黎建明
- 作品数：48 被引量：111H指数：6
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划武器装备预研基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 降低GaAs红外激光窗口材料吸收系数新工艺被引量：2
- 1994年
- 降低ＧａＡｓ红外激光窗口材料吸收系数新工艺黎建明，王岩，钱嘉裕（北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心１０００８８）（一）前言在制备高度透明的高功率激光器透镜和窗口元件时，要求窗口材料和镀膜层的光吸收所引起的破裂损坏和光畸变很小。若要提高材料...
- 黎建明王岩钱嘉裕
- 关键词：砷化镓激光器
- 一种热场中心轴线对称的装置
- 一种热场中心轴线对称的装置，它包括有一个筒形的加热器，在筒形加热器的中央置有一个坩埚，其特点是，在筒形加热器和坩埚的之间设置有一个中心轴线对称性很好的内筒。所述的内筒的材料是导热性良好、耐高温、对所生长晶体无污染的石墨或...
- 黎建明苏小平余怀之杨海霍承松李楠
- 文献传递
- 热交换器中氦气流量对生长蓝宝石温场影响的研究
- 2008年
- 采用热交换法生长蓝宝石晶体,通过数值模拟与实验研究了晶体生长过程中热交换器中氦气流量对温场的影响。结果表明:晶体生长过程中固液界面为近弧面;随氦气流量增大,晶体与熔体的温度下降,温度梯度增大;加热器功率缓慢上升。
- 李跃龙黎建明苏小平杨海那木吉拉图李楠杨鹏
- 关键词：蓝宝石数值模拟
- 沉积温度、压力对CVDZnS晶粒尺寸及性能的影响被引量：2
- 2020年
- 通过控制H2S流量(2±1)L/min、氩气流量(35±2)L/min,在不同沉积温度[(650±10)、(670±10)、(700±10)℃]、不同沉积压力[(5000±200)、(7000±200)、(9000±200)Pa]工艺条件下采用化学气相沉积法制备出原生ZnS(CVDZnS)样品。利用X射线衍射、金相显微镜、Spectrμm100 Fourier红外变换光谱仪对CVDZnS样品分别进行了物相分析、微观晶粒形貌观察以及2~15μm波段的红外透过率测试。结果表明:CVDZnS主要以立方相形式存在,有少量六方相,沉积生长的优先取向为s(111);金相分析表明在沉积压力为(5000±200)和(7000±200)Pa时,随着温度的升高平均晶粒尺寸有增大趋势,最大平均纵向晶粒尺寸值为15.5μm。平均纵向晶粒尺寸和平均横向晶粒尺寸的比值越接近"1",对于提高材料弯曲强度越有利。确定了在沉积温度为(670±10)℃、沉积压力为(7000±200)Pa工艺条件下,制备的CVDZnS可以有效提高2~5、7~10μm的平均透过率(~72.15%),降低6.0μm左右的吸收。
- 魏乃光郭立杨海刘晓华田智瑞黎建明李冬旭蒋立朋李文江赵永田杨建纯
- 关键词：沉积温度光学性能力学性能
- 热交换法生长蓝宝石晶体的位错研究被引量：11
- 2009年
- 本文用热交换法生长出a向,尺寸为150 mm×160 mm,重10 kg的低位错蓝宝石晶体,并采用化学腐蚀-金相显微镜法观测了(0001)晶面的位错形貌。结果显示:(0001)晶面的位错腐蚀坑呈三角形,分布较均匀和分散,图像清晰,平均位错密度较低,为2.1×103Pits/cm2;热交换系统保温效果好,能独立控制熔体和晶体的温度梯度,温场起伏小,具有良好的稳定性和可控性,适合用来生长大直径低位错的蓝宝石晶体。
- 柯利峰黎建明苏小平那木吉拉图李楠
- 关键词：晶体生长位错
- ZnS上HfON保护膜及增透膜系的制备和性能研究被引量：2
- 2009年
- 用氮氧化铪薄膜作为CVDZnS衬底的保护膜、由YbF3和ZnS组成的增透膜系分别在CVDZnS的两面制备了保护膜和增透膜,研究了镀膜前后CVDZnS在8-12μm波段的光学性能,单面镀制增透膜之后CVDZnS在此波段的平均透过率由未镀膜前的74%提高到了82%,峰值透过率大于83.5%。在CVDZnS上镀制HfON保护膜后,其8-12μm波段透过率没有明显的降低,同时硬度测试表明HfON薄膜的硬度约为11.6 GPa,远大于衬底CVDZnS的硬度。胶带实验和泡水试验表明,制备的保护膜和增透膜均和衬底有很好的附着力。
- 刘伟张树玉闫兰琴袁果刘嘉禾黎建明杨海苏小平余怀之
- 关键词：增透膜
- GaAs激光窗口材料的制备及退火和光学加工对其性能影响
- 该论文研究了优质GaAs红外激光窗口材料的制备及特性;退火热处理工艺对GaAs窗口晶体的位错、残余应力、迁移率和断裂模数的影响;GaAs窗口晶片表面光学加工对GaAs窗口晶体性能的影响.取得的主要结果如下:1.首次在LE...
- 黎建明
- 关键词：GAAS晶体激光窗口断裂模数表面散射
- 文献传递
- 降低m-CVDZnS多晶残余应力的带压退火研究
- 2022年
- 硫化锌(ZnS)具有较高的红外透过率及良好的力学、热学和光学等综合性能,经热等静压透明化处理后得到的多光谱硫化锌(m-CVDZnS)透射范围更宽(0.3~13μm),满足复合制导的需求,是红外双波段飞行器观察窗口和头罩的关键材料。而m-CVDZnS多晶中的残余应力直接影响窗口和头罩的光学均匀性和光学成像质量。本工作在热等静压设备中对CVDZnS多晶样品进行原位退火,采用的保护气体Ar气达到热等静压高温恒温所需压力后,退火过程不再进行充压或泄压(带压退火)。退火样品为多个尺寸约120 mm×165 mm×10.2 mm的m-CVDZnS多晶抛光样品,典型带压退火的优化工艺如下:高温退火条件采用990℃/150 MPa,结合600℃恒温和慢降温至室温退火。样品应力双折射测量结果表明,带压退火处理使残余应力明显减小,应力双折射平均值从12~13 nm/cm减少到3~5 nm/cm,降幅约100%;退火处理后应力分布均匀性明显提高。
- 周杰明黎建明李冬旭赵永田杨海魏乃光
- 关键词：残余应力应力双折射
- 一种用于晶体生长炉中籽晶与坩埚对中调试的装置
- 一种用于晶体生长炉中籽晶与坩埚对中调试的装置，它包括：夹头、激光笔及带有标尺的圆盘，在籽晶杆上固定带有激光笔的夹头，其激光笔的轴心与籽晶杆的轴心重合；带有标尺的圆盘安装在坩埚口上沿，圆盘外圆尺寸同坩埚外圆保持一致。本实用...
- 黎建明李楠刘春雷
- 文献传递
- 化学气相沉积制备块体ZnS缺陷综述被引量：3
- 2017年
- 介绍了CVDZnS的应用背景及国内生产研发现状,并主要论述了CVDZnS中存在的各类缺陷。虽然相关学者已对六方相,Zn-H络合物,异常大晶粒,微裂纹等缺陷进行过相关研究,并提出了各缺陷可能的产生机理及抑制方法,但国内学术领域对CVDZnS部分缺陷问题仍停留在经验上的认识,存在诸多争议。本文除对以上缺陷进行总结补充外,还对关注相对较少的新型缺陷进行阐述与分析,共对六大类缺陷的影响及其产生机理进行界定,旨在为实际生产过程中改进生产工艺参数,探究各类缺陷抑制方法提供理论参考。涉及的材料表征手段包括XRD、SEM以及金相显微镜等。
- 杨德雨杨海李红卫霍承松魏乃光黎建明杨建纯李冬旭张鹏飞
- 关键词：CVDZNS
