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陈闽川

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电畴
  • 3篇铁电
  • 3篇铁电薄膜
  • 3篇存储器
  • 2篇铁电薄膜材料
  • 2篇储层
  • 2篇存储密度
  • 1篇铁电存储器
  • 1篇极化反转
  • 1篇BI

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇陈闽川
  • 2篇江安全
  • 2篇刘骁兵
  • 2篇惠文渊

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法
本发明属于存储器技术领域，具体为基于铁电薄膜的表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法。所述存储器包括电极以及位于所述电极之下的电阻转变存储层，所述电极由金属电极材料制成，所述电阻转变层为铁电薄膜材料。本发明存储器的结构简...
江安全陈闽川惠文渊刘骁兵
含Bi化合物铁电薄膜的阻变特性和电畴侧向运动
近年来,铁电存储器因具有读写速度快、低功耗和存储密度高等优点而受到广泛关注。然而,基于电容结构的铁电存储器有很多限制,比如电容面积太大以影响到存储器向千兆位密度器件的升级,另外在破坏性读出之后还需要一个恢复脉冲。近来,利...
陈闽川
关键词：铁电存储器极化反转
一种表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法
本发明属于存储器技术领域，具体为基于铁电薄膜的表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法。所述存储器包括电极以及位于所述电极之下的电阻转变存储层，所述电极由金属电极材料制成，所述电阻转变层为铁电薄膜材料。本发明存储器的结构简...
江安全陈闽川惠文渊刘骁兵
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