巨楷如
- 作品数:6 被引量:7H指数:2
- 供职机构:中国人民解放军军械工程学院静电与电磁防护研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学电子电信自然科学总论更多>>
- 硅基微波低噪声晶体管2SC3356的ESD潜在性损伤特性研究
- 对硅基微波低噪声晶体管2SC3356进行 CB 结反偏注入,研究了其 ESD 潜在性失效规律。在实验中通过监测器件的放大倍数 h来表征器件的潜在损伤程度。结果表明在低于损伤阈值的 ESD 作用下,确实可造成晶体管的潜在损...
- 巨楷如杨洁祁树锋刘尚合
- 关键词:静电放电双极性晶体管
- 文献传递
- ESD对微电子器件造成潜在性失效的研究综述被引量:7
- 2006年
- 静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视.国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展.研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实存在潜在性失效问题.因此,开展ESD潜在性失效研究具有重要意义.
- 祁树锋杨洁刘红兵巨楷如刘尚合
- 关键词:ESD微电子器件
- ESD对2SC3356造成的积累效应研究
- 本文研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件2SC3356造成的潜在性失效.采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356从CB结施加了一系列低电压的ESD应力,结果表明:低于损伤阈值的ESD应力可以在2SC...
- 祁树锋刘尚合杨洁巨楷如
- 关键词:ESD微电子器件
- 文献传递
- 硅基微波低噪声晶体管2SC3356的ESD潜在性损伤特性研究
- 对硅基微波低噪声晶体管2SC3356进行CB结反偏注入,研究了其ESD潜在性失效规律.在实验中通过监测器件的放大倍数hFE来表征器件的潜在损伤程度.结果表明在低于损伤阈值的ESD作用下,确实可造成晶体管的潜在损伤,并以一...
- 巨楷如杨洁祁树锋刘尚合
- 关键词:静电放电双极性晶体管
- 文献传递
- ESD对2SC3356造成的积累效应研究
- 本文研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件2SC3356造成的潜在性失效。采用人体模型(HBM) 对微波低噪声晶体管2SC3356从 CB 结施加了一系列低电压的 ESD 应力,结果表明:低于损伤阈值的 ESD 应...
- 祁树锋刘尚合杨洁巨楷如
- 关键词:ESD微电子器件
- 文献传递
- 低电压ESD对2SC3356造成的事件相关潜在性失效被引量:2
- 2007年
- 研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的事件相关潜在性失效.从CB管脚对微波低噪声NPN晶体管2SC3356施加低电压人体模型(HBM)的ESD应力,发现,随着ESD应力次数的增加,器件的放大特性hFE逐渐退化,并且当电压达到一定水平,多次的ESD可以使器件失效.研究表明,低电压的ESD对器件造成的损伤具有潜在性和积累性.
- 祁树锋杨洁刘红兵刘尚合巨楷如
- 关键词:ESD微电子器件