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袁育杰

作品数:63 被引量:93H指数:6
供职机构:天津理工大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金天津市科技发展战略研究计划项目更多>>
相关领域:电气工程电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 26篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 4篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 16篇电气工程
  • 14篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 16篇电池
  • 15篇光纤
  • 14篇太阳电池
  • 11篇微晶硅
  • 9篇单模
  • 9篇单模光纤
  • 8篇传感
  • 7篇感器
  • 7篇传感器
  • 6篇化学机械抛光
  • 6篇机械抛光
  • 6篇硅薄膜
  • 6篇衬底
  • 5篇纳米
  • 5篇光谱分析仪
  • 5篇I
  • 4篇单晶
  • 4篇单晶硅
  • 4篇折射率
  • 4篇柔性衬底

机构

  • 29篇天津理工大学
  • 21篇南开大学
  • 15篇河北工业大学
  • 3篇天津市光电子...
  • 2篇天津大学
  • 2篇光电信息技术...

作者

  • 63篇袁育杰
  • 28篇张楷亮
  • 19篇耿新华
  • 18篇赵颖
  • 17篇侯国付
  • 17篇苗银萍
  • 15篇蔺际超
  • 15篇薛俊明
  • 13篇刘波
  • 13篇林炜
  • 12篇张昊
  • 11篇刘玉岭
  • 11篇孙建
  • 10篇王芳
  • 9篇张建军
  • 6篇张德坤
  • 6篇吴继旋
  • 6篇韩晓艳
  • 5篇张晓丹
  • 5篇胡凯

传媒

  • 5篇物理学报
  • 3篇光电子.激光
  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇太阳能学报
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇Journa...
  • 1篇润滑与密封
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇清洗世界
  • 1篇中国科学(G...
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 10篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 11篇2008
  • 2篇2007
  • 8篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2003
63 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
微电子工艺中硅衬底的清洗技术被引量:7
2006年
通过研究硅片表面颗粒的吸附原理,提出了优先吸附模型,并提出改进SC-1的配方,不仅能去除颗粒,而且能有效去除有机物。介绍一些操作方法更加简单、去除更加彻底以及更加环保的清洗新技术。通过分析微电子技术的发展要求,指出今后硅片清洗工艺的发展趋势。
张远祥刘玉岭袁育杰
关键词:硅片表面活性剂臭氧
采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料被引量:10
2007年
本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果。重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响。通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗电导率依然达到1.81S/cm,激活能达25meV,晶化率为57%。文中还对高压RF-PECVD能够制备p型微晶硅材料的生长机理和高电导机理进行了分析。
侯国付薛俊明袁育杰张德坤孙建张建军赵颖耿新华
关键词:太阳电池
铜CMP中工艺参数对抛光速率的影响被引量:12
2006年
为了提高铜布线化学机械抛光效果,对其抛光工艺进行了研究。采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铜布线进行抛光,讨论了抛光压力、温度、氧化剂含量、 流量等对抛光速率的影响。结果表明。不降低表面质量,在抛光压力为0.15MPa时,抛光片的抛光效果和抛光速率达到最佳;在20—30℃时,能较好地平衡化学作用与机械作用;抛光液流量在200mL/min时,既节约了生产成本又能提高效率;当氧化剂体积分数在2%-3%时,抛光液既保持了较好的稳定性,又能保证氧化能力,从而提高抛光速率。
王胜利袁育杰刘玉岭
关键词:化学机械抛光抛光速率
一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液及应用
一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液,由氢氧化钠或氢氧化钾、十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)、硅酸钠、异丙醇和水混合组成,制绒液中十六烷基三甲基溴化铵的质量百分比浓度大于0.5%;该制绒液用于太阳电池单晶硅片的制绒,...
张楷亮徐娟袁育杰王芳吴小国
文献传递
钼掺杂降低TiO_2氧敏薄膜最佳工作温度研究被引量:3
2006年
用直流反应磁控溅射法在陶瓷基片上制备出TiO2薄膜。并进行1 100℃,2 h的退火处理。配置钼酸铵溶液,利用浸渍法处理TiO2薄膜若干时间。取出后,进行500℃,3 h退火处理。用气敏测试箱对制备出的TiO2薄膜的氧敏特性进行试验测试,发现对氧气有很好的敏感特性,比未经此项工艺处理的TiO2薄膜的最佳工作温度降低100℃,为300℃左右,并进行SEM测试,分析其表面结构,研究气敏机理。
程东升孙以材潘国锋袁育杰
关键词:TIO2薄膜钼酸铵氧敏特性
一种用于集成电路芯片的复合通孔互连结构及其制备方法
一种用于集成电路芯片的复合通孔互连结构,包括第一导电层、第二导电层、碳纳米管束和填充的导电金属,第一导电层和第二导电层之间设有垂直通孔,碳纳米管束位于垂直通孔内且与第一导电层垂直,导电金属为填充碳纳米管内的空隙和通孔内碳...
张楷亮胡凯林新元张勇袁育杰
基于Sagnac干涉仪的磁场测量装置
一种基于Sagnac干涉仪的磁场测量装置,包括光源、2×2光纤耦合器、磁场传感探头、光谱分析仪及单模光纤。所述的磁场传感探头的一端通过单模光纤与2×2光纤耦合器的一个端口相连,另一端通过单模光纤与2×2光纤耦合器同一侧的...
苗银萍蔺际超林炜张楷亮袁育杰张昊刘波
文献传递
铝薄膜CMP影响因素分析被引量:3
2006年
提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15~20nm,pH值为10.8~11.2,氧化剂浓度为2.5%~3%。
袁育杰刘玉岭张远祥程东升
关键词:化学机械抛光
一种基于MoS<Sub>2</Sub>的全固态电解质忆阻器及其制备方法
一种基于MoS<Sub>2</Sub>的全固态电解质忆阻器及其制备方法,属于电子制备工艺以及类脑计算领域,首先选用MoS<Sub>2</Sub>作为沟道材料,MoS<Sub>2</Sub>通过ALD和CVD相结合的方法来...
王芳梁安阁张楷亮张力方单欣林欣胡凯袁育杰
文献传递
一种具有扩展功能的太阳能光伏组件的接线装置
一种具有扩展功能的太阳能光伏组件的接线装置,包括盒体、盒盖、散热板、涓流充电电路板和旁路二极管,散热板固定于盒体内,涓流充电电路板上设有充电电路,旁路二极管并联于充电电路,接线装置通过旁路二极管与太阳能光伏组件连接,散热...
张楷亮徐娟王芳袁育杰
文献传递
共7页<1234567>
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