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童浩

作品数：225 被引量：3H指数：1
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 221篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 54篇自动化与计算...
  • 11篇电子电信
  • 6篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 4篇金属学及工艺
  • 1篇矿业工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 90篇存储器
  • 55篇选通
  • 45篇相变材料
  • 43篇电极
  • 38篇相变存储
  • 36篇相变
  • 32篇相变存储器
  • 29篇纳米
  • 28篇非易失性
  • 18篇栅电极
  • 18篇非晶
  • 18篇存储器单元
  • 17篇闪存
  • 16篇超晶格
  • 14篇晶态
  • 13篇电压
  • 12篇介质层
  • 11篇导电丝
  • 11篇电路
  • 11篇显示器

机构

  • 225篇华中科技大学
  • 1篇深圳信息职业...
  • 1篇深圳市计量质...

作者

  • 225篇童浩
  • 220篇缪向水
  • 23篇程晓敏
  • 13篇杨哲
  • 12篇钱航
  • 9篇闫鹏
  • 8篇张瑾
  • 7篇冯金龙
  • 6篇胡庆
  • 4篇王升
  • 3篇何强
  • 3篇邢钧
  • 3篇张建兵
  • 2篇何超
  • 2篇徐明
  • 2篇刘畅
  • 2篇马轩
  • 2篇余汉祥
  • 2篇戴一帆
  • 1篇汪毅

传媒

  • 1篇煤炭技术

年份

  • 23篇2024
  • 27篇2023
  • 25篇2022
  • 35篇2021
  • 40篇2020
  • 38篇2019
  • 8篇2018
  • 10篇2017
  • 3篇2016
  • 9篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 225 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种相变存储器的擦写方法
本发明公开了一种相变存储器的擦写方法，其擦写包括通过对于相变存储器进行预操作使相变材料进入中间态，并且将相变材料在中间态以及非晶态之间进行可逆转变从而实现相变存储器的高低阻态循环，相较于传统的将相变材料在晶态以及非晶态之...
童浩何明泽缪向水
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一种动态存储器操作方法
本发明公开了一种动态存储器操作方法，包括如下步骤：按照预先设定的间隔时间T对动态存储器进行刷新操作，同时实时接收操作指令，当接收到操作指令时，根据操作指令中被选中存储单元的位置信息对被选中存储单元进行读操作，并将读操作中...
童浩汪宾浩缪向水
一种基于阈值开关的非易失性存储单元及其操作方法
本发明公开了一种基于阈值开关的非易失性存储单元及其操作方法，属于微纳米电子技术领域。非易失性存储单元包括依次层叠的第一金属电极层、阈值开关层、第二金属电极层，阈值开关层包含硫系半导体材料，阈值开关层的阈值电压在电信号的操...
童浩温晋宇缪向水
一种低密度变化相变材料和相变存储器及制备方法
本发明公开了一种低密度变化相变材料，其为第一相变材料层和第二相变材料层循环交替叠合而成的类超晶格相变材料层，所述第一相变材料层和所述第二相变材料层之间形成类超晶格界面，所述第一相变材料层为C‑GeSb，所述第二相变材料层...
缪向水周凌珺童浩
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一种铁电相变混合存储单元、存储器及操作方法
本发明涉及一种铁电相变混合存储单元、存储器及操作方法。所述铁电相变混合存储单元包含：依次设置的下电极、功能层和上电极；所述下电极为低功函数电极，所述上电极为高功函数电极；所述功能层为铁电相变材料。通过采用上述结构，铁电相...
缪向水王校杰童浩
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一种三维堆叠相变存储器及其制备方法
本发明公开了一种三维堆叠相变存储器及其制备方法，其中制备方法具体是在衬底上制备彼此具有间距的第一水平电极；在第一水平电极间距间制备中央具有间隙的第一条状相变层；在第一条状相变层的间隙间制备第一选通管；制备第一绝缘层；在第...
童浩缪向水沈裕山蔡旺
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一种具有新型材料和结构的选通管
本发明公开了一种具有新型材料和结构的选通管，其特征在于，包括第一金属电极层、二维材料层、开关层插塞柱和第二金属电极层；开关层插塞柱是在电流或电压激励下可以形成导电丝的材料；在选通管功能层和电极之间加一层类似于石墨烯的渗透...
童浩林琪王伦缪向水
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一种选通管器件的预处理方法
本发明公开了一种选通管器件的预处理方法，包括:(1)通过选取电压扫描范围且设置第一限制电流I<Sub>cc1</Sub>，对选通管进行第一次电压扫描，获取选通管亚阈值区域的阻态R<Sub>1</Sub>；(2)根据第n‑...
童浩何达缪向水
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一种非易失性3D NAND存储器的侧墙栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性3D NAND存储器的侧墙栅电极及其制备方法，包括通过控制电流强度和氧化铝模板先制备好n个依次成阶梯状排列的栅电极侧墙单元，每个栅电极单元为侧墙结构；侧墙栅电极的上表面用于连接栅层，下表面用于连接...
缪向水杨哲童浩
文献传递
非易失存储单元及其操控方法、非易失存储系统
本发明公开了一种非易失存储单元及其操控方法、非易失存储系统，属于存储控制技术领域，非易失存储单元包括依次层叠的第一金属电极层、第一缓冲层、阈值开关层、第二缓冲层、第二金属电极层，第一缓冲层包含特定元素的单质或由多种特定元...
童浩温晋宇王伦缪向水
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