赵维
- 作品数：16 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术经济管理更多>>
- 氮化物半导体纳米薄膜结构增强场发射及其机理研究
- 场发射阴极是真空微电子器件的核心技术，其在显示技术及微波功率放大器等方面具有广泛的应用前景。薄膜型场发射阴极具有工艺简单、寿命长及易于集成等优点，然而相对较高的阈值电场与较低的电流密度限制了其实际应用。本论文旨在从理论与...
- 赵维
- 关键词：场发射氮化物极化特性半导体
- 氢等离子体处理对非晶氮化铝薄膜场发射性能的影响
- 用氢等离子体(H Plasma)对非晶氮化铝(a-AlN)薄膜进行处理并研究了其场发射性能。实验表明:等离子体处理后薄膜表面粗糙度增大,但是场发射性能降低。当电场强度为70V/μm时,场发射电流密度从70.7μA/cm降...
- 王峰瀛王如志赵维宋雪梅王波严辉
- 关键词：场发射氮化铝
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- 拉卡拉公司第三方支付业务差异化竞争策略研究
- 第三方支付企业市场竞争日益激烈，在多元化发展及基于支付的业务创新的驱使下，第三方支付业务逐渐呈现出无序化、同质化状态，拉卡拉公司在线下支付的领先地位面临严峻挑战，亟待调整竞争策略。 本论文就拉卡拉公司第三方支付业业务差...
- 赵维
- 关键词：差异化策略
- 具有增强电子发射性能的薄膜场发射阴极及其制备方法
- 本发明公开了具有增强电子发射性能的薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极领域。本发明采用激光脉冲沉积系统，在保护气体下，依次在导电衬底上沉积一层具有表面突起形貌的半导体传导缓冲层，然后在半导体传导缓冲层上沉积一层半导...
- 王如志赵维汪浩严辉王波宋雪梅朱满康侯育冬张铭
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- 一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法
- 本发明公开了一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法，属于场发射阴极领域。包括如下步骤：选择Si作为衬底，GaN靶作为靶材；将衬底和靶材放入激光脉冲沉积系统，调整靶基距为50-90mm，抽真空使背底真空为1×10<...
- 王如志赵维汪浩严辉王波宋雪梅朱满康侯育冬张铭刘晶冰
- 一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法
- 本发明公开了一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法，属于场发射阴极领域。包括如下步骤：选择Si作为衬底，GaN靶作为靶材；将衬底和靶材放入激光脉冲沉积系统，调整靶基距为50-90mm，抽真空使背底真空为1×10<...
- 王如志赵维汪浩严辉王波宋雪梅朱满康侯育冬张铭刘晶冰
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- 具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法
- 具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极技术领域，该阴极材料为GaN和AlN的混合物，同时具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构；组分为：Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x<...
- 王如志宋志伟赵维严辉王波张铭宋雪梅朱满康侯育冬刘晶冰汪浩
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- 一种具有低阈值电场的硅基场发射阴极材料及其制备方法
- 本发明提供了一种具有低阈值电场的硅基场发射阴极材料及其制备方法。该场发射阴极材料可为GaN、AlN、BN、ZnO、ZnS，并且具有如下特征：直接带隙半导体且带隙宽度应介于3eV至7eV，能形成六方纤锌矿结构，且材料沿六方...
- 王如志赵维汪浩严辉王波宋雪梅朱满康侯育冬张铭
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- 反应溅射法制备氮化铝薄膜及工作气压对其场发射性能的影响
- 2010年
- 采用反应磁控溅射法在不同工作气压(0.5～2.0Pa)下沉积了一系列氮化铝(AlN)薄膜。研究发现,在保持其他工艺参数不变的条件下,工作气压对薄膜厚度的影响很小。场发射性能测试表明,在较低的工作气压(0.5Pa和0.7Pa)下制备的AlN薄膜具有一定的场发射性能。扫描电子显微镜(SEM)图像显示,在较高的工作气压(2.0Pa)下制备的薄膜易产生空位及微空洞等缺陷,使薄膜致密性下降。电子在薄膜中的输运因受到缺陷的散射而不能隧穿表面势垒进行发射。研究表明,为获得具有良好场发射性能的AlN薄膜,若采用反应磁控溅射法,应选取较低的工作气压;同时,对于薄膜型阴极,具有紧密晶粒结构及较小缺陷的薄膜可能具有更优异的场发射性能。
- 李松玲王如志赵维王波严辉
- 关键词：氮化铝薄膜场发射工作气压
- 脉冲激光沉积氮化铝薄膜及沉积参数对其场发射性能的影响
- 采用脉冲激光沉积(PLD)在不同靶基距或衬底温度下制备了两个系列氮化铝(AlN)薄膜。其场发射性能测试显示,两个系列的AlN薄膜场发射性能随着靶基距的增大或衬底温度的升高都是先提高后降低。靶基距为5.5cm和衬底温度为8...
- 李松玲王如志赵维宋志伟王波严辉
- 关键词：氮化铝薄膜脉冲激光沉积场发射衬底温度
- 文献传递
