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白国栋
作品数:
39
被引量:81
H指数:6
供职机构:
中国电子科技集团公司第十二研究所
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发文基金:
全球变化研究国家重大科学研究计划
国家重点基础研究发展计划
大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室基金
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相关领域:
电子电信
理学
一般工业技术
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合作作者
冯进军
北京真空电子技术研究所
李兴辉
北京真空电子技术研究所
丁明清
北京真空电子技术研究所
张甫权
北京真空电子技术研究所
廖复疆
北京真空电子技术研究所
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2002
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UV-LIGA技术加工340GHz行波管折叠波导慢波结构的研究
UV-LIAG技术是制作太赫兹真空电子器件(包括谐振腔,电子注通道和输出波导等)的方法之一,本文研究了在UV-LIAG技术中,曝光量对SU-8胶模的影响分析原因,得出最佳工艺,并对340GHz的折叠波导进行了初步的实验研...
李含雁
白国栋
李兴辉
蔡军
胡银富
冯进军
关键词:
折叠波导行波管
慢波结构
太赫兹波
一种X射线管电极装置及其制作方法
本发明提供的X射线管电极装置包括可伐环,可伐环具有纵切面为曲线的连接部。可伐环的一端通过气密热封方式和玻壳连接,另一端通过氩弧焊接方式与电极金属盖气密结合。在不改变玻壳与电极金属盖之间直线间距的情况下,大大增加了氩弧焊接...
聂洋洋
王瑞海
白国栋
李杰
文献传递
一种自对准栅极碳纳米管/纳米线场发射阴极制作方法
本发明公开一种自对准栅极碳纳米管/纳米线场发射阴极制作方法。该阴极包括阴极基底、场发射体、绝缘体和栅极。阴极的制作方法包括如下步骤:以光刻刻蚀工艺或激光打孔加工牺牲层/金属栅极,将栅极和阴极基底通过绝缘体隔离,并组装为一...
李兴辉
蔡军
白国栋
丁明清
冯进军
文献传递
一种抑制二次电子发射的离子束表面处理设备和方法
一种抑制二次电子发射的离子束表面处理设备和方法,属于真空电子技术领域。包括处于前置真空的机械泵、二级真空分子泵及样品台组件,样品台组件上方设有溅射沉积组件及离子源,该设备使用的方法为:系统抽真空,样品加热,充氩气,离子源...
丁明清
冯进军
白国栋
瞿波
一种准集成栅控碳纳米管/纳米线场发射阴极的制作方法
本发明公开了一种准集成栅控碳纳米管/纳米线场发射阴极的制作方法。该阴极包括阴极基底、场发射体、绝缘体和栅极,制作方法包括:以光刻刻蚀或激光打孔加工栅极,将栅极和阴极基底通过绝缘体隔离、并封装一体,而后在阴极基底上沉积缓冲...
李兴辉
蔡军
白国栋
丁明清
冯进军
文献传递
DRIE技术加工W波段行波管折叠波导慢波结构的研究
被引量:4
2011年
简要介绍了利用深反应离子刻蚀制作折叠波导慢波结构的现状及制作的工艺流程。对深反应离子刻蚀掩膜制作即光刻工艺,以及折叠波导慢波结构的深刻加工进行了深入的研究。详细分析了各光刻工艺对光刻胶图形的影响,尤其是前烘对光刻胶图像侧壁垂直度的影响;在深反应离子刻蚀中,还详细分析了刻蚀时间、下电极功率以及刻蚀气体气压对刻蚀结果的影响。经参数优化后获得最佳工艺参数,并制作出带有电子注通道的W波段折叠波导慢波结构,慢波结构深为946μm,侧壁垂直度为91°,电子注通道深为225μm,侧壁垂直度为90°。
李含雁
冯进军
白国栋
关键词:
折叠波导
微细加工
深反应离子刻蚀
一种自对准栅极碳纳米管/纳米线场发射阴极制作方法
本发明公开一种自对准栅极碳纳米管/纳米线场发射阴极制作方法。该阴极包括阴极基底、场发射体、绝缘体和栅极。阴极的制作方法包括如下步骤:以光刻刻蚀工艺或激光打孔加工牺牲层/金属栅极,将栅极和阴极基底通过绝缘体隔离,并组装为一...
李兴辉
蔡军
白国栋
丁明清
冯进军
文献传递
场发射阵列阴极在行波管中的应用
被引量:4
2003年
给出了场发射阵列阴极的发展概况和制造方法 ,讨论了采用场发射阵列阴极作为行波管电子源的可能性和电子枪设计的有关问题 。
杜英华
杨崇峰
廖复疆
李炳炎
李兴辉
白国栋
张甫权
丁明清
关键词:
行波管
电子源
电子枪
高效率毫米波行波管研究
本文介绍了一种毫米波行波管的研究进展情况,特别是在高效率方面取得的突破。通过对器件设计的不断优化和提高,已研制出样管达到:饱和输出功率>55W,整管效率大于55%,带宽1GHz。
瞿波
白国栋
丁明清
冯进军
刘明辉
蔡绍伦
梁晓峰
姜德强
邢俊毅
李力
尚艳华
关键词:
毫米波行波管
优化设计
饱和输出功率
文献传递
一种抑制二次电子发射的离子束表面处理设备和方法
一种抑制二次电子发射的离子束表面处理设备和方法,属于真空电子技术领域。包括处于前置真空的机械泵、二级真空分子泵及样品台组件,样品台组件上方设有溅射沉积组件及离子源,该设备使用的方法为:系统抽真空,样品加热,充氩气,离子源...
丁明清
冯进军
白国栋
瞿波
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