贺业全
- 作品数：8 被引量：32H指数：5
- 供职机构：贵州省微纳电子与软件技术重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金贵州省优秀科技教育人才省长资金项目更多>>
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- 自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较
- 2011年
- 本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。对生长的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs两种量子点生长过程与退火情况进行对比,观察到当RHEED衍射图像由条纹状变为网格斑点时,InAs所需要的时间远小于InGaAs;高温退火下RHEED衍射图像恢复到条纹状所需要的时间InAs比InGaAs要长。
- 何浩贺业全杨再荣罗子江周勋丁召
- 关键词：MBERHEEDINAS/GAASINGAAS/GAAS退火
- 不同Ⅴ/Ⅲ束流比对GaAs(001)面重构相的影响
- 2010年
- GaAs表面在不同的Ⅴ/Ⅲ束流比下会呈现不同的表面重构相。本文通过改变As4 BEP和Ga BEP的束流强度,获得不同As4 BEP和Ga BEP束流比下GaAs(001)从富Asβ2(2×4)重构相转变成富镓β2(4×2)重构相的RHEED衍射图样,然后利用球棒模型对衍射图样进行解释。
- 贺业全罗子江杨再荣何浩邓朝勇周勋丁召
- 关键词：GAAS
- RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜被引量：5
- 2011年
- 利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于(2×3)表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。
- 罗子江周勋贺业全何浩郭祥张毕禅邓朝勇丁召
- 关键词：MBERHEEDSTM
- 在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究被引量：9
- 2010年
- 采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制。报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs。通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品。完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs。利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体。
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- 关键词：MBEEDS
- In_(0.14)Ga_(0.86)As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析被引量：5
- 2012年
- 以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生长19ML的InGaAs,通过样品生长速率大致确定其组分为In0.14Ga0.86As,通过反射式高能电子衍射(RHEED)及扫描隧道显微镜分析发现其表面主要由占大多数的4×3及少量的α2(2×4)重构混合而成,并用软件模拟RHEED对实验结果进行了验证。
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- MBE生长GaAs薄膜表面形貌的RHEED图样研究被引量：1
- 2010年
- 本文通过在GaAs(100)单晶衬底上MBE生长GaAs过程中形成的RHEED衍射图样,对GaAs薄膜的表面形貌进行研究。分析GaAs表面粗糙和生长时不发生RHEED强度振荡的原因。讨论在生长GaAs时出现In(Ga)As/GaAs(100)体系的RHEED衍射图样这种异常现象的原因。
- 杨再荣周勋潘金福罗子江贺业全何浩丁召
- 关键词：分子束外延表面形貌
- InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究被引量：11
- 2011年
- 利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法。根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相。样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜。
- 罗子江周勋杨再荣贺业全何浩邓朝勇丁召
- 关键词：MBERHEEDSTM
- 反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究被引量：21
- 2011年
- 以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据.
- 周勋杨再荣罗子江贺业全何浩韦俊邓朝勇丁召
- 关键词：分子束外延温度校准
