王茹玉
- 作品数：10 被引量：32H指数：4
- 供职机构：河南科技大学材料科学与工程学院更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电气工程机械工程冶金工程更多>>
- V_2O_5掺杂对(Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5))O_7介质陶瓷性能的影响
- 2005年
- 采用传统的固相反应法制备陶瓷试样,借助XRD,SEM和LCR测试仪,研究了V2O5掺杂对(Bi1.5Zn1.0Nb1.5)O7介质陶瓷的烧结特性和介电性能的影响。结果表明,掺杂适量V2O5后试样的烧结温度明显降低,相结构仍为立方焦绿石单相,且具有良好的介电性能:介电常数(εr)为135～154,介电损耗(tanδ)为0.0033～0.0037,频率温度系数(τf)为-442～-387(2MHz)。
- 王茹玉黄金亮周焕福殷镖孙道明
- 关键词：V2O5掺杂介质陶瓷烧结温度介电性能
- Bi_4Ti_3O_(12)掺杂对(Bi_(1.5)Zn_(0.5))(Zn_(0.5)Nb_(1.5))O_7陶瓷结构与介电性能的影响被引量：5
- 2005年
- 研究了Bi4Ti3O12掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)陶瓷烧结特性、相结构和介电性能的影响。采用传统的固相反应法制备样品,X射线衍射技术分析相结构,SEM观察表面形貌。结果表明,Bi4Ti3O12掺杂能有效地促进烧结,提高介电常数ε,降低介电损耗tgδ,优化介电频率温度系数αε。1000℃烧结8%(摩尔分数)Bi4Ti3O12掺杂的BZN陶瓷具有较好的介电性能:ε=192,tgδ=4.21×10-4,αε=-3.37×10-4/℃。
- 周焕福黄金亮王茹玉李谦黄清伟
- 关键词：烧结特性显微结构介电性能
- 铌酸锌陶瓷的低温烧结与介电性能(英文)被引量：3
- 2012年
- 采用传统固相反应法合成ZnNb2O6陶瓷粉体。系统研究了添加不同含量V2O5对ZnNb2O6陶瓷的烧结特性及介电性能的影响。结果表明:其烧结温度降低到1 050℃,且当V2O5质量分数大于1.0%时有第二相ZnV2O6生成。添加V2O5后ZnNb2O6陶瓷的谐振频率温度系数向0方向偏移。当V2O5质量分数为1.0%的ZnNb2O6陶瓷在1 050℃烧结3h时,其介电性能为εr=28,tanδ=0.000 6,τf=-42.5×10-6/℃(在1 MHz下)。
- 黄金亮晏忠顾永军李丽华王茹玉
- 关键词：V2O5介电性能
- CuO掺杂对ZnNb_2O_6介质陶瓷性能的影响被引量：5
- 2005年
- 采用传统的固相反应法制备 CuO 掺杂 ZnNb_2O_6介质陶瓷,借助 XRD、SEM 和 LCR 测试仪,研究了CuO 掺杂对 ZnNb_2O_6介质陶瓷的烧结特性及介电性能的影响。结果表明,CuO 掺杂能有效降低 ZnNb_2O_6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,优化频率温度系数。1050℃烧结掺杂1.0wt%CuO 的 ZnNb_2O_6陶瓷具有较好的综合介电性能:介电常数ε_r=34,介电损耗 tanδ=0.00039,频率温度系数τ_f=-46.21×10^(-6)/C。
- 王茹玉黄金亮周焕福殷镖孙道明赵高磊
- 关键词：烧结温度介电性能
- Mg取代Ca的CLST陶瓷的结构和介电性能
- 2005年
- 采用固相反应法制备Mg取代Ca的CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)陶瓷,用XRD图谱研究其晶体结构。结果表明:Mg取代Ca的量x为1～8时,在1250℃烧成,形成单一的钙钛矿相。随着x增大,晶格常数都逐渐减小;x为16时,晶格常数突变,形成富Sm非钙钛矿的主晶相。在1MHz下,εr和tgδ都随x增大而降低,x为12时,εr为42.6,tgδ为0.0012。
- 孙道明李谦黄金亮周焕福王茹玉
- 关键词：无机非金属材料钙钛矿结构MGO
- CuO和V_2O_5掺杂对ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响被引量：11
- 2006年
- 采用传统的固相反应法制备了CuO和V2O5掺杂的ZnNb2O6介质陶瓷。通过X射线衍射,扫描电镜以及电感–电容–电阻测试仪等测试手段对其烧结特性,晶体结构,微观形貌和介电性能进行研究。结果表明:CuO和V2O5掺杂能降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,影响相结构,改变微观形貌并优化介电性能。掺杂质量分数为0.25%CuO和0.25%V2O5的ZnNb2O6陶瓷样品在1025℃烧结后,在100MHz下具有较好的综合介电性能:介电常数εr=35,介电损耗tanδ=0.00021,频率温度系数τf=-44.41×10-6/℃。
- 王茹玉黄金亮周焕福殷镖
- 关键词：介质陶瓷烧结温度介电性能
- 烧结助剂对铌酸盐微波介质陶瓷工艺和性能的影响
- Bi2O3-ZnO-Nb2O5系微波介质陶瓷材料具有高性能与低温烧结兼优的特点，介电常数高，介质损耗小，介电常数温度系数可系列化，但该材料的烧结工艺不稳定且很难烧结致密，严重阻碍了其作为微波器件用介质材料的实用性。在具有...
- 王茹玉
- 关键词：固相反应法烧结助剂烧结特性介电性能电介质材料
- 文献传递
- 烧结助剂对(Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5))O_7陶瓷性能的影响被引量：4
- 2005年
- 采用传统的固相反应法制备陶试样,借助XRD、SEM和LCR测试仪,研究了烧结助剂对(Bi1.5Zn1.0Nb1.5)O7微波介质陶瓷的烧结特性和介电性能的影响。实验结果表明,添加一定量的CuO、V2O5或两者的混合物后,陶瓷试样的烧结温度降到950℃以下,制备的试样具有良好的介电性能。介电常数εr为152～168,介质损耗tgδ为0.003～0.007(2MHz)。添加烧结助剂后的陶瓷试样的主晶相仍为焦绿石结构,但还出现少量Zn3Nb2O8和ZnO相。
- 王茹玉黄金亮
- 关键词：无机非金属材料介质陶瓷烧结助剂烧结温度介电性能
- BiVO_4掺杂对(Bi_(1.5)Zn_(0.5))(Zn_(0.5)Nb_(1.5))O_7陶瓷介电性能的影响被引量：8
- 2005年
- 采用传统陶瓷工艺制备了Bi VO_4掺杂的(Bi_(1.5)Zn_(0.5))(Zn_(0.5)Nb_(1.5))O_7(bismuth zincate niobate,BZN)介质陶瓷,用X射线衍射、扫描电镜以及电感电容电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了系统研究。结果表明:Bi VO_4掺杂能显著降低BZN的烧结温度,由1000℃降至850℃,同时可优化频率温度系数τf,由-450×10-6/℃变为-254×10-6/℃。Bi VO_4的掺杂量为5%,烧结温度为900℃时,BZN陶瓷具有较好的介电性能:介电常数ε=153,品质因数Q=2100,频率温度系数τf=-350×10-6/℃。
- 周焕福黄金亮王茹玉殷镖孙道明
- 关键词：显微结构介电性能
- V_2O_5掺杂对ZnNb_2O_6介质陶瓷性能的影响被引量：3
- 2006年
- 采用传统的固相反应法制备了V2O5掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪等研究了陶瓷的烧结特性及介电性能。结果表明:V2O5掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,改善频率温度系数,但介电损耗有所增加。经1050℃烧结,1．O％V2O5掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能,εr＝28,tanδ＝0．000 6,τf＝-42．50×10-6℃-1。
- 王茹玉黄金亮周焕福殷镖赵高磊
- 关键词：V2O5介质陶瓷烧结温度介电性能
