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郭述文

作品数:4 被引量:2H指数:1
供职机构:南昌大学更多>>
发文基金:江西省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信机械工程理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇光CVD
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇氧化硅
  • 1篇应力测定
  • 1篇智能测温仪
  • 1篇微晶硅
  • 1篇微晶硅薄膜
  • 1篇温度
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇非晶
  • 1篇薄膜应力
  • 1篇比例法
  • 1篇VCD
  • 1篇
  • 1篇CVD
  • 1篇测量系统
  • 1篇测温
  • 1篇测温仪

机构

  • 2篇江西大学
  • 2篇南昌大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 4篇郭述文
  • 2篇罗庆芳
  • 1篇肖化
  • 1篇邹道文
  • 1篇王晓俊
  • 1篇王渭源
  • 1篇朱基千
  • 1篇谭淞生

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇南昌大学学报...
  • 1篇江西大学学报...
  • 1篇第四届全国固...

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1991
  • 1篇1989
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种新型的高精度智能测温仪被引量:1
1991年
本文介绍了一种以单片机为基础的智能测温仪,它采用了计算比例法和加引双线法。
肖化郭述文
关键词:测温仪温度单片机比例法
光CVD—SiO_2薄膜的性能及其应用
1996年
采用光CVD法制备了良好的SiO2薄膜,为半导体器件及传感器表面修饰提供了一条新型可行的途径。
王晓俊罗庆芳邹道文郭述文夏至洪
关键词:二氧化硅
氢气放电无窗输出型光CVD非晶、微晶硅薄膜被引量:1
1989年
采用氢气作为无窗输出型真空紫外辐射源的工作气体,产生的高能光子(如真空紫外光)可以直接分解SiH_4或SiH_4+BF_3混合气体,以制备氢化非晶硅(a-Si∶H)和掺硼氟化微晶硅(μc-Si∶F∶H(B))薄膜.测量表明,薄膜具有类似于通常辉光放电或汞敏化紫外光CVD制备的薄膜的结构和电学特性,掺氟化硼后晶化温度可低至200℃.文中对真空紫外光CVD的光解机理以及薄膜的特性进行了初步的探讨.
郭述文朱基千谭淞生王渭源
关键词:CVD
薄膜应力快速测量系统及其应用
罗庆芳郭述文
关键词:薄膜应力测量系统应力测定
共1页<1>
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