宋斌斌
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：北京科技大学应用科学学院物理系更多>>
- 相关领域：理学核科学技术一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 氧氩比对低活化马氏体钢表面氧化铪涂层性能的影响
- 2009年
- 本文采用射频磁控溅射法在不同氧氩比下制备氧化铪涂层。研究了涂层的沉积速率、表面形貌、微观结构和电绝缘特性随氧氩比的变化。结果表明用此方法在低活化马氏体钢上制备的氧化铪涂层表面致密、无明显孔洞;低活化马氏体钢为衬底时涂层较易结晶为以单斜相为主的晶体结构;且涂层的绝缘特性受氧氩比影响较大,氧氩比为0.7和1.2下制备的涂层击穿场强小于1MV/cm,电绝缘特性较差,在较低氧氩比下制备的涂层有较理想的绝缘性能。
- 宋斌斌吴平周多文闫丹赵以德赵守田张师平陈森
- 关键词：射频磁控溅射氧化铪X射线衍射绝缘涂层
- 磁控溅射法制备聚变堆包层涂层的研究
- 宋斌斌
- 关键词：磁控溅射绝缘特性
- 射频磁控溅射法制备氧化铝涂层绝缘性能及吸氢特性被引量：5
- 2010年
- 氧化铝具有优良的绝缘和阻氚性能,是ITER候选功能材料之一。本工作采用射频磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)钢基底上制备了氧化铝涂层。分别采用掠入射X射线衍射、Raman激光光谱和原子力显微镜对氧化铝涂层的结构和表面形貌进行了表征;测量了氧化铝涂层体电阻率;研究了氧化铝涂层样品的吸氢特性。结果表明:氧氩比为0.1和0.5下制备的氧化铝涂层为非晶结构,氧氩比为0.4下制备的涂层中出现了结晶程度较差的氧化铝δ相结构;氧氩比为0.1和0.4下制备的涂层粗糙度和粒径均小于氧氩比为0.5下制备的涂层;不同氧氩比下制备的氧化铝涂层体电阻率均超过2.7×1014Ω·cm,氧氩比为0.4下制备的涂层电阻率最高,达到2.1×1015Ω·cm;氧氩比为0.5下制备的涂层样品具有最低的吸氢量。氧氩比对涂层的电绝缘特性和吸氢特性有显著影响。
- 宋斌斌吴平陈森巨新赵以德张师平闫丹李新连
- 关键词：氧化铝涂层绝缘性能吸氢
- 脉冲磁控溅射法制备单斜相氧化铒涂层被引量：2
- 2011年
- 用中频脉冲反应磁控溅射法,在溅射功率为78W,93W和124W以及衬底温度分别为室温,500℃及677℃下制备了氧化铒涂层.采用原子力显微镜、纳米压痕、X射线衍射和掠入射X射线衍射法研究了涂层的形貌、力学性能及物相结构.测量了涂层的电学性能.结果显示,脉冲磁控溅射沉积氧化铒涂层具有较高的沉积速率.实验制备得到了单斜相结构的氧化铒涂层.提高溅射功率时,沉积速率从28nm/min增大至68nm/min,涂层的结晶质量显著下降.提高衬底温度至500℃和677℃时,单斜相衍射峰强度下降.分析认为,较低的衬底温度和较高沉积速率有利于氧化铒涂层形成单斜相结构.涂层的硬度和弹性模量分别为11.9—15.7GPa和179—225GPa.室温至677℃制备的涂层均具有较高的电阻率,为(1.5—3.1)×1012Ω·cm,满足聚变堆包层绝缘涂层的应用要求.
- 李新连吴平邱宏陈森宋斌斌
- 关键词：氧化铒
