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胡海鑫

作品数:1 被引量:15H指数:1
供职机构:长沙理工大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金:湖南省优秀博士论文基金湖南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电子结构
  • 1篇石墨烯纳米带
  • 1篇子结构
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米带
  • 1篇紧束缚
  • 1篇紧束缚模型

机构

  • 1篇长沙理工大学

作者

  • 1篇丁开和
  • 1篇刘新海
  • 1篇邱明
  • 1篇胡海鑫
  • 1篇张振华

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2009
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
石墨烯纳米带电子结构的紧束缚法研究被引量:15
2009年
在推导出的一般复式格子的π电子紧束缚能量色散关系的基础上,通过假定石墨烯纳米带的电子横向限制势为无穷大硬壁势,导出石墨烯纳米带的能量色散关系及石墨烯纳米带或为金属或为半导体的条件.结果表明:石墨烯纳米带的电子结构与其几何构型(对称性及宽度)密切相关,所以通过控制几何构型,可将其调制成金属或不同带隙的半导体.这意味着石墨烯纳米带对于发展新型纳米器件具有重要意义.
胡海鑫张振华刘新海邱明丁开和
关键词:石墨烯纳米带紧束缚模型电子结构
共1页<1>
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