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何青

作品数:111 被引量:206H指数:10
供职机构:南开大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 46篇会议论文
  • 42篇期刊文章
  • 12篇专利
  • 7篇科技成果
  • 3篇学位论文

领域

  • 55篇电气工程
  • 22篇电子电信
  • 13篇理学
  • 10篇一般工业技术
  • 2篇经济管理
  • 2篇化学工程
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 56篇电池
  • 52篇太阳电池
  • 30篇薄膜太阳电池
  • 29篇CIGS薄膜
  • 27篇GA
  • 17篇CIGS
  • 16篇CU
  • 14篇溅射
  • 14篇SE
  • 12篇CIGS薄膜...
  • 11篇CU(IN,...
  • 10篇电沉积
  • 9篇半导体
  • 8篇预制
  • 8篇金属
  • 7篇预置
  • 7篇铜铟镓硒
  • 7篇ZNO
  • 6篇孪生
  • 6篇磁控

机构

  • 106篇南开大学
  • 3篇天津大学
  • 3篇天津市光电子...
  • 2篇西南民族大学
  • 1篇南昌航空工业...
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇云南大学
  • 1篇安徽工程大学

作者

  • 110篇何青
  • 94篇孙云
  • 57篇李凤岩
  • 57篇周志强
  • 42篇敖建平
  • 41篇刘芳芳
  • 36篇李长健
  • 35篇孙国忠
  • 20篇薛玉明
  • 17篇张力
  • 15篇刘玮
  • 13篇李宝璋
  • 11篇李伟
  • 9篇张超
  • 8篇朴英美
  • 8篇姜伟龙
  • 7篇于涛
  • 6篇施成营
  • 6篇汲明亮
  • 6篇徐传明

传媒

  • 9篇人工晶体学报
  • 8篇太阳能学报
  • 7篇第九届中国太...
  • 6篇物理学报
  • 5篇Journa...
  • 5篇第13届中国...
  • 3篇光电子.激光
  • 3篇第十届固体薄...
  • 2篇物理化学学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇第十一届中国...
  • 1篇科技导报
  • 1篇光子学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇真空
  • 1篇新材料产业
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇西南民族大学...
  • 1篇2005’全...
  • 1篇第十届中国太...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2014
  • 8篇2013
  • 7篇2012
  • 4篇2011
  • 8篇2010
  • 8篇2009
  • 14篇2008
  • 11篇2007
  • 17篇2006
  • 9篇2005
  • 13篇2004
  • 3篇2003
111 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种用于硒化处理的高活性硒源的产生方法及装置和应用
一种用于硒化处理的高活性硒源的产生方法及装置和应用。本发明方法包括:将固态硒加热蒸发产生硒蒸汽;向上步产生的硒蒸汽中并入氢气,或氢气与氩气的混合气体;将上步混合气体进行等离子体辉光分解与合成,得到硒化氢及高活性的硒气氛。...
孙云于涛李凤岩李宝璋李长健何青
文献传递
孪生对靶溅射ZnO:AI薄膜的研究
采用对向孪生靶溅射ZnO:Al(ZAO)薄膜可减少等离子体对基底薄膜轰击损伤,沉积速率与结晶程度高:不同气压溅射的ZAO薄膜,其透光率在波长小于700nm时基本相同,在可见光范围内(400nm~700nm).都大于80%...
薛玉明刘维一朴英美李凤岩何青周志强孙云
关键词:ZNO透过率
文献传递
聚酰亚胺衬底CIGS薄膜附着性的改善被引量:1
2010年
为改善聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的附着性,提出在NaF沉积前预先在Mo层上蒸发沉积100nm厚的In-Ga-Se(IGS)薄膜的新掺Na工艺。结果表明:这种IGS-NaF-CIGS式新工艺可显著改善CIGS薄膜的附着,而且CIGS薄膜材料和器件特性没有显著退化;新工艺促进了NaInSe2的生成,减少了In-Se二元相的残余,但也造成薄膜电阻率的升高和电池填充因子的下降,进而导致制备的PI衬底CIGS电池的转换效率由9.8%降至9.0%。综合考虑附着性的改善和器件效率的轻微下降,新工艺利大于弊,有很好的应用前景。
姜伟龙何青刘玮于涛刘芳芳逄金波李凤岩李长健孙云
关键词:附着性
MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究被引量:23
2005年
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。
徐步衡薛俊明赵颖张晓丹魏长春孙建刘芳芳何青侯国付任慧志张德坤耿新华
关键词:薄膜太阳电池MOCVD金属有机物化学气相沉积二乙基锌衬底温度MOL
Cu(In,Ga)Se2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响被引量:4
2010年
本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布。随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压Voc明显增大。同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围,减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流Jsc的损失,从而有效地提高了电池的转换效率。
王赫刘芳芳孙云何青张毅李长健
非真空法制备CIGS薄膜太阳电池研究进展
非真空法制备CIGS薄膜是进一步降低CIGS薄膜太阳电池生产成本的有效途径。金属氧化物纳米粒子涂料涂覆法制备的电池效率达到13.6%;非氧化物纳米粒子涂料制备的CIGS薄膜太阳电池效率达到14.5%。电沉积法制备CIGS...
敖建平闫礼杨亮孙国忠何青孙云
关键词:CIGS薄膜太阳电池电沉积法
文献传递
射频溅射氧化锌薄膜晶体结构和电学性质
ZnO薄膜是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,具有优异的结构、光学和电学特性,使其在太阳电池、液晶显示器、热反射镜等领域得到广泛的应用。铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al-ZAO)透明导电膜在可见光区内具有较高的透射率...
汲明亮李凤岩何青李伟孙云刘唯一徐传明薛玉明周志强
文献传递
一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法
一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法。现有电沉积方法制备的In薄膜表面呈“岛状”形貌,影响薄膜成分和厚度均匀性,对制备高质量半导体薄膜产生不利影响。本发明提供的脉冲电沉积方法在室温下InC...
毕金莲敖建平高青张照景孙国忠周志强何青张毅孙云
文献传递
超薄ZnO薄膜在Cu(In,Ga)Se2太阳电池中的应用
采用中频溅射制备ZnO 薄膜可有效改善射频磁控溅射速率慢的缺点。对于多层薄膜的制备,对向靶的设计可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。本文采用这项技术沉积厚度约为50nm的ZnO 薄膜,通过调整工作压强、溅射...
李微孙云敖建平何青刘芳芳李凤岩
关键词:氧化锌太阳电池射频磁控溅射
文献传递
孪生对靶直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜及其特性研究被引量:11
2006年
本文以ZnO:A l(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性。采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。制备的薄膜具有结晶程度高、电阻率低、迁移率高等优点。ZAO薄膜的最低电阻率达到了4.47×10-4Ω.cm,在可见光区的平均透过率达到85%以上,非常适合做为铜铟硒(C IS)薄膜太阳电池窗口层。
李微孙云何青刘芳芳李凤岩
关键词:磁控溅射ZNO:AL
共11页<12345678910>
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