李兵
- 作品数：7 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学更多>>
- 脉冲高能量密度等离子体用于材料表面处理的方法
- 本发明涉及一种脉冲高能量密度等离子体用于材料表面处理的方法，该方法使用常规的受控核聚变产生等离子体装置，样品放在真空室内对着等离子体枪口处，在真空室内真空度达10<Sup>-1</Sup>-10<Sup>-3</Sup>...
- 杨思泽李兵吴成鲁伟刘赤子
- 文献传递
- 脉冲高能量密度等离子体用于材料表面处理的方法
- 本发明属于等离子体技术的应用领域，特别是脉冲高能量密度等离子体用于材料表面处理的方法，其特征在于将用于受控核聚变研究的高能量密度等离子体引入材料表面改性领域，除了具有激光束和电子束的快速加热速冷却的热效应外，还有等离子体...
- 杨思泽李兵吴成鲁伟刘赤子
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- 等离子体源材料内表面离子注入装置
- 本实用新型涉及一种等离子体处理装置,特别是涉及材料内表面等离子体改性处理装置。本实用新型的目的在于实现工件材料内表面的等离子体源离子注入,使工件内、外表面都能得到均匀的改性处理。为此提供一种由直流高压电源经脉冲调制器与真...
- 孙牧杨思泽李兵
- 文献传递
- 用高能量密度等离子体在室温下制备氮化钛薄膜被引量：7
- 1994年
- 氮化钛薄膜具有很多优异的性质,如高硬度,耐磨性,耐腐蚀性以及漂亮的金黄色.它是唯一在工业上被广泛运用的镀膜材料.然而目前主要沉积氮化钛膜的技术,如化学气相沉积(CVD),物理气相沉积(PVD)和近几年发展起来的离子束技术(IBM,IBAD)都有其自身难以克服的缺点,它们限制了氮化钛薄膜沉积技术的应用范围.这些缺点是:反应温度太高,镀膜与基底结合不牢,以及沉积速率太低.
- 闫鹏勋杨思泽李兵陈熙琛
- 关键词：等离子体氮化钛轴承钢
- 等离子体源离子注入同轴圆柱电极间的鞘层模型被引量：3
- 1997年
- 由等离子体源离子注入过程中圆筒零件与内电极构成的同轴圆柱电极间的鞘层扩展模型，推导出鞘层扩展前沿与扩展时间函数关系的微分方程，并利用二次样条插值法求出其数值解。这一结果可用来计算圆筒零件等离子体源内表面离子注入中每一脉冲时间内鞘层的扩展宽度，并依此计算出相应的注入剂量。
- 孙牧杨思泽李兵陈熙琛
- 关键词：等离子体源离子注入鞘层
- 立方氮化硼薄膜的脉冲等离子体室温生长被引量：3
- 1995年
- 立方氮化硼是一种具有仅次于金刚石的高硬度、高的热传导率、低的热膨胀系数、良好的红外光学性能和化学稳定性极强的新材料.其综合性能可以和金刚石相比拟.它在金属、半导体、电子和光学材料研究方面具有良好的应用前景.
- 闫鹏勋杨思泽李兵陈熙琛
- 关键词：氮化硼等离子体室温
- 室温低压下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜被引量：2
- 1995年
- 运用脉冲高能量密度等离子体，在室温下制成立方氮化硼薄膜．沉积薄膜的衬底材料分别选用单晶硅、氯化钠和ＧＣｒ１５轴承钢，用扫描电镜、透射电镜、红外吸收谱仪、扫描Ａｕｇｅｒ微探针等对沉积的薄膜进行了分析与测试，结果表明，氮化硼薄膜的结构及性质强烈地依赖于实验条件．分析表明立方氮化硼晶核的形成与衬底材料关系不大，但晶核的生长则部分地依赖于衬底．
- 阎鹏勋杨思泽孙牧任育峰李兵陈熙琛
- 关键词：脉冲等离子体立方氮化硼室温
