王文
- 作品数：63 被引量：88H指数：5
- 供职机构：香港科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划香港特区政府研究资助局资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理电气工程更多>>
- 基于MIC多晶硅薄膜阳极的微腔有机发光器件
- 2008年
- 通过对溶液法金属诱导晶化多晶硅薄膜制备工艺的优化,制备出性能良好的P型掺杂多晶硅薄膜。厚度为50nm的MICP+-Poly-Si薄膜的方块电阻可降低至400Ω左右,其光学特性表现为在红光区域具有比较高的反射率和很小的吸收率,因此用它替代ITO用作红光OLED的阳极材料。由于此薄膜对可见光比较高的反射率和阴极铝对可见光的高反射性,使之形成了一定Q值的微腔效应。结果显示该器件的最大流明效率为5.88cd/A,比用ITO作阳极制备的OLED提高了57%。进一步优化器件结构,调整发光层在腔中的最佳位置,可以大大增强发光强度,从而可以实现发光强度高、单色性好的红色微腔有机电致发光显示器件。
- 李阳孟志国吴春亚王文郭海成张芳熊绍珍
- 关键词：有机电致发光器件微腔
- 高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用被引量：6
- 2002年
- 低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比 ,制作工艺简单 ,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压 ,降低了漏电电流 ,改进了器件参数空间分布的均匀性。我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术 ,成功地制作了有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器。
- 王文孟志国郭海成
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器有源矩阵有机发光二极管显示器
- 一种计算单元、卷积计算器及卷积计算器的计算方法
- 本发明公开的一种计算单元、卷积计算器及卷积计算器的计算方法，计算单元包括第一存储元件、第二存储元件和计算元件：所述第一存储元件受控于与其连接的第一扫描线上的扫描信号，读取并存储与其连接的第一信号线上的电信号；所述第二存储...
- 胡玉申王文
- 我国私营企业建立和谐劳动关系调节机制的研究
- 王文
- 关键词：劳动关系劳资冲突
- MEMS电容式压力传感器及其制造方法
- 本发明提供了一种MEMS电容式压力传感器及其制造方法。该MEMS电容式压力传感器包括集成在具有第一导电类型的同一衬底中的感测电容器和与其对应的用于对其进行补偿的多个参考电容器，其中，感测电容器包括衬底内的感测掩埋腔和感测...
- 王文曾凡
- 文献传递
- YAG倍频激光退火MILC-TFT技术
- 孟志国郭海城王文李娟吴春亚熊绍珍
- 该项目在非晶硅经金属诱导横向晶化（MILC）形成多晶硅的基础上，采用适当功率的、三倍频的YAG激光，对MILC薄膜进行附加的后续退火处理。这种附加的激光再退火过程，是MILC与激光退火两方法的结合，与MILC比起来，在保...
- 关键词：
- 中国企业社会责任评价与治理研究——基于沪深两地A股制造业上市公司的经验证据
- 随着社会的发展，企业社会责任问题正逐渐受到世界范围内各国政府、国际组织、非政府组织(NGO)以及企业界和学术界的广泛关注，认为企业应当履行社会责任的观点已经越来越被学术界和实务界人士广泛接受。企业履行好社会责任既是一种竞...
- 王文
- 关键词：上市公司社会责任利益相关者
- 文献传递
- 基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究(英文)被引量：1
- 2009年
- 以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜。所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50μm,空穴的最高霍尔迁移率为30 .8 cm2/V.s ,电子的最高霍尔迁移率为45 .6 cm2/V.s。用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为70 ～80 cm2/V.s ,亚阈值斜摆幅为1 .5 V/decade ,开关电流比为1 .01×107,开启电压为-8 .3 V。另外,P型的TFT在高栅偏压和热载流子偏压下具有良好的器件稳定性。
- 赵淑云孟志国吴春亚王文郭海成
- 125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板被引量：6
- 2006年
- 用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC过程所残留的Ni进行了吸除.通过流程简化,采用6块版工艺,研制出125mmQVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.
- 孟志国郭海成吴春亚王文熊绍珍
- 关键词：大晶粒薄膜晶体管
- 有源矩阵显示基板制备方法
- 有源矩阵显示基板制备方法本发明采用简化流程制备出适用于液晶和有机发光二极管显示器的有源基板。主要包括采用铝硅替代工艺，制备低电阻交叉引线技术；采用铝硅替代工艺，制备低源漏电阻的高性能TFT技术；多晶硅象素电极技术；将以上...
- 郭海成王文孟志国张冬利孙家鑫朱秀玲
- 文献传递
