范垂祯
- 作品数：65 被引量：42H指数：3
- 供职机构：中国科学院兰州物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技部专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- Ti／Al多层金属薄膜AES深度剖析的目标因子分析
- 1995年
- 目标因子分析法（ＴＦＡ）是一种对多元系统进行统计分析的计算数学方法。结合这种方法对Ｔｉ／Ａｌ多层金属薄膜的俄歇电子谱（ＡＥＳ）深度剖析结果进行了仔细的分析，获得了Ｔｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｓｉ各元素的化合状态的深度分布情况，并与Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析结果相一致．
- 谢舒平郭云杨得全范垂祯
- 关键词：钛铝
- 表面成分AES和XPS定量分析中的离子溅射修正
- 1994年
- 低能离子溅射是表面分析中清洁固体表面和深度剖面分析的主要手段之一。由于离子溅射改变了固体表面化学成分，引起表面成分的再分布，使俄歇电子谱、X射线光电子谱以及二次离子质谱等表面分析手段，对溅射后固体表面成分的定量分析结果与实际结果有较大的差别。本文以离子溅射合金表面成分达到平行时择优溅射、离子轰击诱导偏析和增强扩散效应之间动态平衡状态的假设为基础，得到了一个与择优溅射、离子轰击诱导偏析和增强扩散修正因子有关的离子溅射修正因子的分析表达式，并将其应用于Ag－Pd合金的离子溅射定量修正计算，发现计算结果能够与实验结果较好地吻合。解释了合金离子溅射修正因子随离子参数的变化。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：溅射离子溅射
- 基体效应对二次离子质谱相对灵敏度因子影响的研究被引量：1
- 1998年
- 众所周知，二次离子质谱定量分析的最大困难之一就是其体效应的影响。由于二次离子质谱发射机理较为复杂，从理论上描述和分析基体效应仍有较大难度。本文基于对不同基人本中相对灵敏度因子值的分析，提出了一种描述基体效应的物理量－基体效应因子。分析结果说明，在Ｏ２＾＋离子入射下，基体效应因子与基体的平均原子序数、平均电负性及其基体元素的氧化物平均生成热之间的密切的关系。依据作者曾提出的“结合断键－局域热平衡”
- 杨得全范垂祯
- 关键词：二次离子质谱SIMS
- 高纯碲镉汞配料、封装过程中污染对原材料纯度的影响
- 1993年
- 首先对目前国内 Te、Cd、和 Hg 高纯材料在大气环境下配料、在油扩散泵真空系统下封装两个过程中由于原材料表面的自然氧化、吸附、原材料小颗粒或粉末之间贮存的气源等污染对原材料纯度的影响进行了分析计算和讨论。简单的估算表明,二次污染可使材料纯度低于6个9(用6N 表示)。采用清洁真空系统后配料封装,即使真空度不高(或充保护气体),二次污染的杂质浓度仍可低于10^(-9)量级。其次对739厂的 Te、Cd(标称7N)原材料以及机电部第1411研究所提供的 CMT(Cd_xHg_(1-x)Te)晶片分别进行了配料、封装的初步模拟实验和表面污染的实验分析。实验结果说明,配料和封装过程对材料 Te 的二次污染(主要是吸附和返油)影响不大;但对 Cd 材料污染十分严重,分析计算表明,碳、氧污染引起的杂质浓度较高。实验结果支持了第一部分中的计算结果。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：提纯真空
- Hg_(1-x)Cd_xTe材料AES定量分析中的电子束和离子束效应
- 1999年
- 在Hg1-xCdxTe材料的AES分析中 ,由于分析电子束辐照作用 ,可诱导表面Hg原子的脱附和热升华 ,导致短时间内样品表面严重失Hg ,使AES定量分析结果产生很大的误差。实验结果表明 ,在超高真空中分析电子束辐照下局部Hg元素的挥发损失以负指数关系进行。通过选择离子束溅射速率大于电子束蒸发速率 ,并在溅射的同时进行俄歇信号收集 ,则可减小或消除分析电子束对元素Hg的蒸发作用 ,获得稳定的俄歇信号。实验结果还指出 ,溅射离子束的参数会影响元素的相对溅射产额 。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：俄歇电子能谱汞镉碲
- 砷化镓中掺硅元素的SIMS定量分析
- 1994年
- 通过对体均匀掺硅和离子注入硅样品的二次离子质谱（ＳＩＭＳ）深度剖面分析，采用均匀体标样法、剖面二次离子强度积分法和ＬＳＳ理论关系计算获得了比较一致的、且与手册值接近的ＧａＡｓ中硅元素相对灵敏度因子值。将相对灵敏度因子法应用于双能量、双剂量硅离子注入ＧａＡｓ样品及分子束外延多层ＧａＡｓ膜渗硅的ＳＩＭＳ定量分折中。从实验结果初步讨论了ＧａＡｓ中氧和碳元素的存在对２８Ｓｉ－、１０３ＳｉＡｓ－二次离子信号强度的影响，２８ＳｉＡｓ－和１０３Ｓｉ－二次离子信号强度的线性关系和可靠性。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：砷化镓掺杂硅二次离子质谱
- 表面物理研究的进展
- 1989年
- 综述了近十年来表面物理研究的一些主要进展。其中包括金属、合金、半导体以及磁性材料的表面电子态、表面原子结构、粒子(离子)与表面的相互作用,表面分析技术和仪器的新发展。最后讨论了表面物理研究的发展趋势和存在的一些问题。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：表面物理
- 电子与固体表面的相互作用-表面次级效应的实验研究及应用
- 范垂祯
- 该项研究是当前表面分析和表面研究中一个极其重要而复杂的课题，它首次研制成功局部电荷补偿二次离子显微分析方法，可对不良导体做高分辨、高灵敏分析。通过大量的俄歇和二次离子谱研究，指出铜铍打拿极表面存在Ｂｅ2 Ｏ薄膜，并在电子...
- 关键词：
- 关键词：俄歇电子谱法离子
- MeV离子辐照引起薄膜附着力的增强:阈剂量随界面原子化学结合能的一个经验关系
- 1993年
- 根据Pauling给出的金属-非金属双原子结合键能的关系,分析文献报导的高能重离子辐照引起金属膜/聚四氟乙烯基底和金属膜/硅基底系统附着力增强的阈剂量数据后发现,阈剂量随界面原子结合能很好地满足指数关系D_(th)=D_0exp(kE_b)。这说明高能离子辐照引起薄膜附着力的增强可能是离子辐照引起界面原子化学结合键能增强的缘故。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：辐照
- 离子注入样品的二次离子质谱(SIMS)定量分析被引量：1
- 1992年
- 本文分析了弧坑效应和离子轰击混合效应对SIMS深度剖析的影响,认为在采用一次离子束扫描、弧坑效应可忽略的情况下,离子轰击混合效应是影响SIMS深度分辩的重要原因。在分析了注入剂量法的主要误差来源后,结合实验发现了注入剂量法结果随溅射时间的变化规律,由此提出了设定精度、逐点逼近的方法。同时,考虑到溅射深度测量上的困难,采用了LSS理论平均射程值,使得计算更为简捷,并可与SIMS深度剖析同步进行。将该方法用于注N的GCr15轴承钢和注Zn的砷化镓样品取得了较好的结果,与AES和LSS理论分析结果相符,且具有较高的精度。由此方法还可得到稳定的、具有普遍意义的注入元素在基体中的二次离子相对灵敏度因子。
- 陈宇范垂祯
- 关键词：离子注入SIMS质谱
