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孙沩

作品数：10 被引量：3H指数：1
供职机构：华东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信历史地理一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇电迁移
  • 5篇金属化
  • 4篇电路
  • 3篇互连
  • 3篇集成电路
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 2篇电路可靠性
  • 2篇多层结构
  • 2篇铜合金
  • 2篇迁移
  • 2篇铝硅
  • 2篇铝硅铜合金
  • 2篇铝铜
  • 2篇铝铜合金
  • 2篇互连线
  • 2篇硅铜
  • 2篇合金
  • 1篇圆片
  • 1篇圆片级

机构

  • 9篇华东师范大学

作者

  • 9篇孙沩
  • 9篇张蓓榕
  • 2篇忻佩胜
  • 1篇祝伟明

传媒

  • 3篇微电子学与计...
  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇华东师范大学...
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
  • 2篇1992
  • 2篇1990
共 10 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
Al—Si(1%)金属化电迁移参数的测定被引量：1
1990年
本文用测量电阻变化的方法,研究了Al-Si(1%)金属化线条的电迁移失效.通过不同温度、电流密度应力的加速试验,得到了在所用应力范围内Al-Si(1%)合金电迁移的两个重要参量值:电流密度指数n 和电迁移激活能Q;并用扫描电镜对失效样品进行了观察和对实验结果作了初步的分析讨论.
张蓓榕祝伟明孙沩
关键词：金属化电迁移半导体器件
铝硅铜合金和铝铜合金多层结构的电迁移行为
1995年
本文给出了由同一工艺线上加工的铝硅和铝硅钢金属互连线的电迁移加速寿命试验结果,后者寿命比前者要高一个数量级.我们对此作了简要的说明;并介绍了铝铜多层结构互连的抗电迁移性能.
张蓓榕孙沩
关键词：半导体器件IC电路多层结构互连
ＡＩ－Ｓｉ（１﹪）互连线电迁移失效研究
张蓓榕忻佩胜孙沩
关键词：集成电路电路可靠性硅互连工艺
Al－Si（1％）互连线电迁移失效研究被引量：2
1994年
本文介绍了用测试结构做的Ａｌ－Ｓｉ（１％）互连线的电迁移加速寿命试验。加速温度为１７５℃，电流密度为１－３×１０６Ａ／ｃｍ２。观察到线条的不同几何因素（长、宽、厚），不同的溅射工艺和钝化层，以及氧化层台阶都对电迁移寿命有显著的影响。对实验结果作了初步的分析和讨论。
张蓓榕忻佩胜孙沩
关键词：电迁移金属化集成电路互连
金属化电迁移失效的圆片级监控技术
1993年
介绍3种圆片级金属化电迁移可靠性测试技术:(1)金属击穿能量技术;(2)标准圆片级电迁移加速测试技术;(3)标准圆片级等温焦耳热电迁移测试技术实验结果表明它们优于传统的电迁移寿命试验,可用作在线监控.
张蓓榕孙沩
关键词：电迁移圆片级监控技术
AlSi(190)金属化电迁移参数的测定
张蓓榕祝伟明孙沩
关键词：半导体器件迁移
几种快速分析电迁移失效的新技术
1993年
介绍几种快速分析金属膜电迁移失效的新技术:(1)利用晶粒大小分布预示电迁移性能;(2)用电阻比法作为金属薄膜的监控器;(3)利用噪声测量预示电迁移的可靠性;(4)用内摩擦法分析电迁移失效.
张蓓榕孙沩
关键词：金属膜晶粒大小噪声测量监控器
金属化电迁移失效监控技术综述
张蓓榕孙沩
关键词：超大规模集成电路电路可靠性监视控制迁移
铝硅铜合金和铝铜合金多层结构的电迁移行为
张蓓榕孙沩
关键词：合金
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共1页<1>
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