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李亮

作品数：28 被引量：19H指数：4
供职机构：云南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目云南省自然科学基金更多>>
相关领域：理学经济管理电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇理学
  • 2篇经济管理
  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 13篇溅射
  • 8篇量子点
  • 8篇硅基
  • 8篇硅基底
  • 7篇生长温度
  • 7篇磁控
  • 7篇磁控溅射
  • 6篇量子
  • 5篇导体
  • 5篇低维结构
  • 5篇离子束
  • 5篇离子束溅射
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体低维结...
  • 4篇直流磁控
  • 4篇直流磁控溅射
  • 4篇离子注入
  • 4篇发光
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米点

机构

  • 28篇云南大学
  • 2篇昆明理工大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇红河学院

作者

  • 28篇李亮
  • 22篇杨宇
  • 18篇王茺
  • 12篇靳映霞
  • 6篇杨杰
  • 6篇熊飞
  • 6篇关中杰
  • 4篇韦冬
  • 4篇张学贵
  • 4篇叶小松
  • 3篇鲁植全
  • 2篇周原
  • 2篇杨瑞东
  • 2篇张鑫鑫
  • 2篇潘红星
  • 1篇周庆
  • 1篇于方民
  • 1篇金景一
  • 1篇普小云
  • 1篇陶东平

传媒

  • 3篇物理学报
  • 3篇功能材料
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇云南科技管理
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 5篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
周期应力调制低温缓冲层硅基锗薄膜制备方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，首先制备Si缓冲层，然后在Si缓冲层上制备Ge纳米点，再在纳米点上覆盖一层低温Ge缓冲层。通过工艺实现在低温制备的Ge缓冲层中买入Ge纳米点作为薄膜的形核中...
靳映霞杨宇李亮关中杰
溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响被引量：1
2012年
利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
叶小松王茺关中杰靳映霞李亮杨宇
关键词：磁控溅射表面形貌
一种基于自离子注入SOI材料的近红外室温发光器件
本发明涉及一种基于自离子注入SOI材料的近红外室温发光器件，属于光电子技术领域。本发明的发光器件在1.50-1.60μm范围的室温强发光，器件基于缺陷环及缺陷环附近点缺陷的发光，发光器件结构从下往上分别是本征Si衬底→注...
王茺杨宇韦冬周原李亮
转印倒置模板法制备有序锗纳米点阵
本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法，特别是利用倒置多孔氧化铝模板，转印有序点阵技术，利用溅射技术制备有序高密度锗纳米点阵的制备方法。本发明采用经典两步阳极氧化法制备多孔氧化铝不通孔模板，然后利用溅射技术，在保持高真空...
靳映霞杨宇李亮张鑫鑫
文献传递
民营航空公司的发展对策研究——以A公司为例
中国民用航空运输业保持着计划经济体制下形成的行政管理特色，行政机构对行业资源进行人为地垄断，造成了行业效率不高，企业实力不强的后果。随着中国对外经济依存度的升高，市场在WT0协议的驱动下，逐步对外开放，而中国航空企业的竞...
李亮
关键词：差异化战略
温度对SiO_2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响被引量：2
2010年
采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品。原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同。当衬底生长温度达到500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成"Ge纳米点的Si窗口"。在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010cm-2的Ge纳米点。
夏中高王茺鲁植全李亮杨宇
关键词：磁控溅射SIO2薄膜
用离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ge量子点的方法
本发明涉及一种用离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ge量子点的方法，属半导体量子材料的制备技术领域。本发明采用离子束真空溅射技术，使用氩气作为工作气体，在生长温度为600℃~800℃，工作室本底真空度小于3.0×10<S...
杨宇王茺熊飞杨杰张学贵李亮
磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜材料的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，基于低温生长高温退火的两步法，制备大高宽比Ge量子点的制备方法。本发明采用直流磁控溅射技术，工作室保持高真空环境，使用氩气作为工作气体，在工作室溅射压强...
杨宇靳映霞叶小松李亮关中杰王茺
文献传递
周期应力调制低温缓冲层硅基锗薄膜制备方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，首先制备Si缓冲层，然后在Si缓冲层上制备Ge纳米点，再在纳米点上覆盖一层低温Ge缓冲层。通过工艺实现在低温制备的Ge缓冲层中埋入Ge纳米点作为薄膜的形核中...
靳映霞杨宇李亮关中杰
文献传递
用Si<Sup>+</Sup>自注入制备室温下硅晶体D<Sub>1</Sub>线发光材料的方法
本发明涉及一种用Si<Sup>+</Sup>自注入制备室温下硅晶体D<Sub>1</Sub>线发光材料的方法，属于光电子技术领域。本方法具体步骤为：a.用离子注入机将Si<Sup>+</Sup>作为注入离子自注入用现有方...
杨宇王茺韦冬李亮熊飞
文献传递
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