刘曾怡
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- FTO导电玻璃对太阳电池窗口层材料的影响被引量：4
- 2010年
- P型微晶碳化硅薄膜(P-μc-SiC∶H)作为非晶硅薄膜太阳电池的窗口层材料,能够提高P层的光学带隙,增加窗口层可见光部分的透光率,从而提高太阳电池的填充因子和转换效率。本文研究射频功率、反应温度、SiH4和CH4气体流量比对FTO导电玻璃上P型μc-SiC∶H薄膜的光学带隙、透光率的影响。并在相同工艺条件下对比三种主流导电玻璃(ITO、AZO、FTO)上的薄膜光学特性,找到最适合做太阳能电池P-μc-SiC∶H薄膜的基板。
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- 关键词：FTO
- 用于高速寻址PDP的六硼化镧薄膜制备与放电特性研究
- 商用的等离子平板显示器(PDP)拥有巨大的市场前景，但在全球性的节能减排和平板显示设备激烈的技术竞争背景下，现有的PDP显示器相对于其他平板显示设备的高功耗特性已经制约了其发展速度。通过新材料的应用来降低PDP显示设备的...
- 刘曾怡
- 关键词：放电特性等离子显示器
- 文献传递
- 大面积六硼化镧薄膜阴极制备及性能被引量：1
- 2011年
- 采用电子束蒸发方法在大面积玻璃基底和钽基底上沉积六硼化镧薄膜阴极。分别对玻璃基底上沉积的六硼化镧薄膜的生长取向、附着力与不同蒸发角度(0°,30°,45°和60°)的关系进行了研究;对钽基底上沉积的六硼化镧薄膜阴极的逸出功进行了研究。结果表明:在基底温度为250℃时,制备的六硼化镧薄膜具有(100)晶面择优生长的特点;蒸发角度为45°时,六硼化镧薄膜(100)晶面的晶格常数与靶材相差最小,晶粒较小;根据优化的工艺制备的六硼化镧薄膜阴极的逸出功为2.56 eV。
- 刘曾怡林祖伦王小菊曹贵川祁康成
- 关键词：电子束蒸发逸出功
- 适用于PDP的透明六硼化镧薄膜性能研究被引量：3
- 2011年
- 采用电子束蒸发方法在商用PDP玻璃衬底和Ta衬底上沉积六硼化镧薄膜。分别对PDP玻璃衬底上沉积的六硼化镧薄膜的可见光范围内的透过率、薄膜生长取向和附着力进行了研究;对钽衬底上沉积的六硼化镧薄膜阴极的逸出功进行了研究。结果表明,制备的六硼化镧薄膜厚度为43nm时,在可见光范围内透过率大于90%,优于传统MgO保护层;六硼化镧薄膜具有(100)晶面择优生长的特点,薄膜的晶格常数与靶材相差小于0.2‰,薄膜的晶粒细小,成膜致密均匀;制备的透明六硼化镧薄膜的逸出功为2.56eV。
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- 关键词：电子束蒸发透过率逸出功PDP
