任明放
- 作品数：43 被引量：106H指数：5
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- 退火温度对Bi_4Ti_3O_(12)_Bi_3TiNbO_9复合薄膜铁电性能的影响
- 2010年
- 研究了退火工艺对溶胶-凝胶法Bi4Ti3O12_Bi3TiNbO9复合薄膜铁电性能的影响。结果表明,采用溶胶-凝胶工艺制备Bi4Ti3O12_Bi3TiNbO9复合薄膜,可将薄膜的剩余极化值Pr提高到19.8μC/cm2(而Bi4Ti3O12薄膜的Pr只有15μC/cm2);薄膜在650℃退火可获得最佳的铁电性能。
- 李健王华许积文任明放杨玲
- 关键词：铁电性能退火温度
- 自整流电致阻变异质结的制备与性能研究
- 王华许积文杨玲周尚菊任明放高书明孙丙成李志达张玉佩
- 存储器是计算机、通讯设备等信息处理系统中不可或缺的关键组成部分，已成为其关键技术和经济影响因素之一。然而，当今在快速存取数据存储器中居支配地位的半导体随机存储器(SRAM)存在重大缺陷：电源一消失就会失去所有信息，即挥发...
- 关键词：
- 关键词：存储器
- 热处理工艺对室温制备ZnO∶Al薄膜结构与光电性能的影响被引量：3
- 2009年
- 采用室温溅射加后续退火工艺制备了ZnO∶Al透明导电薄膜。研究了热处理工艺对薄膜微观结构和光电性能的影响。研究表明:退火有助于减小Al3+对Zn2+的取代造成的晶格畸变,消除应力,促进晶粒长大,有效提高电子浓度和迁移率,降低电阻率;当溅射功率为80W、退火温度为320℃时,薄膜的电阻率可低至8.6×10-4Ω.cm;退火气氛对薄膜的导电性能有较大影响,真空退火可使吸附氧脱附,大大降低薄膜的方块电阻。而退火温度和退火气氛均对ZnO∶Al薄膜的透光率没有明显影响,薄膜的透光率在86%以上。
- 任明放王华许积文杨玲
- 关键词：光电性能磁控溅射退火工艺
- 超声喷雾热解法制备Mg_xZn_(1-x)O薄膜及其性能研究被引量：1
- 2010年
- 采用超声喷雾热解法在石英玻璃衬底上生长出不同组分的宽禁带Mg_xZn_(1-x)O薄膜(x=0、0.08、0.16、0.25)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计等分析测试手段对Mg_xZn_(1-x)O薄膜的晶体结构、透光性及禁带宽度进行了研究。结果表明,随着Mg含量的增加,Mg_xZn_(1-x)O薄膜仍然保持着ZnO的纤锌矿结构,没有生成MgO相,Mg可以有效地溶入ZnO的晶格中。Mg_xZn_(1-x)O薄膜具有良好的透光性,在可见波段的光透过率达85%以上;此外,随着Mg含量的增加,Mg_xZn_(1-x)O薄膜的吸收边出现蓝移现象,禁带宽度从3.30eV增大到3.54eV。
- 曹信言王华许积文杨玲任明放
- 关键词：透光性禁带宽度
- Fe^(3+)掺杂对二氧化钛薄膜结构与光吸收及催化性能的影响被引量：3
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶工艺制备了Fe3+掺杂的TiO2薄膜,研究了掺杂量对TiO2薄膜的晶相转变、晶粒大小、表面形貌、紫外及可见光吸收率以及光催化效率的影响。结果表明低浓度Fe3+掺杂可形成锐钛矿相与金红石相共存,而高浓度Fe3+掺杂TiO2薄膜为纯锐钛矿相,并且其衍射峰向高角度偏移。0.1%摩尔分数掺杂的薄膜具有最佳颗粒度和表面结构,其光吸收范围最大,光催化效率最高。
- 左卫群杨玲王华任明放许积文
- 关键词：TIO2薄膜UV-VIS光催化
- Mg_xZn_(1-x)O:Al靶材制备工艺和Mg掺杂对微观结构的影响研究
- 2009年
- 以纳米级的ZnO、MgO和Al2O3粉体为原料,经过湿式球磨得到了混合粉体,采用常压固相烧结的方法制备了高致密度MgxZn1-xO:Al陶瓷靶材,研究了预烧粉体、Mg掺杂量和烧结温度对靶材微观结构和性能的影响。研究表明,预烧粉体可以减少第二相的生成;随着Mg掺杂量的增加,MgO立方相逐渐增多,在x=0.3时产生了相分离;在1100～1300℃内,随着烧结温度的升高,靶材的晶粒大小和密度逐渐增大,增大趋势在1300℃后变缓,1300℃烧结4h可以制得结构均匀、高致密度的MgxZn1-xO:Al靶材。
- 黄竹王华许积文杨玲任明放
- 关键词：预烧微观结构
- 湿法刻蚀对ZnO:Al透明导电薄膜结构与性能的影响
- 室温直流磁控溅射Al2O3掺杂3wt[％]的ZnO靶材制备了厚度～1μm,结晶度高、表面平整光滑的ZnO:Al透明导电薄膜。研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO:Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电...
- 许积文王华杨玲任明放
- 关键词：湿法刻蚀透明导电薄膜直流磁控溅射陷光结构
- 文献传递
- 电桥温度计二步线性化方法的研究与PSpice仿真
- 2008年
- 结合热敏电阻电桥温度计,提出一种处理非线性问题的二步线性化方法,导出几种典型的二步线性化方法的线性方程、最大非线性误差及温度测量最大误差的解析式,并指出二步线性化方法的最佳方案,同时给出与几种典型二步线性化方法对应的电桥参数的确定步骤。理论分析与PSpice仿真表明:二步线性化方法是正确的,其最佳方案的温度测量最大误差比一步线性化方法减少约2℃。
- 李震春陈旭任明放
- 关键词：电桥温度计PSPICE
- 氩气压强对直流磁控溅射ZnO:Al薄膜结构和性能的影响被引量：5
- 2007年
- 基于Al2O3掺杂量为3wt%的氧化锌铝陶瓷靶材,采用直流无反应磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO∶Al透明导电薄膜。研究了氩气压强对薄膜微观结构和光电性能的影响。结果表明:氩气压强对薄膜的平均透光率影响微小,其值均在86%以上,但对薄膜的微观结构和方块电阻有非常明显的影响。随着氩气压强的增大,薄膜的晶粒形状由片状向球状变化,并呈现出c轴择优生长特性。氩气压强在0.6~3.0Pa范围内增长时,薄膜的方块电阻先缓慢减小,2.0Pa后急剧增大。在压强为1.5Pa时,薄膜具有最好的电学性能,其电阻率为1.4×10-3Ω.cm,方块电阻为10Ω/sq,优值为1.6Ω-1,符合评价标准。
- 许积文王华任明放成钧
- 关键词：直流磁控溅射ZAO薄膜方块电阻优值
- Nb掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷的微结构与介电性能研究
- 2009年
- 采用固相烧结工艺制备了Nb掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)铁电陶瓷。用XRD和AFM对其微观结构进行了分析,研究了Nb掺杂对材料微观结构和介电性能的影响。结果发现,微量Nb的掺入并未改变BIT的晶体结构,但可减小陶瓷的晶粒尺寸并降低材料的居里温度。同时,Nb的掺入大大降低了BIT陶瓷的介电常数并削平了BIT陶瓷的介电损耗峰,适当掺杂Nb可明显降低BIT陶瓷的介电损耗。
- 黄小丹王华任明放许积文杨玲
- 关键词：铁电陶瓷介电性能BIT微结构
