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徐联
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59
被引量:17
H指数:3
供职机构:
中国科学院声学研究所
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国家自然科学基金
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合作作者
汪承灏
中国科学院声学研究所
李俊红
中国科学院声学研究所
魏建辉
中国科学院声学研究所
田静
中国科学院声学研究所
黄歆
中国科学院声学研究所
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1999
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1993
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甚高频低段射频声表面波滤波器
本实用新型涉及一种用于有线电视邻频前端的甚高频低段射频处理声表面波滤波器。它以压电晶体Y128°铌酸锂为基片,由二个换能器和多条带耦合器组成,换能器的加权均采用切指加权。其性能指标明显优于以往的电感电容滤波器和螺旋滤波器...
徐联
金国华
魏建辉
文献传递
一种采用成熟工艺制作的新型硅微电容传声器芯片
本实用新型公开了一种采用成熟工艺制作的新型硅微电容传声器芯片。该硅微电容传声器芯片包括多晶硅振动膜、保护层、隔离层、空气间隙、硅基片及其上的穿孔背板,该穿孔背板包括一掺杂层且具有由多个声学孔,该声学孔是刻蚀一连续的掺杂层...
乔东海
胡维
田静
徐联
汪承灏
文献传递
一种以多晶硅为振动膜的MEMS传声器研制
本文给出了以磷掺杂的多晶硅为振动膜的电容式MEMS传声器的研制过程.从等效电路模型出发,研究了电容式MEMS传声器的振动特性和灵敏度,给出了传声器灵敏度随振动膜张力、膜与背板间的空气隙厚度、背板声孔大小及背板声孔所占面积...
乔东海
田静
徐联
汪承灏
关键词:
电容式传声器
MEMS器件
多晶硅薄膜
文献传递
圆形振动膜硅微电容传声器
硅微传声器是一种用MEMS技术制造的、将声信号转换为电信号的声学传感器.该传声器只需五次光刻工艺即可制作完成,其灵敏度在偏置电压为9V时可达15mV/Pa左右,在100Hz~18kHz的范围内的频率响应也较平坦.
田静
汪承灏
徐联
乔东海
马军
郝震宏
魏建辉
关键词:
微电子机械系统
硅微电容传声器
文献传递
具有高灵敏度的用于硅微电容传声器中的芯片
本实用新型涉及具有高灵敏度的用于硅微电容传声器中的芯片,包括一n-型硅基片,在硅基片的正面扩散硼形成p+型搀杂层,在其上通过沉积二氧化硅并光刻、腐蚀成隔离层,在隔离层上附着一振动膜层,振动膜层之上沉积金属铝膜和方形铝电极...
徐联
汪承灏
魏建辉
黄歆
李俊红
文献传递
软支撑桥式硅微压电超声换能器芯片及其制备方法
一种软支撑桥式硅微压电超声换能器芯片,其包括:中心设上小下大方锥形孔的硅基片;其正面依次覆有硅层和第一氧化层,背面覆有第二氧化层;硅基片正面方孔之上对应的硅层和第一氧化层构成为方形振动膜,方形振动膜的一对对边分别刻蚀一条...
李俊红
汪承灏
刘梦伟
徐联
文献传递
一种用于硅微电容传声器中的芯片
本实用新型涉及一种用于硅微电容传声器中的芯片及其制备方法。该芯片包括一n-型硅基片,在其正面扩散硼形成p+型搀杂层,在该层上面沉积二氧化硅、刻蚀成隔离层,在其上附着一振动膜层,振动膜层之上沉积金属铝膜,并光刻、腐蚀成圆形...
徐联
汪承灏
黄歆
魏建辉
李俊红
文献传递
一种防粘连的硅微电容传声器芯片及其制备方法
本发明涉及一种防粘连硅微电容传声器芯片及其制备方法,包括硅基片,穿孔背板,振动膜,电极,其特征在于,所述穿孔背板位于硅基片的空心区域上方,所述振动膜位于穿孔背板上方,由一环形的隔离支撑层支撑,振动膜与穿孔背板之间形成空气...
潘昕
汪承灏
徐联
文献传递
一种用于硅微电容传声器中的芯片及其制备方法
本发明涉及一种用于硅微电容传声器中的芯片及其制备方法。该芯片包括一n-型硅基片,在其正面扩散硼形成p+型搀杂层,在该层上面沉积二氧化硅、刻蚀成隔离层,在其上附着一振动膜层,振动膜层之上沉积金属铝膜,并光刻、腐蚀成圆形铝膜...
徐联
汪承灏
魏建辉
黄歆
李俊红
文献传递
振动膜外围采用边缘开槽的硅微电容传声器研究
<正>1引言随着硅微传声器的小型化,导致振动膜面积的减小,传声器的灵敏度大为降低。为了弥补振动膜面积减小对灵敏度的影响,可行的办法是降低振动膜张力。为此我们研究了一种特殊的振动膜外围边
马军
张晓辉
汪承灏
徐联
田静
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