赵智彪
- 作品数：17 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究
- 1999年
- 用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ．３ ×１０８ｃｍ －２ 。用Ｓｉ 作为掺杂剂，所得载流子浓度可覆盖１０１７ － １０１９ｃｍ －３ 的范围。掺Ｓｉ ＧａＮ 的ＰＬ谱表明，Ｓｉ 的引入可提高材料的发光效率。
- 李伟赵智彪郑燕兰李存才杨全魁胡建齐鸣李爱珍
- 关键词：PL谱氧化镓
- GaN光电导型紫外光电探测器
- 张永刚李爱珍齐鸣李伟赵智彪
- 关键词：GAN光电探测器
- GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究
- 该文研究了GaN和AlGaN/GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其特性,并对相关器件工艺中的若干重要问题如刻蚀、欧姆接触等,进行了初步探索.在前人工作的基础上,进一步优化了GaN材料的生长工艺,并深入研究了材料生长...
- 赵智彪
- 关键词：GANALGAN/GAN射频等离子体分子束外延生长欧姆接触
- 文献传递
- 一种外延生长用蓝宝石衬底的镓原子清洗的方法
- 本发明涉及一种外延生长用蓝宝石衬底镓原子清洗的方法，属于晶体外延生长领域，所述的方法是：(1)将湿法清洗过的蓝宝石衬底传送入MBE生长室内的样品架上，经高温～900℃热退火之后将衬底温度降低至600℃～850℃范围。反射...
- 李爱珍齐鸣赵智彪李伟
- 文献传递
- GaN基材料的RF等离子体MBE生长与特性
- 齐鸣李爱珍李伟赵智彪张永刚陈建新
- 关键词：GAN基材料MBE生长
- 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
- 本发明涉及射频等离子体分子束外延生长GaN的双缓冲层工艺，属于晶体外延生长领域。其特征在于：(1)经Ga原子清洗及氮化处理的蓝宝石衬底温度降低至450℃～550℃范围；(2)开启Ga束源炉快门，进行较低温度的缓冲层结晶成...
- 齐鸣李爱珍赵智彪
- 文献传递
- 缓冲层对氮化镓二维生长的影响被引量：5
- 2002年
- 报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN)。通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核、准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。
- 赵智彪齐鸣朱福英李爱珍
- 关键词：氮化镓原子力显微镜X射线衍射分析缓冲层
- 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
- 本发明涉及一种异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度的测定方法，特征在于用光辅助湿法刻蚀结合原子力显微镜对刻蚀的表面位错腐蚀坑密度统计，测出GaN外延层的位错密度；其具体测定步骤是：(1)先按照异丙醇、丙酮、乙醇的顺序对Ga...
- 齐鸣李爱珍赵智彪
- 文献传递
- 氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算
- 2002年
- 发展了一种显示与估算氮化镓 (Ga N)位错密度的光辅助湿法刻蚀与原子力显微镜相结合的方法。所用 Ga N采用射频等离子体辅助的分子束外延技术 (RF-plasma MBE)生长 ,腐蚀液为 KOH水溶液。结果发现 ,使用 5 .0 M的 KOH溶液刻蚀 5分钟的 Ga N,其 AFM图谱上出现了非常明显的“小坑”,且“小坑密度”的量级与Ga N样品的位错密度量级相当。采用 X-ray衍射的二维三轴图谱 (TDTAM)研究 Ga N的马塞克柱状生长与缺陷 ,并延用文献报道的方法估算其位错密度 ,所得位错密度的结果与“小坑密度”一致。验证了“小坑”即为被刻蚀了的 Ga N位错。这样 ,对 RF-plasma MBE生长的 Ga N样品的位错密度估算 。
- 赵智彪李伟祝向荣齐鸣李爱珍
- 关键词：氮化镓湿法刻蚀位错密度分子束外延原子力显微镜X射线衍射分析
- 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
- 本发明涉及射频等离子体分子束外延生长GaN的双缓冲层工艺，属于晶体外延生长领域。其特征在于：(1)经Ga原子清洗及氮化处理的蓝宝石衬底温度降低至450℃～550℃范围；(2)开启Ga束源炉快门，进行较低温度的缓冲层结晶成...
- 齐鸣李爱珍赵智彪
- 文献传递
