李文生
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
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- InAs单量子点精细结构光谱
- 2009年
- 在5K下,采用光致发光光谱和时间分辨光谱研究了不同单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、单激子/双激子发光光谱和相应发光动力学。给出InAs单量子点发光光谱所对应能级的精细结构及激子本征态的偏振特性。当精细结构能级劈裂为零时,激子的本征态为简并的圆偏振态。而当精细结构能级劈裂大于零时,一般在几十到几百μeV,激子的本征态为非简并的线偏振态。相对于单激子发光寿命,激子-激子间的散射使单激子的复合发光寿命减小。
- 李文生孙宝权
- 电场调谐InAs量子点荷电激子光学跃迁被引量：2
- 2013年
- 在低温5K下,采用光致发光光谱及外加偏压调谐量子点电荷组态研究了InAs单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、不同带电荷激子的圆偏振特性.得出如下结果:1)指认InAs单量子点中不同荷电激子的发光光谱和对应的激子本征态的偏振特性;2)外加偏压可以调谐量子点的荷电激子的发光光谱;3)伴随着电子、空穴的能量弛豫,电子的自旋弛豫时间远大于空穴的自旋弛豫时间.
- 李文生孙宝权
- 关键词：INAS量子点激子荧光光谱
- InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫被引量：2
- 2009年
- 利用分子束外延制备了三种类型量子点样品,它们分别是:未掺杂样品、n型Si调制掺杂样品和p型Be调制掺杂样品。在5K温度下,采用共聚焦显微镜系统,测量了单量子点的光致发光谱和时间分辨光谱,研究了单量子点中三种类型激子(本征激子、负电荷激子和正电荷激子)的电子/空穴自旋翻转时间。它们的自旋翻转时间常数分别为:本征激子的自旋翻转时间约16ns,正电荷激子中电子的自旋翻转时间约2ns,负电荷激子中空穴的自旋翻转时间约50ps。
- 李文生孙宝权
- 关键词：量子点激子
- 电场调谐InAs量子点激子精细结构劈裂
- 2012年
- 在低温5K下,采用光致发光光谱及外加偏压调谐InAs量子点激子精细结构劈裂,研究了不同量子点激子的精细结构劈裂值大小,以及垂直电场有效地调谐激子的精细结构劈裂.对于具有较小精细结构劈裂的量子点样品,外加偏压可以使其精细结构劈裂值减小到小于激子的本征光谱宽度,从而实现基于单双激子纠缠态的制备.
- 李文生孙宝权
