蒲林
- 作品数：17 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种高边电平移位和驱动电路
- 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种高边电平移位和驱动电路；包括逻辑电路、低电平产生电路和高电平产生电路；本发明在逻辑电路产生驱动电压为高电平时，控制高电平产生电路不工作，让低电平产生电路产生低电平电压；在逻辑电路产生的...
- 杨丰苟超李鹏梁盛铭刘文韬王菡廖鹏飞蒲林霍改青刘婷曾欣王强
- 文献传递
- AD8348正交IQ解调器及其应用被引量：3
- 2007年
- IQ解调是数字调制系统中一种重要的解调方法,AD8348是Analog Devices公司推出的一种IQ正交解调器,广泛应用于QAM/QPSK解调器及各种通信系统中,如W-CDMA/CDMA/GSM等。介绍了AD8348的性能特点、内部结构、具体应用设计,并给出了典型应用电路及结果。
- 王锐吴畏蒲林
- 关键词：数字调制系统接收机
- 一种基于开关电容的高精度低温度系数振荡器被引量：1
- 2023年
- 在分析传统环形振荡器的基础上,提出了一种基于开关电容的高精度低温度系数环形振荡器。采用了带开关电容电路的频率负反馈架构,使得输出频率的精度与其温度系数仅取决于外部设定电阻与片上电容,通过合理选择外部设定电阻,即可实现高精度、低温漂的时钟输出。设计的高精度低温度系数的环形振荡器采用0.6μm标准CMOS工艺设计。仿真结果显示,当输出频率为5 MHz时,输出频率误差≤1.74%,频率温度系数≤8.11×10^(-5)/℃。
- 崔华锐蒲林唐光庆李涛陈浩廖鹏飞
- 关键词：环形振荡器开关电容低温度系数
- SiGe HBT抗γ辐照机理研究
- ＜正＞由于异质结双极晶体管（HBT）和高电子迁移率晶体管（HEMT）比硅器件具有更优越的抗γ辐照特性,所以被广泛应用在卫星、空间站等辐照环境中。在 HBT 器件中,SiGe HBT 具有成本低、与硅工艺兼用等优点,所以备...
- 石瑞英蒲林程兴华谭开州杨晨刘轮才王健安龚敏
- 关键词：Γ辐照
- 文献传递
- 高速数字电路相位噪声测试研究被引量：2
- 2009年
- 对高速数字电路相位噪声测试技术进行了探索。利用直接频谱仪法、鉴相器法、鉴频器法等相位噪声测试方法,通过阻抗匹配等合理的测试设计,开发出测试系统,对高速数字电路相位噪声进行了测试研究,获得了准确的测试数据,有效地表征了电路实际性能。
- 蒲璞崔庆林蒲林
- 关键词：数字电路相位噪声鉴相器鉴频器阻抗匹配
- 一种具有跨导增强电路的低压差线性稳压器
- 本发明属于模拟集成电路领域，具体涉及一种具有跨导增强电路的低压差线性稳压器，包括：带隙基准、误差放大器、功率管Mp、补偿电容Cm、电阻反馈网络以及输出电容Co；误差放大器包括电流源I<Sub>B1</Sub>、8个MOS...
- 廖鹏飞蒲林张远航李鹏雷旭杨丰黄晓宗王国强
- 一种高PSRR快速响应线性电源调制器的电路设计被引量：1
- 2022年
- 本文介绍了一种高PSRR的快速响应线性电源调制器的电路设计。该电路采用二阶温度补偿形成稳定的带隙基准参考电压,利用输出电压反馈作为电路的内部电源,使得电路的响应速度更快。同时,由于电路未直接使用输入电压作为内部电源,因此拥有较高的PSRR。仿真结果表明,该线性电源调制器在100Hz下PSRR约为113 dB,同时拥有较快的响应速度和较大的相位裕度。
- 何泓威罗凯王菡廖鹏飞蒲林
- 关键词：快速响应
- 一种SiGe低噪声放大器测试基座的研究被引量：1
- 2006年
- 对SiGe低噪声放大器(LNA)的测试技术进行了探索,开发出适合SiGe低噪声放大器的可插拔测试基座。通过对商业样品的增益G(S21)、增益平坦度、带宽、回波损耗(S11和S22)、反向隔离度(S12)1、dB压缩点(P1dB),三阶互调节点(IP3)和噪声系数(NF)等参数的测试,验证了测试系统的准确性。对所开发的单片SiGe低噪声放大器进行了测试,获得了准确的测试数据,准确表征了SiGe低噪声放大器的性能。
- 蒲林刘伦才李荣强刘道广张静谭开洲
- 关键词：S参数
- T型开关结构的64选1模拟开关电路
- 本发明公开了一种T型开关结构的64选1模拟开关电路，电路主要由四个16选1模拟开关单元、构成4选1模拟开关单元的四个模拟开关单元、七个电平转换电路单元和一个译码器组成。本发明电路的工作电压为±15V，传输的模拟信号范围±...
- 舒辉然冉建桥熊化兵刘伦才石建刚温玉蒲林刘勇唐昭焕
- 文献传递
- 一种基于MBE差分外延技术的SiGe低噪声放大器
- 2006年
- 采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成。基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器(LNA),获得了1.7 GHz的带宽,23 dB的增益和3.5 dB的噪声系数。
- 张静李荣强刘伦才李开成刘道广徐婉静杨永晖蒲林谭开洲
- 关键词：分子束外延锗硅异质结双极晶体管低噪声放大器
