您的位置: 专家智库 > >

荆丽华

作品数:4 被引量:3H指数:1
供职机构:东南大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇钙钛矿
  • 2篇
  • 2篇
  • 2篇
  • 1篇电流-电压特...
  • 1篇电压特性
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇双钙钛矿
  • 1篇特性分析
  • 1篇微结构
  • 1篇巨磁阻
  • 1篇巨磁阻材料
  • 1篇分形
  • 1篇P-N结
  • 1篇SR
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇I-V

机构

  • 4篇东南大学

作者

  • 4篇荆丽华
  • 3篇朱明
  • 2篇何光旭
  • 1篇王立峰
  • 1篇张巍巍
  • 1篇李钢

传媒

  • 3篇化工时刊

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
巨磁阻材料的p-n(n-p)结及其特性分析
作为最基本的电子元件,传统硅基半导体p-n结已被广泛运用于各种各样的器件与集成电路中,对电子工业产生了不可估量的深刻影响。但当半导体器件尺寸进入纳米量级范围时,硅载流子浓度低(尤其是p-Si)的缺陷就带来了很多难题。然而...
荆丽华
关键词:P-N结
文献传递
La_(1-x)Sr_xMnO_3氧化物薄膜的外延生长与电性研究
2008年
用溶胶-凝胶法,在Si单晶片上定向外延生长单钙钛矿氧化物La1-xSrxMnO3(LSMO)(x 0.3、0.5、0.7)薄膜和异质结。X射线衍射结果表明LSMO薄膜成相较好,为多晶结构。I-V特性曲线表明不同掺杂浓度的LSMO/S i异质结都具有类似于传统p-n结的整流特性,C-V特性曲线表明掺杂浓度对LSMO/S i异质结电容有显著影响。
何光旭荆丽华朱明
关键词:I-V
双钙钛矿锶铁钼氧薄膜的制备和电学性质研究
2007年
本文通过溶胶-凝胶的方法在Si单晶片上制备了定向生长的双钙钛矿结构的巨磁电阻薄膜材料Sr2FeMnO6(SFMO)。X射线衍射结果表明,该SFMO薄膜在硅单晶片上成相情况较好,薄膜为多晶结构,晶格常数a=78.916 nm、b=75.995 nm、c=103.686 nm。电流-电压(I-V)特性曲线表明SFMO具有类似于p-n结的整流特性。SFMO独特的电学性质,有可能在某些应用领域中被用作为半导体的替代材料;同时由于SFMO的电输运行为与磁学行为的相互关联,使得SFMO在电子自旋器件的应用成为可能。
何光旭荆丽华李钢朱明
关键词:双钙钛矿电流-电压特性
Si基片上的镧钙锰氧巨磁阻薄膜材料的微结构分析被引量:3
2007年
采用溶胶-凝胶法在Si单晶上制备了定向生长的巨磁阻锰氧化物La0.8Ca0.2MnO3(LCMO)薄膜样品,并用X射线衍射(XRD)、偏光显微镜及原子力显微镜(AFM)对薄膜样品的微结构进行了分析。实验发现在某些特定的条件下LCMO薄膜形成网格结构的现象,并尝试根据分形理论用计算机程序对这种网格现象进行了形貌模拟。
荆丽华王立峰张巍巍朱明
关键词:微结构分形
共1页<1>
聚类工具0