梁士雄
- 作品数：7 被引量：8H指数：1
- 供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 可用于0.3THz的国产肖特基倍频二极管
- 本文基于半导体工艺，制作出了可用于THz频段的GaAs基肖特基倍频二极管。倍频二极管为反向级联二极管，通过制作欧姆接触阴极和肖特基接触阳极，制作的GaAs基肖特基二极管的尺寸为345um*55um*SOum(L*W*H)...
- 王俊龙邢东梁士雄张立森杨大宝吕元杰宋旭波何泽召冯志红
- 关键词：性能表征半导体工艺
- 文献传递
- 4×44H-SiC紫外雪崩光电二极管阵列
- 2020年
- 碳化硅(SiC)雪崩光电二极管(APD)固态紫外(UV)探测器在很多领域具有重要的潜在应用价值。针对4H-SiC APD阵列目前面临的像元良率较低和击穿电压一致性差等问题,基于吸收电荷倍增分离结构,设计制备了一款4×4的4H-SiC APD阵列芯片,并对其紫外探测性能和阵列像元的一致性进行了测试与分析。结果显示,所制备的4×4 4H-SiC APD阵列不但具有较大的像元面积,而且具有较好的紫外探测性能、较高的像元良率和较好的击穿电压一致性。室温下,像元的雪崩增益高达10~5以上,单位增益最大外量子效率为70%,阵列中16个像元均实现雪崩硬击穿,像元良率达到100%,击穿电压保持高度一致,均为157.2 V,在95%击穿电压时像元的暗电流全部小于1 nA。4H-SiC APD阵列性能的提高将为4H-SiC APD在紫外成像领域的应用奠定基础。
- 许婧周幸叶谭鑫吕元杰李佳梁士雄梁士雄
- 关键词：4H-SIC暗电流
- 基于GaAs肖特基二极管的220GHz线阵列被动接收前端被引量：1
- 2020年
- 基于GaAs肖特基二极管,研制了1×4多像素220 GHz线阵列被动接收前端,接收前端的每个接收通道包含一个W波段三倍频器和一个220 GHz分谐波混频器。三倍频器使用两个以串联结构集成4个肖特基结的二极管芯片实现平衡式倍频模式;220 GHz分谐波混频器使用一对反向并联结构的GaAs肖特基二极管实现混频功能。室温下输入功率为100 mW,三倍频器在90~110 GHz频带范围内功率效率超过5%;当本振动率为4 mW时,谐波混频器在200~220 GHz频带内变频损耗小于9 dB。接收前端的单个通道通过上机测试,成像性能良好。该接收前端尺寸为40 mm×38 mm×26 mm,可广泛应用于各种毫米波成像检测系统。
- 杨大宝梁士雄梁士雄张立森赵向阳吕元杰冯志红
- 关键词：接收前端成像
- 200~220GHz平衡式高效率二倍频器被引量：1
- 2022年
- 基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)芯片,研制了工作频率为200~220 GHz的二倍频器。采用抑制奇次谐波的平衡式电路拓扑结构以提高转换效率;采用击穿电压为-9 V的GaAs SBD并结合多阳极结结构芯片以提高输出功率;采用低阻微带线以减小波导短路面处的阻抗失配;采用三维电磁场仿真与谐波仿真结合的方法对二倍频器进行仿真。制作了二倍频器样品并对其输出功率、转换效率以及高/低温特性进行测试。测试结果表明该二倍频器在200~220 GHz的转换效率均大于10%,在215 GHz下实现了13.5 mW的输出功率和23.6%的转换效率。该二倍频器具有宽频带、高转换效率以及高/低温工作稳定等特点,可应用于下一代太赫兹通信、雷达等设备。
- 马春雷宋旭波梁士雄梁士雄顾国栋冯志红
- 关键词：太赫兹GAAS
- 阳极端点支撑空气桥结构太赫兹GaAs二极管被引量：7
- 2013年
- 研发了具有阳极端点支撑悬浮空气桥结构的太赫兹GaAs肖特基二极管工艺制作技术。该制作技术可以大幅降低GaAs肖特基二极管的寄生电容。利用此项技术,制作出了具有极小寄生电容和串联电阻的太赫兹GaAs肖特基二极管。GaAs肖特基二极管芯片采用了小尺寸芯片设计,芯片厚度为25μm、芯片长度为175μm、芯片宽度为55μm,其中单阳极GaAs肖特基二极管的结电容小于4 fF,串联电阻小于5Ω,总电容的典型值为7～8 fF。根据GaAs肖特基二极管的总电容(CT)计算,二极管的截止频率(fc)高达3.9 THz。这种GaAs肖特基二极管适合应用在太赫兹频段上。
- 邢东冯志红王俊龙张士祖梁士雄张立森宋旭波蔡树军
- 关键词：太赫兹寄生电容串联电阻
- 基于平面GaAs肖特基二极管的220 GHz倍频器
- 2014年
- 设计和制造了一种高效高功率的220GHz倍频器，倍频器的有源器件是一只反向串联二极管芯片，它是由四个平面GaAs肖特基二极管通过线性阵列方式集成到一块芯片上。使用ADS和HFSS软件相结合的方法对220GHz倍频器的进行了仿真优化，首先利用HFSS三维电磁仿真准确建立二极管和波导的结构模型，再利用ADS线性和非线性谐波电路仿真来优化倍频电路的性能。在210～230GHz的频带范围内，220GHz倍频器在20mW固定功率输入条件下测试，功率输出大于0．5mw；在100mw固定功率注入时，整个20GHz频带范围内功率输出大于2．1mW，在214GHz处输出峰值功率5mW，效率为5％。反向串联二极管单片上的二极管采用的是并联布局放置方式，这种方式将二极管产生的热量从二极管直接传导到波导腔体的金属导体壁上，利于散热。220GHz倍频器的研制成功，证明了国产平面封装GaAs肖特基二极管的毫米波频段的应用能力，其研制方法对将来更高频率的电路设计具有借鉴意义。
- 杨大宝王俊龙邢东梁士雄张立森冯志红
- 关键词：GHZ毫米波肖特基势垒二极管倍频器
- 复栅结构HEMT太赫兹探测器研究
- 太赫兹频段是对一个特定波段电磁频率的统称,它在电磁波谱中位于微波和红外辐射之间.太赫兹与微波毫米波相比,具有超高频性、透视性、安全性等特点.太赫兹探测器是太赫兹技术的核心器件之一,现有的超导、热电子辐射等太赫兹探测器普遍...
- 梁士雄邢东张立森王俊龙杨大宝冯志红
