可能是导致XRD峰的FWHM变化的1个重要因素。
