袁美英
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学自然科学总论更多>>
- 《学报》50年发表论文及被引用情况的统计与分析被引量：2
- 2005年
- 回顾和总结了《华东师范大学学报(自然科学版)》自1955年创刊以来发表论文情况,自1998年以来被CNKI引用,和自20世纪80年代以来被SCI引用的情况．给出了论文发表和被引用数据按年份和按学科的分类统计,以及按被引用频次排列的统计,从中分析出一些有益的经验．这些统计和分析,将有助于指导《学报》今后的实践和发展．
- 王善平袁美英尤力群
- 关键词：引文索引CNKI论文发表
- FEA实验数据进行参数提取的线性回归技术
- 1994年
- 本文讨论了对场发射阵列（ＦＥＡ）的实验数据利用线性回归的技术得到表征ＦＥＡ器件特性的几个关键多数的方法。并将这种方法应用于我们自己的ＦＥＡ器件样品。根据实验数据得到了器件的关键参数并证实了ＦＥＡ对特性满足ＦｏｗｌｅｒＮｏｅｄｈｅｉｍ方程。文章还对非线性因素对参数估计所带来的偏差问题进行了讨论。
- 刘新福徐静芳李琼宋海波袁美英张段吴俊雷柳襄怀
- 场发射阵列（FEA）的稳定性（S）和可靠性（R）的研究被引量：1
- 1994年
- ＦＥＡ器件的性能由于半导体工艺水平和微机械加工技术的发展有了很大地提高。而其稳定和可靠性的研究是走向实用的必经过程。本文分析了温度、电压等因素对ＦＥＡ器件稳定和可靠性的影响。并研究了尖端发射表面功函数Φ、尖端发射面积Ｓ和尖端表面场强Ｅ与器件稳定性和可靠性的关系。
- 宋海波李琼刘新福袁美英徐静芳张段吴骏雷柳襄怀
- 关键词：稳定性可靠性场发射阵列
- 超浅硅N^+P结雪崩发射式冷阴极研究
- 1992年
- 本文介绍了硅超浅N^+P、结雪崩电子发射式真空微冷阴极的结构、工作原理以及用低能As离子注子形成结深浅于30 um的超浅N^+P结技术和简便的结深监测方法.并给出了这种冷阴极电子发射性能的实验结果.
- 薜臻李琼汤世豪袁美英徐静芳林成鲁张锻吴俊富
- 关键词：冷阴极
- 硅雪崩击穿冷微阴极的电子发射特性
- 1992年
- 制成高电子发射效率的稳定可靠的冷阴极是使真空微电子器件得以实现的关键.本文报导了硅超浅PN结雪崩击穿式冷阴极的结构和工作原理以及电子发射的测试结果. 器件结构和工作原理冷阴极的基本结构如图1所示,图1中中心P^+N^(++)区是电子发射有源区.N^+环区为接触区.P^+和N^(++)区分别由硼和砷离子注入形成.硼注入条件为25 KeV,1.5 E13cm^(-2)+60 KeV,1.5 E13cm^(-2).硅片在B^+注入后放入900℃氮气中退火1小时,使硼离子得到有效激活.
- 李琼袁美英薛臻汤世豪徐静芳张锻吴俊雷
- 关键词：冷阴极电子发射
- 硅PN结反向击穿冷阴极研究
- 1993年
- 本文报导了硅PN结反向击穿冷阴极电子发射源的研究结果。尽管器件制造中采用的大部分工艺与标准的微电子工艺相容,但为了形成和测量超薄PN结,还引入了一些特殊方法。这些方法包括:超低能离子注入,由氧化和腐蚀构成的结区减薄工艺,快速热退火和一些对工艺进行监测的新方法。本文给出了电子发射特性,最大发射电流达到150nA,它对应的发射效率为8×10^(-6),这个数值已达到国际水平。
- 李琼徐静芳袁美英薛臻汤世豪张锻吴俊雷
- 关键词：真空微电子学PN结硅冷阴极
- 硅薄膜场发射阴极的制造和性能被引量：5
- 1993年
- 本文评述了薄膜场发射阴极的一般制造方法后,介绍了我们的制造技术。我们用硅材料为基体,用各向同性的湿法化学腐蚀工艺制出尖端,用氧化增尖和自对准栅极工艺制成TFFEC—薄膜场发射阴极。外加阳极就构成了三极管。本文给出了TFFEC和三极管的测试性能。
- 李琼袁美英汤世豪徐静芳付勇张锻吴俊雷
- 关键词：场发射阴极硅膜
