秦毅
- 作品数：11 被引量：6H指数：1
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省新型环保重点实验室开放课题基金中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放课题基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术理学电气工程更多>>
- 混合反应烧结法制备的二硅酸锂微晶玻璃材料及其方法
- 一种混合反应烧结法制备的二硅酸锂微晶玻璃材料及其方法，该材料原料由偏硅酸锂晶体粉末M、石英砂玻璃粉末S和二硅酸锂基础玻璃粉末D组成，其中M：S：D的摩尔比为1：（1～2）：（0～8）；其制备方法包括偏硅酸锂玻璃和二硅酸锂...
- 杨建锋赵婷秦毅张佩王波李春芳
- 文献传递
- 粉末粒度对二硅酸锂玻璃陶瓷烧结行为、微观结构和弯曲强度的影响(英文)被引量：1
- 2014年
- 采用热压烧结技术成功制备了SiO2-Li2O-P2O5-ZrO2-Al2O3-K2O-CeO系二硅酸锂玻璃陶瓷。研究了不同粉体粒度对其烧结行为、相组成、微观结构和弯曲强度的影响。结果表明,不同粉体粒度制备的玻璃陶瓷晶相组成类似,主晶相均为Li2Si2O5晶体;微观形貌均为互锁的Li2Si2O5棒状晶粒,但Li2Si2O5晶体的晶粒尺寸及分布随粉末粒度变化有所不同。当玻璃粉末粒度为14μm时,烧结出的二硅酸锂玻璃陶瓷晶粒尺寸合适,密度较高,三点弯曲强度最高,可达354±17 MPa;且透光性能良好,与医用EMAX材料接近。
- 赵婷秦毅吴桐王波杨建锋
- 关键词：热压烧结
- 氮气压力对多孔氮化硅陶瓷显微组织和力学性能的影响被引量：4
- 2014年
- 以α-Si3N4为原料,Y2O3为烧结助剂,在三种不同的氮气压力(0.12、0.32和0.52 MPa)下烧结制备了多孔氮化硅陶瓷。研究了氮气压力对氮化硅的烧结行为、显微组织和力学性能的影响,分别通过SEM观察显微组织并统计晶粒的长径比,通过XRD对物相进行分析,并对烧结试样进行三点弯曲强度测试。随着氮气压力的提高,多孔陶瓷的线收缩率降低、气孔率提高,这是由于低熔点的液相中N含量随氮气压力的提升而增加,导致了液相粘度提高,抑制陶瓷致密化。随着氮气压力的提高,组织中的棒状β-Si3N4生长良好,晶粒长径比增大,其原因是高的液相粘度抑制了β-Si3N4形核,有利于β-Si3N4生长。由于β-Si3N4棒状晶的作用,陶瓷弯曲强度随氮气压力的升高得到改善,但是气孔率的升高降低陶瓷的强度。在0.52 MPa的氮气压力下烧结的多孔陶瓷气孔率达58%,弯曲强度为140 MPa。
- 张俊禧徐照芸王波秦毅杨建锋赵中坚胡伟施志伟
- 关键词：氮化硅氮气压力长径比
- PECVD沉积和原位退火时间对h-BN薄膜组成及光学带隙的影响
- 2014年
- 采用射频等离子增强化学气相沉积设备,以高纯N2和B2H6为气源,制备了系列h-BN薄膜,得到适合生长h-BN薄膜的最佳工艺条件。在此条件下,研究了不同沉积时间和退火时间对薄膜组成和光学带隙的影响。采用傅立叶变换红外光谱仪、紫外可见光分光光度计和场发射扫描电子显微镜对样品进行了表征。实验结果表明:在衬底温度、射频功率和气源流量比率一定的条件下,沉积时间对h-BN薄膜成膜质量和光学带隙都有较大影响,且光学带隙与膜厚呈指数关系变化。700℃原位退火不同时间对h-BN薄膜的结晶质量有所影响,而物相和光学带隙基本没有改变。
- 秦毅赵婷王波杨建锋
- 关键词：退火时间光学带隙
- 金属氧化物催化生长多形貌硅纳米线
- 米线(Si NWs)在半导体光电子器件和生物医药等方面具有广泛的应用前景和潜质,所以Si NWs的制备和性能检测到目前为止仍然是材料研究的热点.对于Si NWs的制备,目前主要还是采用化学气相沉积结合催化剂生长不同长度、...
- 秦毅潘树亮赵婷王波杨建锋
- 关键词：硅纳米线金属氧化物
- 基于广义解调的风力发电机行星齿轮箱无键相阶次跟踪技术
- 由于风力发电机的工作环境恶劣且运行转速时变,导致行星齿轮箱发生故障的风险较高,因而需要对风机运行状态进行准确监测.针对传统的谱分析技术难以实现风机变速工况故障诊断的问题,本文提出基于风机行星齿轮箱振动信号广义解调的无鉴相...
- 王义汤宝平秦毅邓蕾徐光华侯成刚
- 关键词：风力发电机行星齿轮箱振动信号
- 混合反应烧结法制备的二硅酸锂微晶玻璃材料及其方法
- 一种混合反应烧结法制备的二硅酸锂微晶玻璃材料及其方法，该材料原料由偏硅酸锂晶体粉末M、石英砂玻璃粉末S和二硅酸锂基础玻璃粉末D组成，其中M：S：D的摩尔比为1：（1～2）：（0～8）；其制备方法包括偏硅酸锂玻璃和二硅酸锂...
- 杨建锋赵婷秦毅张佩王波李春芳
- 文献传递
- 一种分析微量气体低温凝结和凝华特性的可视化实验装置
- 一种分析微量气体低温凝结和凝固特性的可视化实验装置，包括低温容器，低温容器侧壁分别设置可视化窗口与冷光窗口，低温容器内部设有可视化约束容器，可视化窗口、可视化约束容器与冷光窗口在同一直线上，且可视化窗口、冷光窗口法线在同...
- 王磊上官石秦毅厉彦忠
- PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响被引量：1
- 2013年
- 在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法沉积了SiC薄膜．通过高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、X射线光电子能谱仪（XPS）及扫描电子显微镜（SEM）研究基底温度对SiC薄膜成分、结构及生长速度的影响规律。结果表明：在60～500℃基底温度下制备的SiC薄膜均为非晶态薄膜，薄膜的生长速度随基底温度的升高而线性降低，并且在相同沉积条件下，薄膜在Si基底上的生长速度要高于Cu基底。此外，薄膜中的硅碳原子比随基底温度的升高而降低，当基底温度控制在350℃左右时，可以获得硅碳比为1：1较理想的SiC薄膜。
- 于方丽白宇秦毅岳冬罗才军杨建锋
- 关键词：碳化硅等离子体增强化学气相沉积基底温度
- 一种箱式集成化的多微源接口微型电网并网系统装置
- 本发明公开了一种箱式集成化的多微源接口微型电网并网系统装置，其外部是一个集装箱柜体的箱体，箱体内部为三室结构，前室为操作室，中室为设备室，后室为制冷室。其采用交直流母线结构，两母线之间由一台变流器进行连接。此外，各微源（...
- 卓放朱一昕姚苏建杨旭秦毅
- 文献传递
