赵传阵
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省创新学者攀登项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究被引量：3
- 2010年
- 利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟得到了优化的生长参数.模拟的结果还表明重力方向与GaCl气体出口方向的夹角的大小,对GaN沉积的速率和均匀性影响很大.重力方向与GaCl气体出口方向相反时得到的计算结果与两者方向相同时得到的计算结果比较,尽管GaN沉积速率有所下降,但是沉积均匀性却得到了极大的改善.此外还讨论了浮力效应对GaN沉积的影响.
- 赵传阵修向前张荣谢自力刘斌刘占辉颜怀跃郑有炓
- 关键词：GAN氢化物气相外延流体动力学
- Si/_（1-x）Ge/_x材料参数计算
- 本文在前人研究的基础上，利用解析方法研究了应变Si/_/(1-x/)Ge/_x层中本征载流子浓度、少数载流子浓度、p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。计算了在基区掺杂为高斯分布、Ge组分分布为三角形分...
- 赵传阵
- 关键词：锗硅合金内建电场
- 文献传递
- 应变SiGe层中本征载流子浓度的计算被引量：2
- 2007年
- 采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下,本征载流子浓度随Ge组分的增加而变大,并且本征载流子浓度增加的速度越来越快。在一定Ge组分下,本征载流子浓度随掺杂浓度的增加而变大。随着掺杂浓度的增加,本征载流子浓度的增长速度变得越来越缓慢。
- 赵传阵唐吉玉文于华吴靓臻孔蕴婷
- 关键词：锗硅合金
- Ⅲ族氮化物及稀氮化物性质研究
- Ⅲ族氮化物(Ⅲ-Nitrides)半导体材料和稀氮半导体材料均是当今半导体研究的热点。Ⅲ族氮化物材料由AlN、GaN、InN以及它们的三元或者四元合金化合物组成。AlN、GaN、InN均为直接带隙材料，带隙分别为0.7e...
- 赵传阵
- 关键词：热动力学半导体材料
- 立式HVPE反应器生长GaN模拟研究
- 利用有限元法对新设计的HVPE系统工艺参数进行了优化,发现衬底与气体入口距离为5厘米时,沉积的均匀性较好。在此基础上,模拟得到了优化的生长参数。模拟的结果还表明重力和浮力对GaN沉积均有影响。
- 赵传阵张荣修向前谢自立刘斌刘占辉颜怀跃郑有炓
- 关键词：氮化镓气相外延流体动力学有限元法
- 文献传递
- 退火后无应变Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs量子阱的带隙被引量：2
- 2008年
- 针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs1-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对退火后的Ga1-xInxNyAs1-y体材料带隙进行了计算.最后,利用讨论BAC模型中电子波函数边界条件的方法,计算了无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙.
- 文于华唐吉玉赵传阵吴靓臻孔蕴婷汤莉莉刘超吴利锋李顺方陈俊芳
- 关键词：带隙退火
- p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x基区内建电场的物理机制被引量：1
- 2007年
- 采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变化、价带有效态密度变化以及禁带宽度变窄量变化对基区内建电场的影响要大于掺杂对内建电场的影响.Ge组分为三角形分布时,在总的Ge组分一定的条件下,内建电场从发射结到集电结逐渐变大.在任一给定位置x处,内建电场随着Ge组分的增加而增大.当Ge组分分布为矩形三角形分布时,对于给定的Ge组分转折点x1,基区内建电场从发射结到集电结缓慢地增大.在Ge组分恒定的区域,内建电场变化甚微,在Ge组分为线性缓变区域的同一位置x处,内建电场随Ge组分转折点x1的增大而缓慢地增大.此外,在x1附近内建电场变化有一个很大的陡坡.
- 赵传阵唐吉玉文于华吴靓臻孔蕴婷
- 关键词：硅锗合金内建电场高斯分布
- p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x层中少子常温和低温行为
- 2008年
- 采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。发现常温时,在同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增加而增大,其增加的速度越来越快;在同一Ge组分下,少子浓度随掺杂浓度的增加而减少,其减少的速度越来越慢。低温下,在考虑杂质不完全电离的同时,对由非简并情形向简并情形过渡的杂质电离出来的空穴浓度进行了修正,发现在同一Ge组分下,少子浓度随掺杂浓度的增加而增大,其增加的速度变得越来越快。同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增加而增大,其增加的速度,轻掺杂时增加的较慢,重掺杂时增加得越来越快。
- 赵传阵唐吉玉肖海霞文于华吴靓臻孔蕴婷
- 关键词：硅锗合金
