林猷慎
- 作品数：13 被引量：17H指数：3
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- 国内热释电焦平面探测器研制新进展
- 昆明物理研究所于2003年3月成功实现了128×128热释电焦平面探测器的成像演示,国内非制冷焦平面器件研制取得了突破性进展.本文从热释电晶片制备技术、高吸收率吸收结构设计与制作、网格化热隔离技术、铟柱制备技术和倒装互连...
- 太云见黄承彩林猷慎黎力张丽华张敏
- 关键词：非制冷焦平面探测器热释电
- 文献传递
- 小型热释电探测器
- 报道的小型热释电探测器是将红外敏感元件和微型阻抗变抗器一起封装于T0—5管壳内，其特点是体积微小，价格低廉。灵敏元采用厚约50μm的钽酸锂晶片，光敏面积φ2mm，器件的D[***]（500，12.5，1）为1—3...
- 林猷慎张毓荣蒋青
- 关键词：热电探测器性能指标红外辐射探测率测量传感器
- 热释电探测器在自动喷香水装置中的应用
- 1989年
- 热释电探测器已广泛地应用于红外自动开关方面,我们设计装备的自动喷香水装置就是这种应用之一。本文叙述了针对本装置应用于舞厅的具体使用环境,如何选择热释电探测器的结构以及对红外探头性能的要求,在红外探头的安装上应注意的问题以及合理的电路设计思想。
- 张毓荣林猷慎王世月
- 关键词：香水探测器热释电
- 提高热释电探测器响应速度的电容补偿前置放大器
- 一种提高热释电探测器响应速度的电容补偿前置放大器，包括探测器、源跟随晶体管、偏置电阻构成的源跟随器，源跟随晶体管的栅极经偏置电阻接地，其特征是：源跟随晶体管的漏极连接一个漏跟随晶体管构成具有漏极补偿的漏源跟随器，源极连接...
- 林猷慎张毓荣林昕
- 文献传递
- 分级退火在PZT铁电薄膜中的运用
- 采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜.用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层.在衬底PZT(seedlayer)Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射Pb1.1(Zr0.3Ti0.7)O3...
- 王忠华赵维艳李振豪普朝光杨培志林猷慎
- 关键词：PZT铁电薄膜溶胶-凝胶法射频磁控溅射法红外探测器
- 文献传递
- 红外焦平面列阵热成像用陶瓷热释电材料的研制被引量：7
- 1995年
- 报道了在ＰＺＮＦＴＳⅠ型材料研究工作基础上提出的小面积探测器对材料选择的原则，通过进一步的添加改性制备ＰｚＮＦＴＳⅡ型材料，使得用ＰＺＮＦＴＳⅡ型材料制作的小面积探测器的性能进一步提高，其达到的数值说明这种材料基本上可以满足实用红外焦平面列阵对材料性能的要求。
- 刘瑞斌林盛卫瞿翠凤姚春华金绮华林猷慎张毓荣
- 关键词：热释电陶瓷材料红外探测器红外热像仪
- 电容补偿技术在热释电探测器上的应用被引量：1
- 1996年
- 介绍了快响应热释电探测器电容补偿技术的原理和适用范围，给出了探测器／前放组件性能的理论计算结果，用该技术研制的大面积快响应探测器性能有很大提高。
- 张毓荣林猷慎王泽明
- 关键词：热释电探测器补偿技术前置放大器
- 应用于快速响应热释电探测器的抗高过载前放组件
- 2012年
- 热释电探测器由于具有结构简单、性价比高等优点而备受青睐。就热释电探测器/前放组件在实际工作中需要较快的响应速度,从热释电探测器及前置放大器的设计着手考虑,成功研制出高灵敏度的快速响应热释电探测器/前放组件;针对热释电探测器-前置放大器组件使用时需要承受高过载冲击及剧烈振动,在几项关键工艺中采取了一系列措施。最后,给出了热释电探测器/前放组件的测试结果和环境试验结果,表明达到抗高过载、快速响应的要求。
- 白丕绩李煜孙琪艳陆剑鸣环健姬玉龙张敏袁俊林猷慎黄承彩
- 关键词：热释电探测器快速响应
- 高性能PZNFTSI陶瓷热释电材料与小面积红外探测器的研制被引量：5
- 1993年
- 本文探讨了小面积红外热释电探测器的探测率与热释电材料性能参数之间的关系,制备了热释电系数高达5.1×10^(-4)C.m^(-2)℃^(-1)的 PZNFTSI 型陶瓷热释电材料,并用其制作了一系列φ0.3mm 的小面积探测器,性能最高达5.9x10^8cm Hz^(1/2)W^(-1),远远超过同样尺寸的 LiTaO_3晶体探测器.探测率 D~*的测量结果与理论预测值符合得较好,克服了晶体热释电材料在小面积应用时的局限,为进一步开发红外焦平面列阵热像仪用的热释电材料提供了依据.
- 刘瑞斌林盛卫瞿翠凤姚春华金绮华林猷慎张毓荣
- 关键词：红外探测器铁电陶瓷
- 用于非制冷热释电红外探测器的PZT铁电薄膜研究被引量：2
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜．用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)／Pt／Ti／SiO2／Si上用射频磁控溅射过量10％Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0．3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜．采用在450℃预退火,575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理．PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能,热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为P=2．3×10-8C·cm-2·K-1,ε=500,tanδ=0．02,Fd=0．94×10-5Pa-0.5．
- 王忠华李振豪普朝光杨培志林猷慎
- 关键词：PZT
