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王文

作品数：18 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 4篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学

主题

  • 8篇MOSFET...
  • 6篇电子迁移率
  • 6篇迁移率
  • 6篇沟道
  • 4篇导体
  • 4篇导体电阻
  • 4篇四频
  • 4篇碳化硅
  • 4篇迁移
  • 4篇燃料
  • 4篇耦合线
  • 4篇混合燃料
  • 4篇功分
  • 4篇功分器
  • 2篇带通
  • 2篇带通滤波
  • 2篇带通滤波器
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇电源

机构

  • 18篇西安电子科技...

作者

  • 18篇王文
  • 8篇杨飞
  • 8篇汤晓燕
  • 8篇张义门
  • 8篇张玉明
  • 6篇王新怀
  • 6篇徐茵
  • 4篇张超
  • 4篇元磊
  • 4篇李昕
  • 2篇崔鑫
  • 2篇周博
  • 2篇胡俊杰

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 5篇2011
  • 1篇2009
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
压缩感知重构问题的凸松弛算法研究
全新的信号处理理论-压缩感知理论是根据信号的稀疏特性或可压缩性质提出来的。它打破了限定采样速率的Nyquist采样定理，摒弃了先进行采样再实施压缩的信号处理模式，使得信号采样过程与压缩过程同时进行。通过求解优化问题就可以...
王文
关键词：信号处理压缩感知目标函数
基于耦合线的四频功分器及其设计方法
本发明公开的基于耦合线的四频功分器及其设计方法，利用耦合线的双谐振特性，将双段耦合线进行组合，形成等效于四谐振单元的多谐振结构，并将其作为四频功分器的实现基础。输入信号从功分器的输入端口输入进行等分，分别经过双段耦合线和...
王新怀李昕徐茵王文彭烨崔鑫
N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法
本发明公开了一种N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件的反型层电子迁移率低和减小导通电阻与提高击穿电压之间的矛盾问题。其特点是在传统VDMOS器件结构的SiO<Sub...
汤晓燕元磊张玉明张义门王文杨飞
文献传递
一种双层基片集成波导带通滤波器及设计方法
一种双层基片集成波导带通滤波器及设计方法，包括由上而下依次设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层，在介质层和金属层中制作金属化通孔和金属层开窗图案，采用四阶直接耦合形式；本发明打破了传统SIW滤...
王新怀王文侯艺凡许洪洋周博徐茵
基于自定义报文协议的网管系统通信框架的设计与实现
随着网络化时代的到来，通信的可靠性和高效性已成为传输网络领域的核心要素，而当前传输网和传统数据网络受其技术体制限制，已越来越成为业务、网络IP化发展的瓶颈，现阶段的传输网络设备，主要还是以同步数字技术(SDH)和波分复用...
王文
关键词：网络管理系统
外延沟道的SiCIEMOSFET器件及制备方法
本发明公开了一种外延沟道的SiC IEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有SiC IEMOSFET器件沟道电子迁移率低，导体电阻大的问题。本发明的器件包括栅极(1)、SiO<Sub>2</Sub>隔离介质(2)、源极...
汤晓燕张超张玉明张义门杨飞王文
基于超级结的碳化硅MOSFET器件及制备方法
本发明公开了一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件在低导通电阻时击穿电压难以提高的问题。它包括栅极(1)、SiO<Sub>2</Sub>氧化物介质(2)、源极(3)、N<Sup>...
汤晓燕元磊张玉明张义门王文杨飞
文献传递
四川豪格建筑工程项目管理平台设计与实现
近年来，由于建筑类企业在国内社会经济发展与现代化进程中的重要地位，因此建筑类企业的工程项目管理信息化和自动化受到了广泛的关注和重视。在实践中，通过工程类项目管理的相关理论、方法、模型、策略等，采用计算机软硬件技术、通信技...
王文
关键词：建筑工程项目管理
文献传递
基于超级结的碳化硅MOSFET器件及制备方法
本发明公开了一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件在低导通电阻时击穿电压难以提高的问题。它包括栅极(1)、SiO<Sub>2</Sub>氧化物介质(2)、源极(3)、N<Sup>...
汤晓燕元磊张玉明张义门王文杨飞
外延沟道的SiCIEMOSFET器件及制备方法
本发明公开了一种外延沟道的SiC IEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有SiC IEMOSFET器件沟道电子迁移率低，导体电阻大的问题。本发明的器件包括栅极(1)、SiO<Sub>2</Sub>隔离介质(2)、源极...
汤晓燕张超张玉明张义门杨飞王文
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