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王红杰: 作品数：118 被引量：147H指数：6; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

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时分波分复用无源光网络终端收发集成芯片的制作方法: 一种时分波分复用无源光网络终端收发集成芯片的制作方法，包括：取一宽带滤波器；在其后端分别连接有复用器阵列波导光栅输出波导和解复用器阵列波导光栅输入波导；并分别连接有复用第一平板波导区和解复用第一平板波导区连接；在其之后分...; 安俊明尹小杰张家顺王亮亮李建光吴远大王红杰王玥胡雄伟; 文献传递

Low-Cost, High-Reflectivity Silicon-on-Reflector for Optoelectronic Device Application: 2001年; A silicon on reflector (SOR) substrate containing a thin crystal silicon layer and a buried Si/SiO 2 Bragg reflector is reported. The substrate, which is applied to optoelectronic devices, is fabricated by using Si based sol gel sticking and smart cut techniques. The reflectivity of the SOR substrate is close to unity at 1 3μm's wavelength under the normal incidence.; 李成杨沁青王红杰王启明; 关键词：PHOTODETECTOR

一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器: 本发明公开了一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器，该激光器是由在SOI衬底顶层硅上的二维平板空气孔型光子晶体的单线缺陷波导中间引入的槽状波导，以及在该槽状波导及空气孔中填充的折射率低于SOI衬底顶层硅折射率的发光材料构成，...; 王玥张家顺吴远大安俊明李建光王红杰胡雄伟

紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法: 一种紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先用热氧化法在单晶Si衬底上生长下包层；步骤2：利用有机/无机杂化的溶胶－凝胶法制备掺铒光敏性SiO...; 王鵫吴远大李建光王红杰安俊明胡雄伟; 文献传递

采用损耗微调波导实现阵列波导光栅通道均匀性的方法: 本发明一种采用损耗微调波导实现阵列波导光栅通道均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一阵列波导光栅；步骤2：在阵列波导光栅的输出波导的末端加入损耗微调波导，从而实现阵列波导光栅的输出通道均匀。; 安俊明李建光王红杰吴远大胡雄伟; 文献传递

一种制备半导体衬底的方法: 一种制备半导体衬底的方法，其是在一抛光的硅片内注入氢离子，在另一基片上生长二氧化硅/硅布拉格反射镜或单层二氧化硅；将硅片和基片表面涂布一层硅基乳胶，将它们粘接在一起；在400～600℃氮气氛下退火5-60分钟，硅片上较厚...; 杨沁清李成欧海燕王红杰王启明; 文献传递

低功耗热光可调光衰减器的设计与制备被引量：2: 2014年; 可调光衰减器（VOA）是波分复用（WDM）系统中最重要的器件之一,它的主要功能是控制和衰减光信号。设计并制备了基于石英衬底的4通道马赫增德尔（Mach-Zehnder）干涉型热光可调光衰减器阵列。首先介绍了热光可调光衰减器的结构和原理,模拟了在有外加偏压时的热场分布,然后介绍了器件的设计及制备工艺过程,并对所制备的器件进行测试。实验结果表明,制备器件的插入损耗小于1.1 dB,动态衰减范围为0~30 dB。在衰减量为30 dB时,外加偏压为12.5 V,功耗仅有120 mW。最后分析了测试结果,并提出了改善器件性能的方法。; 代红庆安俊明王玥王红杰吴远大钟飞; 关键词：低功耗

火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究被引量：5: 2004年; 　用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O3的SiO2光波导材料。用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响。结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2 SiO2材料由于严重析晶而完全碎裂;而当烧结后期采取快速降温,析晶过程受到很大抑制,但仍有析晶。在此GeO2 SiO2材料中掺入适量的B2O3后,得到了完全非晶态的GeO2 B2O3 SiO2材料,但B2O3掺入量过多时,又会导致析晶。; 郜定山李建光安俊明李健夏君磊王红杰胡雄伟; 关键词：二氧化硅析晶三氧化二硼

溶胶-凝胶法制备光波导薄膜及性质的研究被引量：9: 2004年; 采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶 -凝胶 ,并在凝胶中加入四丙氧基锆作为调节折射率的材料 ;用该凝胶在硅片上提拉成膜 .为了增加薄膜与硅片的粘附性 ,成膜前先用干氧热氧化法在硅片上生长了一层厚度约为 15 0 0 的二氧化硅 ;样品的原子力相片表明薄膜的表面非常平整 ,在 5× 5 μm2 的范围内最大表面起伏只有 0 .6 5 7nm 利用波导阵列掩膜版 ,对制备的薄膜在紫外光波段下曝光 ,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列研究发现 :紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大 .通过对样品红外吸收谱的分析。; 姜永睿胡雄伟杨沁清王红杰杨澜郑金红谢二庆; 关键词：SIO2薄膜折射率红外光谱波导