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杜小峰

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇低温退火
  • 3篇电阻
  • 3篇退火
  • 3篇芯片
  • 3篇键合
  • 3篇键合强度
  • 3篇存储芯片
  • 2篇智能剥离技术
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体工艺
  • 1篇存储阵列

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇张挺
  • 3篇顾怡峰
  • 3篇宋志棠
  • 3篇杜小峰
  • 3篇刘卫丽
  • 3篇成岩
  • 3篇刘旭焱

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片
本发明涉及到一种三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片。该方法中采用室温等离子体活化键合技术将已含有外围电路层、或者同时含有外围电路和平面存储结构层的基片与包含用作选通管的薄膜材料层的SOI片键合；利用不高于400...
刘旭焱张挺刘卫丽宋志棠杜小峰顾怡峰成岩
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三维电阻转换存储芯片制备方法
本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体...
刘旭焱张挺刘卫丽宋志棠杜小峰顾怡峰成岩
三维电阻转换存储芯片制备方法
本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体...
刘旭焱张挺刘卫丽宋志棠杜小峰顾怡峰成岩
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