您的位置： 专家智库 > >

范叶

作品数：18 被引量：3H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 14篇半导体
  • 13篇功率器件
  • 9篇半导体功率器...
  • 9篇半导体器件
  • 7篇功率半导体
  • 7篇功率半导体器...
  • 7篇SOI
  • 7篇槽栅
  • 5篇漂移
  • 4篇有源
  • 4篇半导体技术
  • 3篇刻蚀
  • 3篇击穿电压
  • 2篇导电类型
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷平衡
  • 2篇电极
  • 2篇电极制备
  • 2篇压降
  • 2篇湿法刻蚀

机构

  • 18篇电子科技大学

作者

  • 18篇范叶
  • 17篇罗小蓉
  • 16篇周坤
  • 15篇罗尹春
  • 15篇范远航
  • 15篇蔡金勇
  • 14篇王骁玮
  • 12篇张波
  • 10篇蒋永恒
  • 9篇王沛
  • 7篇王琦
  • 7篇魏杰
  • 5篇尹超
  • 5篇李肇基
  • 4篇张彦辉
  • 3篇王骁伟
  • 2篇徐青
  • 2篇姚国亮

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 6篇2013
  • 5篇2012
共 18 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种槽型半导体功率器件
本发明公开了一种槽型半导体功率器件，涉及槽型半导体功率器件技术领域，包括衬底层和有源层，所述有源层中形成有槽栅，槽栅纵向至少伸入到有源层中；在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽，阶梯型的介质槽宽度较大的那一端更接近衬...
罗小蓉王沛范叶蔡金勇王琦蒋永恒周坤王骁玮范远航魏杰罗尹春
文献传递
一种横向SOI功率器件
本发明公开了一种横向SOI功率器件，包括半导体衬底，绝缘介质层和半导体有源层，在半导体有源层表面具有体区和漏区，体区和漏区之间有间距，形成器件的漂移区，在体区表面依次形成体接触区和源区，在绝缘介质层上设置有硅窗口，体区的...
罗小蓉蒋永恒罗尹春范远航范叶王骁玮蔡金勇张波
文献传递
一种横向SOI功率半导体器件
一种横向SOI功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。器件元胞结构包括衬底、绝缘介质层及绝缘介质层上方的器件有源层，器件有源层包括源区、漏区、栅和漂移区；其中源区和漏区之间的漂移区由两个平行于器件横向方向的第一半导体...
罗小蓉王骁玮范叶范远航尹超魏杰蔡金勇周坤张彦辉张波李肇基
文献传递
一种槽型半导体功率器件
本发明公开了一种槽型半导体功率器件，涉及槽型半导体功率器件技术领域，包括衬底层和有源层，所述有源层中形成有槽栅，槽栅纵向至少伸入到有源层中；在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽，阶梯型的介质槽宽度较大的那一端更接近衬...
罗小蓉王沛范叶蔡金勇王琦蒋永恒周坤王骁玮范远航魏杰罗尹春
文献传递
一种横向SOI功率半导体器件
一种横向SOI功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。器件元胞结构包括衬底、绝缘介质层及绝缘介质层上方的器件有源层，器件有源层包括源区、漏区、栅和漂移区；其中源区和漏区之间的漂移区由两个平行于器件横向方向的第一半导体...
罗小蓉王骁玮范叶范远航尹超魏杰蔡金勇周坤张彦辉张波李肇基
文献传递
槽栅半导体功率器件
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题，提供了一种槽栅半导体功率器件，其技术方案可概括为：槽栅半导体功率器件，其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区...
罗小蓉蒋永恒蔡金勇范叶王沛王骁伟周坤王琦罗尹春张波
文献传递
纵向功率半导体器件的制造方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有具有槽栅超结的半导体功率器件的制造工艺难度较大的问题，提供了一种纵向功率半导体器件的制造方法，其技术方案可概括为：首先外延形成第一半导体区，在其顶部生长氧化层及淀积掩蔽层，并进行光刻...
罗小蓉周坤范叶范远航蒋永恒王沛王骁玮罗尹春蔡金勇张波
文献传递
一种槽型半导体功率器件的制造方法
本发明公开了一种槽型半导体功率器件的制造方法，涉及半导体功率器件技术领域，通过刻蚀槽、采用各向异性外延技术生长填充槽形成第二半导体区、在第二半导体区顶部局部刻蚀形成窄且高浓度的n或p柱、填充绝缘介质以及平坦化，之后采用外...
罗小蓉王沛蔡金勇范叶王琦蒋永恒周坤魏杰罗尹春范远航王骁伟
槽型低阻SOI横向功率器件研究与设计
SOI(Silicon On Insulator)横向功率 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)是功率集成电路的核心器件,实现高压和低阻是功率...
范叶
关键词：数值仿真
文献传递
一种SOI基PMOSFET功率器件
一种SOI基PMOSFET功率器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提供的SOI基PMOSFET功率器件采用N型SOI基，便于和N沟道功率器件相集成；同时，其漂移区是在SOI基的N型SOI半导体层表面注入P型阱区所形成...
罗小蓉罗尹春周坤范叶王骁玮范远航蔡金勇张波
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0