张念国
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教委重点项目北京市属高等学校人才强教计划资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响被引量：1
- 2006年
- 利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明，采用具有斜切角度的衬底，可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性，并且存在一个衬底最优斜切角度0．2°，此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢艳辉李彤张念国韩军邓军沈光地
- 关键词：氮化镓蓝宝石衬底MOCVD
- InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长被引量：5
- 2007年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED)。发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍。通过掺入一定量的In来降低蓝光和绿光量子阱之间的垒层的势垒高度,增加注入到离p-GaN层较远的绿光有源区的空穴浓度,从而改变蓝光和绿光发光峰的强度比。研究了蓝光和绿光量子阱间垒层In组分对双波长LED的发光性质的影响。此外,研究了双波长LED发光特性随注入电流的变化。
- 沈光地张念国刘建平牛南辉李彤邢艳辉林巧明郭霞
- 关键词：MOCVD
- Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究被引量：8
- 2007年
- 采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析,发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高,说明Delta掺杂可有效抑制缺陷,并对缺陷抑制机理进行了讨论;最后,对掺杂前的预通氨过程作了深入的研究,结果发现,预通氨对掺杂不益.
- 李彤王怀兵刘建平牛南辉张念国邢艳辉韩军刘莹高国沈光地
- 关键词：氮化镓LEDSMOCVD
- 高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
- 2006年
- 采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN(0≤x≤0.3)外延材料样品.对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究.研究发现在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaNMg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaNMg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置.
- 刘乃鑫王怀兵刘建平牛南辉张念国李彤邢艳辉韩军郭霞沈光地
- 关键词：光致发光金属有机物化学气相沉积
