郝秋来
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 一种基于大视场红外图像的非均匀性校正算法被引量：2
- 2013年
- 研究了行扫体制热像仪获取的大视场红外图像非均匀性校正的处理方法。首先分析了大视场下全局校正算法的局限性,然后提出了对大视场图像分块处理的想法,通过分块图像获取补偿参数来对非均匀性进行校正。最后通过实验证明了该算法能够在单帧情况下有效弱化条纹噪声,改善图像非均匀性。
- 倪云龙郝秋来于繁迪
- 关键词：红外图像非均匀性校正分块大视场
- 大直径锑化铟单晶位错控制研究被引量：2
- 1993年
- 本文采用的晶体生长装置具有特别的生长室结构,其外壳为不锈钢水套,可保证生长室与外界热隔离,使晶体生长不受外界干扰;另外,生长室尺寸较大,外壳直径为500mm,可使用外径达Φ100mm的坩埚;又采用了自动等径控制技术,因而可生长出大直径(Φ30～45mm)的锑化铟单晶。通过调整生长室内的温场,有效地控制了锑化铟单晶中的位错数量,得到了位错密度非常小的锑化铟晶片(EPD<10~2cm^(-2))。
- 郝秋来李文华林均挺
- 关键词：锑化铟晶体生长位错密度
- InSb纳米结构材料与器件进展与展望
- 2014年
- 锑化铟（indium antimonide,熔点～525℃）是一种窄禁带半导体。由于其高的电子迁移率、小的有效质量及在极性III-V族材料中有最大的g因子,因而在高速器件、磁阻器件等方面具有潜在的电子学应用价值,而且已被广泛用于磁敏器件、红外探测器等。由于具有较大的波尔半径（60 nm）,使得InSb纳米结构成为具有吸引力的进行量子效应研究的半导体。因为这些特性,已有一些关于InSb纳米结构生长的报道。本文描述了近期InSb纳米结构生长的情况。透射电子显微镜等形貌像显示纳米结构为纳米晶体或纳米线,器件制备和性能测试显示其下一步的应用能力。
- 郝秋来
- 关键词：锑化铟纳米材料禁带宽度
- 石墨烯合成及其光电特性被引量：4
- 2014年
- 石墨烯因具有高迁移率和光透明性使其在光电子学方面受到了广泛关注,其独特的光学和电子性质的结合可以得到充分利用。最近的一些研究成果显示了石墨烯在光电子学方面的兴起,从太阳能电池和发光器件到触摸屏、光电探测器和超快激光器等应用。本文综述了这一快速发展领域的最新进展。
- 郝秋来周立庆
- 关键词：石墨烯光电子纳米
